全文获取类型
收费全文 | 103篇 |
免费 | 35篇 |
国内免费 | 20篇 |
专业分类
化学 | 18篇 |
晶体学 | 6篇 |
力学 | 5篇 |
综合类 | 4篇 |
数学 | 11篇 |
物理学 | 61篇 |
无线电 | 53篇 |
出版年
2023年 | 3篇 |
2022年 | 6篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 3篇 |
2017年 | 3篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 8篇 |
2014年 | 11篇 |
2012年 | 3篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 5篇 |
2006年 | 12篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 4篇 |
2002年 | 4篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 2篇 |
1994年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1965年 | 1篇 |
1961年 | 3篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有158条查询结果,搜索用时 421 毫秒
91.
利用气相色谱/质谱联用技术对三乙基硼合成反应的产物进行了定性研究.进样量为5 μL,以HP-5毛细管柱(30.0 m×250 μm, 0.25 μm)为气相色谱柱,在柱温90℃、气化室温度120℃、载气为氦气、流量为0.8 mL/min的条件下,三乙基硼合成产物得到了很好分离.通过对该反应产物进行人工质谱解析,并结合计算机谱库检索,鉴定出三乙基硼合成反应的5种副产物.其中二乙基环硼氧烷在其它文献中未见报道.通过对反应过程的研究,讨论了多种副产物产生的机理,佐证了副产物的结构,为三乙基硼及其类似物的研究奠定了基础. 相似文献
92.
93.
利用轴对称二维数值模拟程序Lared-Ⅰ,对两端单环激光入射产生的辐射场驱动下的靶球进行了数值模拟,给出了靶球二维变形的计算结果。随着入射激光焦斑位置的改变,辐射场在靶球表面的温度分布随之相应改变,驱动靶球内爆压缩氘气区分别成为铁饼形、香肠形或球形。将数值模拟结果与美国LLNL实验室的实验结果及其Lasnex程序的数值模拟结果进行了比对,得到了定性上完全相同的结论和接近的数值结果。从数值模拟结果可以看出,在单环入射的情况下,尚无法消除辐射场的高阶不对称性,无法满足球形对称均匀压缩的要求。 相似文献
94.
电源监控与图像监控系统的互联互通 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了电源环境监控与图像监控通过以太网采用TCP/EP协议的联动实现方法及Winsock的阻塞式通信原理。给出了告警消息的确定,告警联动中视频切换、云台及摄像机、输出继电器、辅助操作等项目控制以及相关网络通信的建立与告警消息的处理等程序。两套系统既可互联又可独立工作。 相似文献
95.
96.
随着太赫兹技术、低温电子学和射电天文学的发展,对可低温环境下工作的集成封装式跨阻放大芯片的需求增加。本文针对一种Ge-Si基底型跨阻放大器,主要研究了其深低温环境下的电学性能,获得了8 K温度下放大器芯片的典型端口电流-电压特性曲线和增益曲线,得到了在0.1~3 GHz频带内较为平坦的增益效果;为了验证其对太赫兹光电信号的放大功能,将该跨阻放大器与太赫兹量子阱探测器集成封装,并搭建了太赫兹脉冲激光探测系统,在8 K温度下实现了对脉宽2μs太赫兹光电探测信号的有效放大,跨阻增益约560Ω,电流放大增益为1.78 mA/V。上述研究成果首次验证了商用跨阻放大器在深低温环境下应用的可行性,为太赫兹高速探测与高频通信领域的集成跨阻放大提供了一种有效技术手段。 相似文献
98.
(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+红色荧光粉在热性能和长期使用性能等方面还有一定差距,导致制成的白光LED在长期工作状态下发生光衰和色标漂移,影响了白光LED的品质。为解决这一问题,将微量碱土金属离子和稀土金属离子掺入(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+中,研究其对(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+红色荧光粉热性能和长期使用性能的影响。实验结果表明:Li+-Dy3+、Li+-Ho3+等碱土金属-稀土金属离子对(Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+红色荧光粉的光衰性能有较明显的提升,同时也显著减小了制灯后长时点亮的色漂移。 相似文献
99.
采用传统固相烧结法合成了0.7BiFeO3-0.3BaTiO3+x%Sb2O3(质量分数)陶瓷(BFO-BTO+xSb, x=0.00~0.20),研究了Sb2O3掺杂对BFO-BTO陶瓷的晶相结构、介电、导电以及压电和铁电性能的影响,并对影响机理进行探讨。结果表明:Sb掺杂导致陶瓷的晶体结构由伪立方相向菱形相转化。Sb的B位取代增加了BFO-BTO+xSb陶瓷的铁电弛豫性,降低高温损耗,并使居里温度Tc有所降低。导电特性的研究表明,Sb掺杂改变了$V_O^×$和Fe2+的浓度,降低了电导率,但没有改变陶瓷的导电机制,其主要载流子是氧空位。Sb掺杂量x=0.05时,BFO-BTO+xSb陶瓷表现出最佳的综合电性能:d33=213 pC/N,kp=28.8%,Qm=38,Tc=520 ℃,Pr =24.7 μC/cm2。 相似文献
100.
自然光中的紫外光在木材表面产生复杂的光化学反应,是木材在自然环境中老化降解速度最快,反应最强的化学过程。基于近红外光谱(NIRs)技术探讨了落叶松表面材色在340 nm波长紫外光照射条件下的老化状况。不同时间(180,540,900,1 080 h)试材弦切面经紫外光人工老化后,测量木材表面材色色度学指数,并采集NIRs信息。由NIRs二阶导数及其差谱图反映的信息,定性分析和讨论了木材表面化学组分基团的变化;定量建立基于偏最小二乘法(PLS)结合留一交叉验证的木材表面材色预测模型。结果表明:(1) 随着人工老化时间延长,木材表面明度值L*降低,红绿指数a*与黄蓝指数b*出现先增加后缓慢降低的趋势,表明发色基团的形成随着紫外光照射时间的延长而减少,在辐射时间540 h达到最大值,此外,色差值ΔE*与紫外光照射时间成正相关。(2) NIRs二阶导数在6 996,6 773以及6 287 cm-1等分别反映木材中纤维素非结晶区、半结晶区和结晶区的光谱吸光度随着老化时间的延长而增加,而5 986 cm-1反映木质素特征性谱带吸收峰随着紫外光老化时间的延长而降低,表明木质素出现降解。通过紫外光照射1 080 h与对照材的差谱分析发现,纤维素和半纤维素基团的特征峰差谱值为正,表明紫外光辐射后木材表面的纤维素和半纤维素相对含量增加,而木质素基团特征峰差谱值为负,表明经紫外光辐射后,木质素的降解导致其相对含量减少。这些结果与色度值测量结果相一致。(3) 基于NIRs建立的紫外光照射落叶松表面材色预测模型中,L*交叉验证模型决定系数(R2)为0.949,相对分析误差(RPD)为4.42;a*交叉验证模型R2是0.928,RPD是3.73;b*的交叉验证模型R2是0.831,RPD为2.43,建立的材色预测模型满足预测要求。 相似文献