原子层沉积超薄氮化铝薄膜的椭圆偏振光谱法表征

采用原子层沉积(ALD)工艺在硅衬底上生长了35 nm以下不同厚度的超薄氮化铝(AlN)晶态薄膜。利用椭圆偏振光谱法在波长275~900 nm内测量并拟合薄膜的厚度及折射率和消光系数等光学参数。利用原子力显微镜(AFM)表征AlN晶粒尺寸随生长循环次数的变化,计算得到薄膜表面粗糙度并用于辅助椭偏模型拟合。针对ALD工艺特点建立合适的椭偏模型,可获得AlN超薄膜的生长速率为0.0535 nm/cycle,AlN超薄膜的折射率随着生长循环次数的增加而增大,并逐渐趋于稳定,薄膜厚度为6.88 nm时,其折射率为1.6535,薄膜厚度为33.01 nm时,其折射率为1.8731。该模型为超薄介质薄膜提供了稳定、可靠的椭圆偏振光谱法表征。     

基于硅结构的微流体控制系统

基于硅结构的微流体控制系统（μFCS）是微机电系统（MEMS）中的一个重要分支 ，可广泛用于生物、医学、化工、电子等领域。主要综述了微流体控制系统中的微流体传感器、微型泵、微型阀的工作结构原理及其国内外研究现状，同时还探讨了集成微流体控制系统的研究现状。     

重掺砷衬底外延工艺研究

在重掺砷（As）衬底上生长外延层一直是外延工艺难点。外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制。在确保外延层晶格结构完整、表面质量完美的前提下,适当增加外延生长速率、降低外延生长温度可减小自掺杂与固态外扩散的影响。结合多晶硅背封法、二步外延法等对工艺过程进行优化,可有效抑制自掺杂现象从而提高外延片的质量。     

石英玻璃刻蚀浅锥孔阵列的工艺研究

介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻璃的刻蚀性能、表面轮廓、蚀刻速率和侧壁倾角的影响。结果表明:刻蚀气体种类对石英浅锥孔阵列刻蚀效果有显著影响,CF₄和Ar的组合气体所刻蚀的石英锥孔阵列的效果最佳,随着CF₄气体流量比的增加,石英刻蚀倾角先降低后又小幅增加,当刻蚀气体(CF₄∶Ar)流量比在5∶3时,石英刻蚀速率为0.154μm/min,光刻胶刻蚀速率为0.12μm/min,得到的石英浅锥孔倾角最倾斜。在其他刻蚀参数一定的情况下,ICP功率由600W升高至800W,石英刻蚀速率大幅降低,聚合物的沉积成为刻蚀工艺的主导;刻蚀石英的粗糙度R_q随着ICP功率的降低明显增加;RF功率升高时刻蚀石英的速率增加,R_q值增加后又降低,当RF功率升高至200W时,光刻胶发生碳化现象。可为石英玻璃微器件的制备提供工艺参考。     

等离子体增强原子层沉积制备压电AlN薄膜

采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术在单晶硅衬底上成功制备了具有(002)晶面择优取向的氮化铝(AlN)晶态薄膜,为设计新型压电功能器件提供了思路.利用椭圆偏振光谱仪(SE)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)对.样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析.结果 表明,在250℃沉积温度下,以N2H2和Ar的混合气体的等离子体作为共反应物,在相同工艺条件下仅增加前驱体三甲基铝(TMA)脉冲注入之后的氮气吹扫时间(tp1),制备的AlN薄膜的(002)晶面择优取向趋于显著,说明tp1的增加可以促进Al和N原子的有序排列,并促进(002)晶面择优取向形成.实验中,tp1为30 s且循环次数为1150时,PEALD制备的AlN薄膜表面平整光滑,均方根表面粗糙度为0.885 nm,(002)晶面衍射峰最明显,薄膜中氧原子数分数为11.04％,氧原子在AlN薄膜中形成氧缺陷并形成一种稳定的基于八面体配位铝的新型氧缺陷相,XPS结果证明了N-O-Al键的形成.     

SONOS非挥发性存储器件的研究进展

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2 bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景.     

SU-8光刻胶去胶工艺研究

SU-8光刻胶因具有良好的机械耐久性、聚合物水密性、介电性能、生物兼容性和抗化学腐蚀性而被广泛用于MEMS器件、生物医学和芯片封装等领域。现有制作工艺中,在不损伤器件的同时完全去除和剥离SU-8光刻胶仍是一个难题。文章研究了一种基于O₂/CF₄等离子刻蚀配合湿法刻蚀的去除方法,实现了SU-8光刻胶在硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属等材料上的有效去除。     

基于Low K介质QFN 55nm铜线键合ILD断层的分析

主要介绍了低介电常数介质芯片层间介质层的分类,特别是对铜线键合过程中低介电常数介质层间介质断层方面的分析,以及铜线键合过程中如何优化工艺。在工艺优化过程中主要采用了键合参数的优化来改善芯片本身存在的设计缺陷,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化,通过大量实验设计,获得了尽可能少的层间介质断层缺陷。     

利用等离子体表面预处理改善光掩模IP胶显影工艺特性

IP胶亲水性较差,在显影时易造成显影不完全。介绍了一种在显影前适当增加等离子体表面预处理,以提高IP胶表面微粗糙度,进而改善IP胶显影特性的方法。研究表明,这种方法可有效地提高IP胶的亲水性和显影均匀性,其中静态接触角可从原来的77°降至45°,而IP胶的厚度损失仅为3 nm~5 nm;同时,还可有效降低由于胶表面的颗粒污染所造成的铬金属点缺陷数量,即从原来的4颗/块降至0.53颗/块。除此之外,这种方法还非常有助于提高具有密集图形和带孔掩模版的图形分辨率和成品率,其中成品损失率可从原来的14%降至处理后的2%。     

化学镍金基板焊点的失效分析

硅麦克风在消费类电子产品中成功应用,近年来得到了迅猛发展。硅麦克风的封装工艺由于MEMS的特殊结构和封装材料的特殊性,与常见IC封装有许多不同点。其中引线键合工序由于所使用的PCB基板材料特殊的加工工艺,使得引线在PCB基板上的焊点失效成为研究硅麦克风封装成品率和可靠性的一个重要课题。文章重点探讨了硅麦克风封装过程中引线键合工序焊点失效问题,通过不同金线键合方式和金线键合参数的分析,确立了适合于硅麦克风封装的金线键合工艺。