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本文探讨了PMN系多层陶瓷电容器的振动三层镀工艺。分析了工艺参数对MLC电性能的影响,表明振动电镀对MLC的电容量影响不明显,而使MLC绝缘电阻降低,介质损耗增大;和镀Sn相比,镀Ni过程对MLC的性能影响较大。 相似文献
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183.
类镍Hf^44+,Ta^45+,W^46+,Re^47+,Pt^50+,Au^51+能级结构… 总被引:3,自引:3,他引:0
本文用多组态Dirac-Fock(MCDF)法计算了类镍Hf^44+、Ta^45+、W^46+、Re^47+、Pt^50+、Au^51+能级的精细结构和n=3-4偶极跃迁辐射的振子强度,得到了和实验符合得相当好的结果(对有实验数据的跃迁波长而言),并对组态的选取、核模型和、Breit修正和QED效应作了讨论,指出对于本文研究体系,QED效应对跃迁的贡献可以忽略。 相似文献
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186.
本文应用加Briet与QED修正的相对论多组态方法对Cu的类F、类Ne和类Na离子的精细结构能级和跃迁参数进行了计算,获得的数据和文献值符合很好。对相对论多组态方法中的相关效应做了分析与讨论,以高剥离度Cu离子为例,总结出判断非动力学相关与动力学相关效应大小的一些规则。 相似文献
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2005年仍将是中国半导体产业高速发展期!根据IC Insight分析,中国市场的芯片需求2004年达到270亿美元,2008年预计达到620亿美元。而诸多新晶圆代工厂的兴建,预示着日渐发展的中国市场对集成电路的更高需求,以及对各种新设备不断增长的资本投资。中国计划在未来几年内投入170多亿美元以新建20个新的晶圆代工厂必然引发对半导体设各、材料的大量需求,“SEMICON China 2005”无疑是一个联系供应商和采购商的平台。“SEMICON China”是目前中国半导体行业虽大的专业展览之一。此次“SEMICON China 2005”一大亮点是将传统的半导体设备与材料类企业展览拓展至制造服务与设计服务类企业。亦将对整个半导体产业的发展带来极其有益的推动。为了展示此次盛会的风采,作为“SEMICON China 2005”宣传合作媒体,《半导体行业》杂志特别地推出“SEMICON China 2005”特刊。深信参加“SEMICON China 2005”。会让我们的企业在中国IC界赢得商机,占领市场。让我们共赴一年一度的盛会。让我们相逢在“SEMICON China 2005”春意盎然的三月! 相似文献
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190.