Field-and Current-Driven Magnetization Reversal and Dynamic Properties of CoFeB-MgO-Based Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions

We report a perpendicular magnetic tunnel junction(p MTJ) cell with a tunnel magnetoresistance(TMR) ratio of nearly 200% at room temperature based on Co Fe B/Ta/Co Fe B as the free layer(FL) and a synthetic antiferromagnetic(SAF) multilayer [Pt/Co]/Ru/[Pt/Co]/Ta/Co Fe B as the reference layer(RL). The field-driven magnetization switching measurements show that the p MTJs exhibit an anomalous TMR hysteresis loop. The spin-polarized layer Co Fe B of SAF-RL has a lower critical switching field than...     

大规模制备Ni80Fe20纳米线阵列及其磁学特性研究

利用电化学沉积方法在高度有序纳米孔氧化铝模板中大规模制备了Ni80₈₀Fe 20₂₀纳米线阵列.该方法得到的Ni80₈₀Fe20₂₀ 纳米线产率高（约1012^{12—101313/cm22）, 而且这些纳米线阵列具有（111）择优生 长取向和很高的纵横比.与体材料相比,这些Ni80₈₀Fe20₂₀纳 米线阵列具 关键词： 纳米线阵列 磁性}     

涂覆长旋转椭球散射场的解析解及其远场双站散射截面计算

利用长旋转椭球矢量波函数和涂覆椭球表面的阻抗边界条件，给出了平面电磁波沿主轴方向入射时涂时涂覆长旋转椭球散射场的解析表达式及其远场双站散截面的计算公式和计算结果。本文的主要结论：不仅几种典型形状理想导体目标对平面电磁的散射场可用解析公式表示，这些形状的涂覆目标的散射场也可用解析公式表示。     

离子色谱电导检测法测定水基胶黏剂中氨的残留

建立了一种离子色谱电导检测法测定水基胶黏剂中氨残留的方法。样品经10 mmol/L盐酸水溶液振荡、离心、过滤提取后,采用阳离子交换色谱柱分离和电导检测。在优化实验条件下,样品中的氨在0.05～2.0 mg/L范围内呈良好的线性关系(r2=0.999 8),加标回收率在93%～102%之间,相对标准偏差不高于4.3%,检出限(S/N=3)为0.007 mg/L,定量下限(S/N=10)为0.024 mg/L。结果表明该方法能够达到定量检测的目的。将该方法用于实际样品检测,结果可靠。通过对氨的稳定性实验发现,处理好的样品宜在12 h内测定。     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2009年版综述（6）

4.14成品率的提高困难和挑战2009年＂成品率的提高＂国际技术工作组调研了最新的研发和困难,整理出了与成品率相关的关键的挑战。在2009年,整理出了新的远期挑战,即：450mm晶圆的引入带来的对缺陷探测和特征分析的影响,以及由于较大的衬底表面积带来的缺陷预算和成品率模型问题。450mm晶圆的引入需要新一代的检测工具。     

流动打造激情员工——电信企业人才流动存在问题及对策探讨

得人才者得天下。随着市场竞争的加剧,对人才的争夺已经成为电信企业竞争的前沿阵地。为了优化员工结构,提升员工素质,电信企业必须建立合理的人员流动机制,增强对本企业优秀人才的“黏着”力度,提升对外部优秀人才的吸引力。     

基于IMS的下一代融合网络运营研究

文章在分析IP多媒体子系统(IMS)架构及融合应用模式的基础上,提出了运营商引入IMS所面临的软交换平滑演进、会话启动协议(SIP)兼容性、用户接入及数据库融合、网络运维等五类问题,分析了当前主流的IMS解决方案,并从运营角度探讨了IMS技术下的业务融合策略,运营商在了解IMS特有的商业模式的前提下,应针对不同的目标用户引入IMS,并按阶段有计划的推进。     

创新引领转型——2010年中国集成电路设计年会EDA公司访谈

2010年12月1-2日,ICCAD(2010年中国集成电路设计年会)在无锡隆重举行。专家、领导和国际、国内知名企业云集,精彩观点迭出。本刊记者对     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2009年版综述（4）

42009版ITRS的新内容——技术工作组总结 4.1系统驱动 在2009年,系统驱动工作组对＂系统驱动＂一章进行了如下更新： 详细地更新了SOC消费电子驱动,阐述了在这个门类中更新的原因和细节,以及影响的关键参数例如功耗等。     

国际半导体技术发展路线图（ITRS）2009年版综述（3）

3严峻的挑战 我们将半导体技术未来面临的挑战分为“近期（从现在开始直至2016年）”和“远期（2017年以后）”两部分。