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用MOCVD生长发射波长为808nm的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒(MQB)层,有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外,从而降低了激光器的阈值电流,提高了它的特征温度。增加了MQB后,器件的阈值电流密度Ith从原来的400 ̄600A/cm^2下降到300 ̄400A/cm^2,特征温度从160K提高到210K。 相似文献
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