拟线性退化抛物方程Cauchy问题的解

对来自金融数学领域的方程_xxu+u_yu-_tu=c（x,y,t,u）,（x,y,t）∈Q_T=R²×[0,T)的Cauchy问题,给出了一种新的熵解的定义,得到了其适定性结果.可以证明所得到的解还是强解,即方程中所出现的各阶偏导数几乎处处连续.最后讨论了解的爆破性质以及与解的间断点相关的几何性质.     

移动网管"三集中"改造方案

简要介绍我国移动网管的3级管理系统结构,着重论述如何以“集中监控、集中维护、集中管理”为核心的“三集中”运维模式,对现有的移动网管在网络结构、硬件设备、系统功能等方面进行改造,以提高对移动网络的维护效率。     

强激光加载下锡材料微喷颗粒与气体混合回收实验研究及颗粒度分析

冲击波在金属材料自由面卸载时,材料表面会形成微颗粒向外喷射,这是材料表面一种特殊的破坏形态.在内爆压缩和高压工程领域的相关物理过程中,微喷射颗粒是引起界面混合现象的重要来源,会直接影响后期的混合状态和压缩过程.而微颗粒的尺寸、形态、运动速度等是开展微喷混合过程理论和数值模拟研究的重要参数.由于实验中动态诊断的难度较大,目前已获取的微喷颗粒尺寸及分布数据十分有限.基于神光Ⅲ原型激光装置,本文设计并开展了强激光驱动冲击加载,锡材料微喷颗粒经过气体区混合后,低密度泡沫材料对微颗粒进行回收分析的实验研究.通过对微喷颗粒回收样品的X光电子计算机断层扫描分析和图像重建,获得了两个典型加载压强条件下与气体混合后微喷颗粒的三维图像,通过与真空实验条件下回收微喷颗粒图像的对比分析,对混合后的微喷颗粒分布形态有了初步的认识;测量统计了回收颗粒尺寸与数目,并通过分析,给出了微喷颗粒尺寸的双指数分布规律.     

一种识别雷达用半集总参数LTCC双工器

介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺研制而成的小型化半集总高隔离度双工器.该双工器由L波段集总参数低通滤波器和X波段阶跃阻抗( SIR)分布参数带通滤波器组成.通过电磁仿真软件的仿真优化,实际加工滤波器的测试结果与软件仿真结果吻合.其中低通滤波器1dB截止频率为1.46GHz,带通滤波器中心频率为8.3GHz,1dB带宽为0.6GHz,通带内插损小于3.5dB,X波段端口对L波段端口隔离度大于60dB.该小型化LTCC双工器已成功应用于某毫米波战场识别系统的T/R组件中.     

一种集成运放输入级用高性能PJFET设计

通过使用肖克莱沟道近似理论和TCAD工具设计了一种可以应用于集成运放输入级的高压超浅结PJFET结构。采用Bi-FET兼容工艺,制作出了顶栅结深约0.1µm,栅漏电小于5pA,击穿电压大于80V,夹断电压在0.8～2.0V范围可调的PJFET。将该类器件及其兼容工艺用于某型号高输入阻抗JFET集成运放的设计与制造,获得了小于50PA的偏置电流,电压噪声小于50nV/Hz1/2,电流噪声小于0.05pA/Hz1/2。     

PJFET与双极兼容工艺技术研究

通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究,解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点,得到了IDSS＝150～350 μA(W/L = 10∶1)、VP = 0.8～1.2 V、IGSS = 10-12～10-11A的高性能PJFET和β=100～250、BVCEO ≥ 36 V、Va ≥ 100 V 的NPN管.采用该技术,成功研制出一种偏置电流小于100 pA的高精密双极结型场效应晶体管(BJFET)集成运算放大器,获得了良好的效果.     

电荷耦合器件图像传感器在微光成像系统中的应用

本文在对电荷耦合器件图像传感器的原理特性进行分析的基础上，阐述了电荷耦合器件图像传感器在微光成像系统中的应用，重点讨论了使电荷耦合器件具有微光特性所采取的几种方式，并指出了应用当中应该注意的几个问题及解决的途径。     

一种简单的高温超导连续通带双工器设计

在双抛LaAlO3衬底上外延生长的钇系高温超导薄膜YBCO的基片上,设计并制作一个四级高温超导连续通带双工器（工作频率3.0～3.5GHz和3.5～4.0GHz）,与常规金属材料的双工器相比,体积减少3/4,插损减少2dB。在液氮温区77K时,测试结果为：通带内插损小于0.8dB,通带间带外抑制大于30dB通带中心频率。为近一步研制高温超导多工器提供了很好的借鉴,对将来高温超导信道化接收机系统的研究和设计具有重要的意义。     

宽阻带平面低通滤波器的设计

低通滤波器是通信系统中关键的器件之一,常作为选频器件用来抑制干扰信号和谐波信号,因此低通滤波器阻带带宽成为关键指标.常见的平面低通滤波器采用短截线(分支线)或高低阻抗线结构,这些结构的低通滤波器阻带不够宽,一般在截止频率的2倍频或3倍频处出现寄生通带.本文使用等效的T形节替代低通滤波器中的串联传输线的方式实现了带阻滤波器嵌入到低通滤波器内部,既对低通滤波器的阻带上任意频段出现的寄生通带进行了抑制,又不影响低通滤波器的通带内性能,并给出等效T形节的综合设计公式.此结构综合设计方法严谨简单、易于平面电路实现,制作出来改进的低通滤波器对3倍频寄生通带进行抑制,扩宽了阻带带宽到4个倍频程以上,测试结果:通带带宽0~3GHz,通带插入损耗小于0.5dB,带外抑制3.6~12GHz大于60dB.     

固相反应法制备微/纳米复合相变储能材料及其测试表征

采用低热固相化学反应法制备了表面包覆SiO2的不同硬脂酸含量的复合相变储能微纳米材料.XRD分析表明所制备的相变材料均呈晶相结构,红外图谱显示复合材料包覆层SiO2与相变主体材料硬脂酸C18H36O2(SA)存在键合作用,扫描电镜图片说明所合成复合材料呈较均匀颗粒状,而差热分析则表明所制得复合相变材料的相变温度分别为66.4、64.9 ℃,相变焓分别为148.97、111.54 J/g,具有良好的蓄热能力,可用于太阳能利用等方面的储能蓄热.