PCB加工对覆铜板CTI影响及机理分析

模拟PCB工厂加工高CTI覆铜板过程。从材料规格的选择到PCB加工的整体加工进行分析对板材CTI的影响。PCB从材料选择,材料的铜厚、CTI树脂层厚度均对板子的CTI产生影响;PCB加工的不同工序对CTI表层树脂层也会造成板子CTI的变化。     

噪声环境中的双声道音频回波抵消模型构建

为提升远端说话人员的分辨率,保证真实空间化听觉感受效果,构建一种噪声环境中的双声道音频回波抵消模型。该模型以子带自适应滤波器组为核心分解音频信号,使其形成若干个子频带信号;在子带域内计算噪声干扰阈值,依据阈值的计算结果并结合人耳听觉特性,叠加独立分布白噪声,实现各个子带的回波抵消。在此基础上,引入步长补偿因子和反馈控制理念改进最小均方算法,优化滤波器组参数,提升双声道音频回波抵消效果。测试结果表明：所设计模型可有效处理音频信号中的噪声信号,抵消后的音频信号信噪比均在3.5 dB以上,音频信号的振幅误差均在0.2 V以下,能够提升远端人员说话的分辨率,保证音频质量。     

一个双核锌配合物[Zn2(cttb)Cl4]·DMF的合成、结构和抗肿瘤活性

以顺,顺,顺,顺-环戊烷-1,2,3,4-四甲酸和邻苯二胺为原料,合成了顺,顺,顺,顺-2,2',2',2'-环戊烷四苯并咪唑(cttb)及其双核锌配合物[Zn_2(cttb)Cl_4]·DMF,通过元素分析、红外光谱、核磁共振氢谱和X-ray单晶衍射对其结构进行了表征。该配合物晶体属于三斜晶系,P-1空间群,每个中心Zn~(2+)离子分别与两个Cl~-离子和配体中的两个N原子配位,形成四配位的四面体几何构型。MTT测试表明,锌配合物及其配体对人食管癌细胞Eca109均有抑制作用,其半抑制浓度IC50值分别为33.34μM和34.54μM,小于阳性对照物顺铂的IC50值43.99μM。     

同步辐射X射线光刻计算机模拟研究

利用BeamPropagationMethod（BPM）方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应，并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分辨率的空间像光强分布。研究结果还表明北京同步辐射装置3BlA光刻束线的光刻分辨率可以达到0．1μm，而且这时金吸收体厚度为0．45μm就可以了，而不是通常认为的1．0μm。     

微波灰化分析在油品金属含量前处理中的应用

油品经过微波灰化仪和传统干式灰化法分别处理,运用等离子发射光谱仪进行金属含量测定,对比所得结果,同时优化了样品微波灰化条件.结果表明:与传统干式灰化法相比,方法的特点是快速氧化样品,无须炭化直接灰化,大大缩短了灰化时间,同时在灰化中减少了烟雾对环境的污染,过程简便、快速、结果准确,大大提高工作效率,达到了快速分析的要求.     

Band 40波段体声波滤波器的设计北大核心

射频(RF)滤波器在4G移动通信(如Band 40波段)中具有广泛应用。描述了基于薄膜体声波谐振器(FBAR)技术的RF滤波器的设计和制作方法。体声波滤波器是由FBAR以T型结构级联的方式实现的。在滤波器的设计过程中,为了使仿真结果更接近于实际情况,采用考虑电极和衬底间耦合效应的改进的Mason模型对FBAR进行性能仿真和优化。最后,在8英寸(1英寸=2.54 cm)CMOS工艺线上对此滤波器进行了流片。测试结果表明,Band 40波段的体声波滤波器具有低的通带插入损耗(小于3 dB)、高的带外抑制(大于40 dB)和快速滚降特性。     

深亚微米同步辐射x射线光刻技术

报道了我们制作深亚微米ｘ射线掩模的工艺和同步辐射ｘ射线曝光工艺，并报道了我们在北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）３Ｂ１Ａ光刻束线所获得的深亚微米ｘ射线光刻图形的实验结果。     

色彩与性格：彩色整体厨房面面观

厨房作为家庭生活的主战场，几乎每天“硝烟”不断，越来越多的家庭主妇都意识到要做好一顿美味可口的饭菜，需要有个愉快的心情作为前提，而愉快心情的基础就是有个良好的工作环境。每个人部有自己喜欢的颜色，以自己喜欢的颜色来打造厨房环境，自然在很大程度上让自己保持愉悦的心情，做起事情来也事半功倍。     

同步辐射X射线光刻实验研究

同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。     

中低分辨率CMOS闪烁型模数转换器的折中考虑与设计

对中低分辨率CMOS闪烁型模数转换器的四个主要模块的折中设计进行了研究.这些折中考虑包括基准电压的非理想因素、前置放大器的折中六边形思考、再生比较器的滞回作用、误差更正电路.在模块折中设计研究的基础上,CMOS闪烁型模数转换器可达到高性能和低功耗.根据这种设计考虑,采用TSMC 0.25 μm CMOS 单层多晶硅五层金属工艺实现了一个4 bit 65 MHz的高转换率的闪烁型模数转换器.