新型四酰胺基铝酞菁的制备及其在体光动力抗癌活性研究

为寻求在红光区具有良好光动力治疗（PDT）抗癌活性的新型四取代铝酞菁光敏剂，以4-硝基邻苯二甲酸为原料，用苯酐尿素法合成了四氨基铝酞菁（TAAIPc）、四乙酰胺基铝酞菁（TAcAAIPc）、四丙酰胺基铝酞菁（TPrAAIPc）和四丁酰胺基铝酞菁（TBuAAIPc）。表征了所得产物的结构，测试了其荧光光谱和急性毒性；并在输出波长532nm下测定了其光动力抗癌活性。结果表明，所得的酰胺基取代系列铝酞菁对小鼠无明显毒性。当注射剂量为20mg／kg时，上述四种铝酞菁光敏剂对小鼠S180实体瘤的抑瘤率分别为44．96％，45．87％．45．62％和48．65％，差别不明显。加大剂量至40mg／kg时，抑瘤率依次为39．16％，42．81％，40．56％和51．82％。在此剂量下，四丁酰胺基铝酞菁表现出较高的光动力治疗抗癌活性。     

8-羟基喹啉铝光电性质的Ab initio和DFT研究

利用abinitioHF和密度泛函理论B3LYP等方法,对金属有机配合物8-羟基喹啉铝(AlQ₃)进行几何结构优化,探索分子内部电子跃迁的机理.结果表明,电子从基态跃迁到低激发态时主要为π-π^*跃迁;电荷从含氧的苯酚环转移至含氮的吡啶环上,包括两环之间C→C转移和O→N转移,与金属离子关系不大.考虑到配体对发光性质的贡献,进一步设计了3种AlQ₃的衍生物.     

Ca@C72的结构、电子光谱及非线性光学性质的理论研究

用密度泛函(DFT)方法(BLYP／3—21G^*)研究了Ca@C72的三种异构体．用ZINDO方法对Ca@C72的电子光谱进行了计算,Ca@C72在1200—1400nm范围内的光谱吸收是由HOMO→LUMO的跃迁引起的．其最强吸收在230nm左右,与实验值吻合较好．同时计算了三种构型的二阶、三阶非线性光学系数,并与C72和Ca@C74进行了比较,预测Ca@C72是较好的非线性光学材料．     

β-Ga2O3晶体金刚石线锯切割的表面质量研究

本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga₂O₃单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga₂O₃单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001)面β-Ga₂O₃单晶切割片表面质量的影响,并采用SEM和SJ-210粗糙度测试仪探究了工艺参数对金刚石线锯切割后的晶片表面质量的影响。实验结果表明,增大锯丝速度或减小材料进给速度都能降低亚表面损伤层深度及表面粗糙度,有效改善晶片表面质量。     

HVPE法生长AlN薄膜材料

利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,但由于生长温度低,AlN生长均为岛状生长模式。在生长速率较快时,AlN薄膜是以〈0001〉AlN为主的AlN多晶;而在较低生长速率下,得到的AlN薄膜由为〈0001〉取向的AlN岛组成。试验还发现:用Ar作载气更有利于AlN晶核的横向生长,用N2作载气则有相对高得多的AlN成核密度。     

DAST 源粉表征与晶体制备

通过X 射线粉末衍射、核磁共振波谱法对制得的DAST 源粉进行表征，确证其分子结构并计算出源粉纯度为 99.7 %。然后使用该DAST 源粉配制其甲醇溶液，并利用溶液降温法通过自发成核过程培养出尺寸为(2~3) mm×(2~3) mm×(0.3~0.5) mm 的DAST 晶体。     

AlN单晶生长热场稳定性模拟

借助多物理场耦合软件模拟了物理气相传输法AlN单晶生长系统中的热场分布.探讨了生长不同厚度晶体的系统内部热场分布,并与实际生长不同厚度晶体的表面形貌进行比对.模拟结果表明,随着晶体厚度的增大,生长系统内部的轴向温度梯度出现不同程度的降低.晶体表面的径向温度曲线逐渐变为微凸界面,这与实际单晶厚度增大时表面形貌的变化趋势基本一致.另外模拟了多晶AlN源的升华收缩对热场分布稳定性的影响.结果表明,多晶AlN源收缩导致系统稳定性下降.通过分析不同电流下的热场分布结果,提出改善系统稳定性的措施.     

大尺寸β-Ga2O3晶片的机械剥离及性能北大核心

针对β—Ga2O3单晶易解理的特性,研究了晶体形状对其（100）主解理面的机械剥离影响。结果表明,棱角较为平缓的体单晶机械剥离时容易出现碎裂,而棱角尖锐的体单晶极易实现机械剥离,并且成功剥离出尺寸大于30mm×10mm的β-Ga2O3单晶片。测试了剥离的β-Ga2O3单晶片微观形貌、表面粗糙度、晶体质量以及位错。结果显示,剥离的β-Ga2O3单晶片具有高的表面质量;原子力显微镜（AFM）测试表明,晶片整体表面粗糙度小于1nm,存在0．5～1nm厚的原子台阶;晶片X射线衍射（XRD）摇摆曲线测试显示,其半高宽（FWHM）值低至50arc-sec,表明晶体具有较高的质量;对晶片进行位错腐蚀,结果显示制备的β-Ga2O3晶片具有较低的位错密度,约为6×10^4cm^-2。     

DAST源粉表征与晶体制备

通过X射线粉末衍射、核磁共振波谱法对制得的DAST源粉进行表征,确证其分子结构并计算出源粉纯度为99.7%。然后使用该DAST源粉配制其甲醇溶液,并利用溶液降温法通过自发成核过程培养出尺寸为(2~3)mm×(2~3)mm×(0.3~0.5)mm的DAST晶体。     

七甲川花菁染料的研究进展

近红外七甲川花菁染料作为功能染料不断得到广泛应用。本文主要对七甲川花菁染料的结构、合成及其应用进行了综述。参考文献23篇。