开槽式六边形多频带高增益微带天线仿真

随着无线通信技术的发展,小型化、多频带微带贴片天线在无线通信中得到了广泛应用。文章设计了一种六边形多频带微带天线,采用同轴线馈电,在六边形贴片的每个顶点内侧进行120°的开槽。通过调整贴片开槽的几何形状和尺寸,能够有效地获得三种不同的谐振模式,可应用于L波段和C波段。用仿真软件CST对该种天线进行仿真及分析,其结果表明,在工作频段均满足增益G≥6 dbi,回波损耗S₁₁<-10 dB。该天线具有结构简单、体积小、增益良好的特点,适用于通信中WiFi频段。     

基于栏目状态进行播出调度的硬盘播出系统

根据硬盘播出系统在平度广播电视台的应用,探讨分析硬盘播出系统在实际使用时存在的问题和不足。为提高效率,保障新闻类节目的快速制作及准时播出,提出基于栏目状态进行调度的硬盘播出系统。新改进的系统充分发挥了硬盘播出系统的能力和潜力,既可帮客户有效节省设备资源,又可节省节目制作成本,同时也可大幅减少节目播出过程中的人工干预,减轻节目播出人员的值机压力,保障安全播出。     

一种频域脉冲最小均方误差杂波对消算法

针对“低慢小”探测雷达杂波多普勒主瓣淹没慢速弱目标问题,该文提出了频域脉冲LMS（FPLMS）算法来对消杂波。该算法利用杂波分量在脉间的平稳性,自适应地估计各距离单元杂波的复幅度来重构杂波,实现杂波对消。仿真结果表明：FPLMS算法能够有效对消杂波,消除杂波主瓣对目标检测的影响;且具有很窄的滤波器凹口,约为MTI滤波器的1/3,对速度大于1个速度分辨单元的目标几乎无信噪比损失,适用于“低慢小”探测雷达的杂波对消。     

镉（Ⅱ）－2－（2－苯并噻唑偶氮）－5－二甲氨基苯甲酸配合物的吸附伏安法研究及应用

镉（Ⅱ）－２－（２－苯并噻唑偶氮）－５－二甲氨基苯甲酸配合物的吸附伏安法研究及应用徐素君，施清照，张培敏，吴念慈（杭州大学化学系３１００２８）关键词：２－（２－苯并噻唑偶氮）－５－二甲氨基苯甲酸（ＢＴＡＭＢ），镉，吸附伏安法杂环偶氮试剂的极谱性质及其...     

铬(Ⅵ)-4-氨基安替吡啉配合物极谱波的研究

我们发现铬(Ⅵ)的显色剂-4-氨基安替吡啉与铬(Ⅵ)形成的配合物,在亚硝酸钠氨性底液中(pH～9),单扫描极谱仪上有一灵敏而又波形良好的配合物吸附催化波.检测下限为4×10~(-9)g/mL,铬(Ⅵ)浓度在6×10~(-9)～8×10~(-8)g/mL 范围内,峰高与浓度成正比.本文对该波的极谱性质作了初步探讨,对测定铬(Ⅵ)的最佳条件进行了讨论.利用该法我们测定了废水及茶叶中的微量铬,标准偏差0.15,变动系数7.1%,回收率96%.     

介体型乳酸脱氢酶生物传感器的研制及应用

本报道了能对丙酮酸产生良好响应的电流型乳酸脱氢酶生物传感器。该传感器以耐尔兰Ａ修饰浸石墨电极为基体电极，将酶直接固化在蚕丝蛋白膜上。在ＰＨ７．４的ＮａＨ２ＰＯ４－ＮａＯＨ介质中，当２．４×１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ的辅酶Ｉ（ＮＡＤＨ）存在下，该传感器的响应电流与丙酮酸浓度在３．２×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内有良好的线性关系。响应时间为６０ｓ．本讨论了影响传感器响应的各种因素，用此传感器测定了人血清中     

介体型乙醇生物传感器的研制及应用

本文报道了电流型乙醇生物传感器的研制与应用。该传感器以健合型耐尔蓝修饰浸蜡石墨电极为基体电极，将乙醇脱氢酶及ＮＡＤ＾＋固定在人造丝网上，成为一种无试剂的乙醇生物传感器。在ｐＨ８．８的Ｔｒｉｓ／ＨＣｌ介质中，该传感器的响应电流与乙醇浓度在０．１０－１．０ｍｍｏｌ／ｌ范围内有良好的线性关系。     

二茂铁配体参与的二乙基锌对亚胺的不对称加成反应

手性胺类化合物广泛应用于手性拆分,药物、天然产物和手性配体的合成[1];因此,此类物质的不对称合成方法学的研究已经引起了化学家们极大的兴趣.有机金属试剂与亚胺的不对称加成反应是合成手性胺类化合物最为有效的方法之一.手性配体催化的二烷基锌对醛的不对称加成反应已经取得了极大的成功,而与此形成鲜明对照的是有机金属化合物与亚胺的不对成加成反应的研究报道却还不多,尤其是催化量的反应体系[2].本文报导了一个新的催化体系--含有N,P配位原子二茂铁基配体*Cu(OTf)2*Et2Zn*亚胺,在6%的手性配体1[3]存在下,给出产物的ee值和化学产率分别高达96%和95%.     

在化工基础实验中实施探究式学习

在化工基础实验中引入探究式学习,不仅能够提高学生的学习积极性,而且有利于培养他们的创新能力和协作精神,使学生掌握科学研究的初步方法。     

PLD法生长Al2O3基ZnO薄膜的特性

在不同衬底温度下,用脉冲激光沉积法(PLD),在Al2O3(0001)平面上生长了ZnO薄膜。研究了衬底温度对其结晶质量、电学性质以及发光性质的影响。结果显示:XRD在2θ为34°处出现了唯一的ZnO(0002)衍射峰;ZnO薄膜的电阻率随衬底温度的升高而增大;在衬底温度为500℃时,出现了位于410nm附近的特殊的光致发光(PL)峰。