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51.
梁国宁 《电视字幕·特技与动画》2011,(11):66-68
演出中的追光在实践应用中具有很好的艺术功能与艺术动惑.是移动光束中的一朵奇葩。追光能很好地表现主要角色的突出点.同时塑造出不同人物的不同形象.人物心理和独自.凝聚观众的注意力,是舞台中的移动中心,烘托舞台的气氛,追光总是住舞台中扮演着自己的各种角色.根据剧情的需要表达内心,体现情境.烘托气氛 相似文献
52.
分析了制作高功率连续激光反射镜材料的热性能、缺陷及其加工工艺, 提出了制作高功率激光反射镜应考虑的几个关键问题: 反射镜材料的综合热性能比值S, 材料的微观结构、缺陷的大小和晶向的选择, 以及加工工艺的设计。并介绍了实验结果。 相似文献
53.
54.
55.
Structure Characterization of HSQ Films for Low Dielectrics Using D5 as Sacrificial Porous Materials
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Low-density materials, commercially available hydrogensilsesquioxane (HSQ) offer a low dielectric constant. HSQ films can be obtained by spin on deposition (SOD). In this work, low-dielectric-constant HSQ films are prepared by using D5 (decamethylcyclopentasiloxane) as sacrificiaJ porous materials. The dielectric constant of silica films significantly changes from 3.0 to 2.4. We report the structural aspects of the films in relation to their composition after annealed at 300℃, 400℃, and 500℃ for 1.5h in nitrogen ambient and annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. Si-OH appears after annealed at 400℃ for 1.5h in vacuum. The results indicate that the proper condition is in nitrogen ambient. Intensity of the Sill peak increases with the increasing temperature. Fourier transform infrared spectroscopy is used to identify the network structure and cage structure of Si-O-Si bonds and other possible bonds. Dielectric constant k is significantly lowered by annealing at 350℃ for 1.5h in nitrogen ambient. The I-V and C-V measurements are used to determine the dielectric constant, the electric resistivity and the breakdown electric field. 相似文献
56.
目前LDMOS已经广泛应用于功率集成电路和微波集成电路中,建立LDMOS的SPICE等效电路变得很重要。以往的模型都是将LDMOS分为线性区和饱和区两段来分析,公式复杂而且计算量大。因此在数值模拟的基础上提出了全导通区域的伏安特性方程,建立了LDMOSI-V特性的宏模型。该模型的特点是参数少,易于提取,得到的SPICE等效电路简单,仿真容易收敛。 相似文献
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58.
简要介绍了南开大学核物理组在奇异性核物理方面的理论研究工作. 已经完成的工作有核介质内超子平均自由程的理论计算, 奇异性核物理方面已完成的其他4个理论研究课题是, 不同重子杂质对原子核的影响、重味重子超核、核物质内的eta-介子以及K介子原子核的性质. 相似文献
59.
60.
The composition-dependent thermoelectric properties of lead telluride (PbTe) doped with bismuth telluride (Bi2Te3), antimony telluride (Sb2Te3) and (BiSb)2Te3 have been studied at room temperature. All the sampies exhibit small thermal conductivity. The figures of merit, 7.63, 1.03 and 8.97 x 10-4, have been obtained in PbTe with these dopants, respectively. These values are several times higher than those of PbTe containing other dopants with small grain sizes. The high thermoelectric performance is explained by electronic topological transition induced by alloying. The results indicate that these dopants are effective to enhance the thermoelectric performance of PbTe. 相似文献