超薄全局应变硅薄膜的应变弛豫研究

采用Ge浓缩法制备了高质量超薄绝缘体上锗硅(SiGe-on-insulator,SGOI)材料,然后在SGOI上通过超高真空化学气象沉积(UHVCVD)法外延了厚度为15 nm的超薄全局应变硅单晶薄膜,使用电子束光刻和反应离子刻蚀在样品上制备了一组纳米级尺寸不等的应变硅线条和应变硅岛,并利用TEM、SEM、Raman等分析手段表征样品.实验结果表明,本文制备的应变硅由于其直接衬底超薄SiGe层的低缺陷密度和应力牵制作用,纳米图形化的应变Si弛豫度远小于文献报道的无Ge应变硅或者具有Ge组分渐变层SiGe衬底的应变Si材料.     

移动网管"三集中"改造方案

简要介绍我国移动网管的3级管理系统结构,着重论述如何以“集中监控、集中维护、集中管理”为核心的“三集中”运维模式,对现有的移动网管在网络结构、硬件设备、系统功能等方面进行改造,以提高对移动网络的维护效率。     

La_(0.67)Ba_(0.33)Mn_(1–x)Zn_xO_3的磁性和电输运性质北大核心CSCD

采用传统固相反应法制备了La0.67Ba0.33Mn1–x Znx O3(0≤x≤0.2)多晶样品,系统研究了Zn掺杂对于多晶样品的结构,磁性和电输运性质的影响.XRD衍射表明样品均具有单一的立方钙钛矿结构.在外加磁场(H=1000Oe)环境中测得的磁化强度温度(M^T)曲线表明,在5~350K的温区内所有样品均发生了顺磁相(PM)到铁磁相(FM)的转变.样品的居里温度(TC)和磁化强度随着Zn的掺杂量的增加呈现下降的趋势,当x=0.1时,样品的TC和磁化强度与未掺杂的样品相比下降的幅度不大.但是当x=0.2时,样品的TC和磁化强度都发生明显的下降.从零场(H=0T)和外加磁场(H=2T)下测得的电阻温度曲线可见,样品在测量的温区范围内均发生绝缘相到金属相的转变.随着掺杂量的增加绝缘-金属相转变温度(TIM)向低温区移动,但是样品的电阻逐渐增大.所有样品在TIM附近呈现均出现磁电阻(MR)峰,随着Zn的掺杂量的增加MR值由x=0时的-22%(T=314.5K)增加到x=0.2时的-73%(T=80K),且样品的磁电阻温区被明显拓宽.     

强激光加载下锡材料微喷颗粒与气体混合回收实验研究及颗粒度分析

冲击波在金属材料自由面卸载时,材料表面会形成微颗粒向外喷射,这是材料表面一种特殊的破坏形态.在内爆压缩和高压工程领域的相关物理过程中,微喷射颗粒是引起界面混合现象的重要来源,会直接影响后期的混合状态和压缩过程.而微颗粒的尺寸、形态、运动速度等是开展微喷混合过程理论和数值模拟研究的重要参数.由于实验中动态诊断的难度较大,目前已获取的微喷颗粒尺寸及分布数据十分有限.基于神光Ⅲ原型激光装置,本文设计并开展了强激光驱动冲击加载,锡材料微喷颗粒经过气体区混合后,低密度泡沫材料对微颗粒进行回收分析的实验研究.通过对微喷颗粒回收样品的X光电子计算机断层扫描分析和图像重建,获得了两个典型加载压强条件下与气体混合后微喷颗粒的三维图像,通过与真空实验条件下回收微喷颗粒图像的对比分析,对混合后的微喷颗粒分布形态有了初步的认识;测量统计了回收颗粒尺寸与数目,并通过分析,给出了微喷颗粒尺寸的双指数分布规律.     

一种集成运放输入级用高性能PJFET设计

通过使用肖克莱沟道近似理论和TCAD工具设计了一种可以应用于集成运放输入级的高压超浅结PJFET结构。采用Bi-FET兼容工艺,制作出了顶栅结深约0.1µm,栅漏电小于5pA,击穿电压大于80V,夹断电压在0.8～2.0V范围可调的PJFET。将该类器件及其兼容工艺用于某型号高输入阻抗JFET集成运放的设计与制造,获得了小于50PA的偏置电流,电压噪声小于50nV/Hz1/2,电流噪声小于0.05pA/Hz1/2。     

PJFET与双极兼容工艺技术研究

通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究,解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点,得到了IDSS＝150～350 μA(W/L = 10∶1)、VP = 0.8～1.2 V、IGSS = 10-12～10-11A的高性能PJFET和β=100～250、BVCEO ≥ 36 V、Va ≥ 100 V 的NPN管.采用该技术,成功研制出一种偏置电流小于100 pA的高精密双极结型场效应晶体管(BJFET)集成运算放大器,获得了良好的效果.     

电荷耦合器件图像传感器在微光成像系统中的应用

本文在对电荷耦合器件图像传感器的原理特性进行分析的基础上，阐述了电荷耦合器件图像传感器在微光成像系统中的应用，重点讨论了使电荷耦合器件具有微光特性所采取的几种方式，并指出了应用当中应该注意的几个问题及解决的途径。     

固相反应法制备微/纳米复合相变储能材料及其测试表征

采用低热固相化学反应法制备了表面包覆SiO2的不同硬脂酸含量的复合相变储能微纳米材料.XRD分析表明所制备的相变材料均呈晶相结构,红外图谱显示复合材料包覆层SiO2与相变主体材料硬脂酸C18H36O2(SA)存在键合作用,扫描电镜图片说明所合成复合材料呈较均匀颗粒状,而差热分析则表明所制得复合相变材料的相变温度分别为66.4、64.9 ℃,相变焓分别为148.97、111.54 J/g,具有良好的蓄热能力,可用于太阳能利用等方面的储能蓄热.     

DAM 10kW 中波广播发射机射频与音频系统电路分析

DAM 10kW中波广播发射机采用数字调制技术,具有优异的动态响应和声电技术指标,本文对其射频功率系统和数字音频系统的工作原理进行了细致的分析。