在NaGdF4：Tm3+, Dy3+中Gd3+间的能量迁移及Gd3+-Dy3+能量传递量子效率

基于量子剪裁基本原理,通过光谱技术研究NaGdF₄:Tm³⁺,Dy³⁺在一个真空紫外光子激发下获得两个蓝色光子的可能性。在这种化合物中,量子剪裁通过下转换,即通过应用不同镧系离子间的能量传递进行。通过对Tm 4f¹²-4f¹¹5d激发,部分能量从Tm³⁺离子5d态直接传递给Gd³⁺,然后在Gd³⁺-Tm³⁺之间发生交叉弛豫,剩余能量从Gd³⁺传递给Dy³⁺,产生两个可见光子发射,一个来自Tm³⁺的¹G₄-³H₆跃迁,另一个来自Dy³⁺的⁴F_9/2-⁶H_15/2跃迁。主要研究获得以NaGdF₄:Tm³⁺,Dy³⁺为基础的新型具有更高效率,更高稳定性和更强真空紫外(VUV)吸收量子剪裁发光粉的可能性。各种光谱技术,如光致发光、激发和衰减等被用来表征不同Dy³⁺浓度掺杂NaGdF₄中Gd³⁺晶格间能量迁移引起的施主Gd³⁺和受主Dy³⁺之间的能量传递。结果表明Gd³⁺离子之间存在能量迁移,随之交换相互作用引起施主与受主(Gd³⁺-Dy³⁺)之间的能量传递。通过Bursh-tein等人关于激发态的弛豫理论,施主-受主能量传递参数k_DS可以从Gd³⁺的⁶P_7/2发射的衰减计算出。Gd³⁺-Dy³⁺能量传递量子效率也可以得到。NaGdF₄:Tm³⁺和NaGdF₄:Tm³⁺,Dy³⁺是由水热法制备的,NaGdF₄:Dy³⁺是由文献[4]方法制备的。发射光谱和激发光谱通过自制的VUV光谱仪和F-4500测量。衰减曲线由OPO激光器激发获得Gd³⁺-Dy³⁺之间能量传递量子效率在受主浓度大约在N_A=0.6%时达到最佳值,并且明显地观测到浓度猝灭效应。     

ZnS∶Mn2+纳米晶钠硼硅玻璃复合体的EPR研究

用熔融法制备了ZnS∶Mn2+不同含量的钠硼硅玻璃. 发光和激发光谱测量发现Mn离子可能占据替位(Mn2+)sub和间隙(Mn2+)int两种格位. 进一步的电子顺磁共振(EPR)实验证实了这一判断,并从EPR谱确认了(Mn2+)sub,(Mn2+)int和Mn团3种格位态的存在. 观测到g因子和超精细结构(HFS)常数随纳米晶粒径的减小而增大. 这可能是由于量子限域效应下ZnS的sp3和Mn的3d5电子态杂化和表面态所引起的.     

共价键相联的卟啉—酞菁激发态性质——(Ⅰ)二元分子化合物光谱特性研究

本文系统研究了二元分子TTP—O—Pc和TTP—O—(CH_2)_5—O—Pc的吸收光谱,发射光谱和激发光谱,区分了两组发光谱带的来源, 证实了由TTP到Pc的能量转移,利用激光频域技术获得了电荷弛豫时闻分别是18.5和82ps。     

半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe中吸收光学非线性和双稳现象研究

室温下半磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe(x=0.01)具有较宽的带边吸收.采用泵浦-探测系统观测到随激发功率增加吸收边的蓝移.在激发波长(532—560nm)范围内都能得到光学双稳现象.双稳开关时间短到800ps.讨论了双稳性的来源.     

纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸ＣｄＳ半导体微晶的光致发光光谱，研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系．考虑ＣｄＳ微晶的ＬＯ声子的相互作用，拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线，获得样品的非均匀线宽．ＣｄＳ微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的．     

卟啉酞菁二元分子光谱及激发态弛豫的非简并四波混频研究

通过对卟啉酞菁二元分子TTPP-O-Pc和TTPP-O(CH_2)_5-O-Pc的发射光谱和激发光谱的系统研究,证实了(tetratolylphenyl porphyrin)TTPP到Pc的能量转移,区分了后一种材料中发射光谱的两组谱带的来源.利用非简并四波混频(NDFWM)方法研究了二元分子激发态弛豫过程,获得了这两种材料的激发态弛豫时间分别为3.6ps和4ps,以及电荷弛豫时间分别为18.5ps和82ps.