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991.
首先对现网两厂商MSTP并存组网的情况进行介绍,然后对并存组网存在的缺点及优点进行分析,详细阐述了3种不同的优化方案。 相似文献
992.
Coherent pulse stacking(CPS) is a new time-domain coherent addition technique that stacks several optical pulses into a single output pulse, enabling high pulse energy and high average power. A Z-domain model targeting the pulsed laser is assembled to describe the optical interference process. An algorithm, extracting the cavity phase and pulse phases from limited data, where only the pulse intensity is available, is developed to diagnose optical cavity resonators. We also implement the algorithm on the cascaded system of multiple optical cavities,achieving phase errors less than 1.0°(root mean square), which could ensure the stability of CPS. 相似文献
993.
为研究超临界CO_2作用后煤渗透率和孔隙率的变化规律,在超临界CO_2增透实验基础上进行了微观成像实验,提取煤微观孔隙特征,计算孔隙率,得到了煤孔隙率和渗透率变化的等值线图。结果表明:经超临界CO_2作用后,煤的渗透率较作用前提高了一个数量级,并随超临界CO_2作用时间的延长呈正指数增加,当作用时间为20h时,煤的渗透率较增透前提高了20.2倍;随超临界CO_2作用时间的增加,蜂窝状孔隙逐渐向更为细小的颗粒空间发展,孔隙数量明显增加。增透煤微观孔隙定量结果显示,随着超临界CO_2作用时间的增加,孔隙率等值线密集程度增加,煤各微区孔隙逐渐发育,孔隙率增加,当作用时间增加到20h时,孔隙率较增透前提高了17.20倍。煤的渗透率随孔隙率的增加呈正指数递增,说明宏微观结果是一致的,超临界CO_2增透促进了煤微观结构的有效发育,提高了煤的渗透率。 相似文献
994.
995.
空间碎片超高速撞击是典型的高温、高压、高应变率的极限力学问题,涉及材料复杂的动态响应,对传统的数值方法提出了巨大挑战。最优运输无网格(OTM)方法通过有机结合最优运输时间积分理论、局部最大熵无网格近似、物质点抽样、基于物理的裂纹扩展算法以及大规模并行计算策略,克服了传统数值方法瓶颈,在理论上保证了不同形式能量耗散的自主耦合分配,为超高速撞击仿真预测提供了高效的解决方案。采用基于OTM方法自主研发的极限力学仿真软件ESCAAS,对不同质量(3、10 g)的铜飞片以不同撞击角度(5.4°、11.7°)和不同撞击速度(5.55、5.12 km/s)撞击铝合金靶板的过程进行数值模拟,获得碎片云的形貌、靶板穿孔孔径等结果,与实验测量数据吻合良好,显示出OTM方法及ESCAAS软件可以作为超高速撞击的有力数值分析手段。 相似文献
996.
997.
998.
将非水基流延成型和真空烧结技术制备的YAG/Yb:YAG/YAG平面波导陶瓷作为激光放大器的增益介质,研究其激光放大特性。种子源为1030 nm保偏光纤激光器,放大器的抽运源为940 nm半导体激光器阵列,抽运光经过耦合后从端面进入平面波导。对比了前端抽运和后端抽运的放大性能,测试了双端抽运的激光放大输出性能。在双端抽运下,当注入种子光的功率为136 W时,获得了功率为1.41 kW的激光输出,斜率效率达到41%。这是已报道的该类陶瓷平面波导达到的较高功率激光输出。 相似文献
1000.
微小等离子体反应器的导出机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
An extraction mechanism based on micronozzle in the bottom of the microhollow cathode and applied bias electrical field is proposed, and digitally simulated with a two dimensional fluid model. When the operating gas is SF6 and its pressure is 2~9kPa, radius of the micronozzle is 0.25μm, maximum F atom flux density is between (1.53~5.62)×1014cm-3·s-1, maximum SF5+ flux density is between (2.46~7.83)×1016cm-3·s-1. When gas pressur is 5kPa,average energy of F atom at sample surface is 3.82eV, dispersion angle is −14º~14º; average energy of SF is 25eV, dispersion angle is −13º~14º. When applied voltage across hollow cathode and sample is between 10~50V (sample as cathode), average energy of SF is between 52~58eV. The density of F and SF in the simulation result could satisfy the requirement for silicon etching, and the feasibility of scanning plasma etching validated. 相似文献