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31.
基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响
张万荣
李志国
孙英华
程尧海
陈建新
沈光地
《微电子学》
2000,(1)
由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性,特别是在低温下更为严重
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