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11.
电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
掺硼金刚石(BDD)薄膜电极具有很宽的电势窗口、很小的背景电流、很高的电化学稳定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优点。采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法制备掺硼金刚石薄膜,并用金相显微镜、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)这三种测试方式进行表征。BDD薄膜电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率来降低能耗的角度出发,研究了电压及电极间距对BDD薄膜电极电化学氧化效率的影响。通过实验得出电压在5~13 V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高;电极间距在0.5~4 cm时电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低。 相似文献
12.
在分析面阵CCD图像传感器驱动时序的基础上,提出一种基于PLD(可编程逻辑器件)的新型面阵CCD驱动逻辑的设计方法,旨在改善实时图像采集系统的设计流程,提高系统的性价比和采集图像的质量。克服通常单片机驱动方式的频率低、速度慢的弱点,充分发挥PLD器件的高度灵活性、天然的并行性和快速成型等特点。针对Sony公司的面阵CCD芯片ICX285AL,利用Altera公司的CPLD芯片EPM3256AQC208和大型仿真设计工具QuartusⅡ8.0 s完成驱动逻辑设计、仿真,并且已经将该方法成功应用于工业摄像头的设计和研制过程中,获得良好的效果。 相似文献
13.
14.
持续努力提高元器件及材料可靠性的结果,诞生了许多的高可靠性产品。由此减少了故障发生的机会,而具体作可靠性评价试验则需要很长时间。人们希望进行更短时间获得有效结果的评价试验,即加速试验。但是所谓加速试验并非单纯加强应力缩短时间即可,同时它也不是全能的试验。理解了这一 相似文献
15.
We use a semiclassical approximation to study the transport through the weakly open chaotic Sinai quantum billiards which can be considered as the schematic of a Sinai mesoscopic device,with the diffractive scatterings at the lead openings taken into account.The conductance of the ballistic microstructure which displays universal fluctuations due to quantum interference of electrons can be calculated by Landauer formula as a function of the electron Fermi wave number,and the transmission amplitude can be expressed as the sum over all classical paths connecting the entrance and the exit leads.For the Sinai billiards,the path sum leads to an excellent numerical agreement between the peak positions of power spectrum of the transmission amplitude and the corresponding lengths of the classical trajectories,which demonstrates a good agreement between the quantum theory and the semiclassical theory. 相似文献
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本文使用密度泛函理论设计了两个无需配体的具有Mg-Mg和Zn-Zn单键的团簇Mg2B7-和Zn2B7-. 这两种团簇的全局能量最低构型均以M22+(B73-)的形式存在,其中M-M单键处于准平面六边形形状的B7部分的上方. 化学键分析证实了这些团簇中Mg-Mg和Zn-Zn单键的存在,这些单键是在异常稳定的B73-的驱动下生成的. 该B73-部分同时具有σ和π双重芳香性. 计算得到Mg2B7-和Zn2B7-的垂直跃迁能分别为2.79 eV和2.94 eV. 相似文献
19.
在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下,从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO3、单稀土氧化物Tb4O7、CeO2和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO2+Tb4O7等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa,温度高于600 ℃时发现了混合物CeO2+Tb4O7、氧化物Tb4O7中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明,对应这一电阻变化,在结构上出现了变化。结果分析表明,这一变化与Tb4+→Tb3+的价态变化密切相联。 相似文献
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