FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究

用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.     

EM-5009B激光图形发生器光栏的修正方法

激光图形发生器是半导体掩膜制版的主要设备之一,它具有精度高、结构复杂、操作简单和生产效率高等特点,但是,其光栏精度对加工的版图精度有很大的影响.文章根据光栏的结构原理和实际应用,详细阐述了EM-5009B激光图形发生器光栏的修正方法.     

串行图形打印机汉字打印驱动程序开发

文中以Ａ９Ｍ０３０３Ｐ、Ａ９Ｍ０３１０Ｚ两种串行图形打印机为例，介绍了在ＩＢＭ ＰＣ微机的ＣＣ－ＤＯＷＶ４．０操作系统上该类串行图形打印机汉字打印驱动程序的结构、功能和设计思想，为各种串行图形打印机的用户提出了一种较简易的串行图形打印机汉字打印驱动程度程序的研制方法。     

具非负Ricci曲率和次大体积增长的流形

设M是具非负Ricci曲率的n维黎曼流形,其截曲率有下界,对M中的任意的点p有vol[B(p,r)]/rn-1=αM+o(1/rn-1)且假设函数f(r)=vol[B(p,r)]/2In(r)rn-1是单调递减的,则M具有限拓扑型,其中In(r)是一有界函数.     

具非负Ricci曲率和强有界几何条件的流形

设M是具非负Ricci曲率的n维完备非紧黎曼流形,若M具次大体积增长vol{B(p,r)1≥βM*, p ∈M, r≥1和满足强有界几何条件,则M具有限拓扑型.     

Be~9(d,p),(d,t),(d,a)反应研究

本文在E_d=0.1—2.5MeV能量范围内,研究了Be~9(d,p_0)Be~(10)(0),Be~9(d,p_1)Be~(10)(3.368MeV),Be~9(d,t_0)Be~8(0),Be~9(d,α_0)Li~7(0)及Be~9(d,α_1)Li~7(0.478MeV)诸反应。在E_d=0.150,0.220,0.401,0.706,1.005,1.301,1.484,1.750,2.000,2.250和2.500MeV共十一个能量上分别测量了这五群出射粒子在θ_L=10—155°区间的角分布。在θ_L=135°,E_d=0.1—2.5MeV,在θ_L=95°,E_d=0.1—2.2MeV,和在θ_L=112.5°,E_d=0.5—2.5MeV测量了Be~9(d,p_0)Be~(10)的激发函数。在θ_L=135°和112.5°,E_d=1.2MeV,用较厚靶(100—300μg/cm~2)测量了Be~9(d,p_0)Be~(10)(0)反应的截面绝对值,结果为σ_p_0(θ_L=135°)=1.60mb/sr,σ_p_0(θ_L=112.5°)=1.55mb/sr。这样就得到了在此能区内,这五群出射粒子的截面情况。对所得结果进行了一些讨论。     

强CO_2激光照射靶面的现象

在强激光对靶材的作用中,以连续及脉冲CO_2激光为主光源,首先研究了发生于靶前区的现象,用高速干涉摄影术来诊断,判别出连续激光引起烧坑形成的时间及蒸汽羽喷向的扭转过程,并观察了脉冲激光引起等离子体的发展、空气击穿及产生冲击波运动和蒸汽羽等非自发光现象,使用了脉冲He-Ne激光高速干涉摄影装置。     

反相液相色谱中溶质保留与溶剂化结构参数间的定量关系

本文研究了等度条件下反相液相色谱中溶质保留与溶剂化结构参数间的定量关系;考察了反相液相色谱保留值变化规律式lnk'=a+cC~b中参数a.c 与溶剂化结构参数间的定量关系,结果表明能较好地预测等度和不同冲洗剂组成下溶质的保留值,将乙腈-水和甲醇-水冲洗剂下的a.c值定量关联,表明在考虑溶质的氢键作用参数后,其相关性有所提高.     

大功率二极管在脉冲成形网络（PFN）中的应用

本文较为系统地对二极管在ＰＦＮ中的典型接法进行了理论分析和实验研究，为二极管作Ｃｒｏｗｂａｒ开关和串联反向电流抑制器件应用提供了选择接法和二极管的依据。     

强脉冲CO_2激光与靶材在空气中的相互作用

用高速干涉摄影诊断手段对激光作用在固体靶材上的表面效应,冲击波的传播、反射及绕射机制进行了实验观察,拍摄了各种现象的干涉及阴影照片,并进行了简要的分析。