Molecular dynamics of MgSiO3 perovskite melting

The melting curve of MgSiO分子动力学 MgSiO3钙钛矿 熔化温度 高压melting temperature, molecular dynamics, high pressureProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 10274055 and 10376021),the Natural Science Foundation of Gansu Province, China (Grant No 3ZS051-A25-027) and the Scientific Research Foundation of Education Bureau of Gansu Province, China (Grant No 0410-01).2005-01-125/8/2005 12:00:00 AMThe melting curve of MgSiO3 perovskite is simulated using molecular dynamics simulations method at high pressure. It is shown that the simulated equation of state of MgSiO3 perovskite is very successful in reproducing accurately the experimental data. The pressure dependence of the simulated melting temperature of MgSiO3 perovskite reproduces the stability of the orthorhombic perovskite phase up to high pressure of 130GPa at ambient temperature, consistent with the theoretical data of the other calculations. It is shown that its transformation to the cubic phase and melting at high pressure and high temperature are in agreement with recent experiments.     

First-principles study of Ar adsorptions on the （111） surfaces of Pd, Pt, Cu, and Rh

In the present paper we give a detailed report on the results of our first-principles investigations of Ar adsorptions at the four high symmetry sites on M （111） （M =Pd, Pt, Cu, and Rh） surfaces. Our studies indicate that the most stable adsorption sites of Ar on Pd （111） and Pt （111） surfaces are found to be the fcc-hollow sites. However, for Ar adsorptions on Cu （111） and Rh （111） surfaces, the most favorable site is the on-top site. The density of states （DOS） is analyzed for Ar adsorption on M （111） surfaces, and it is concluded that the adsorption behavior is dominated by the interaction between 3s, 3p orbits of Ar atoms and the d orbit of the base metal atoms.     

硝基甲苯类炸药C-NO2键中点的静电势

利用HONDO程序包,采用从头计算法对硝基甲苯类炸药的分子结构及其C-NO2键中点的静电势进行了计算,讨论了硝基甲苯类炸药C-NO2键中点的静电势最大值Vmidmax与其实验撞击感度之间的关系.研究表明:对于硝基甲苯类炸药,可用其分子C-NO2键中点的静电势最大值Vmidmax来确定其撞击感度的变化趋势.以静电势为判据,讨论了硝基和甲基数目以及硝基和甲基的相对位置对这类炸药撞击感度的影响.     

Dy对Pt－Dy／Al_2O_3催化剂表面吸附中心性质及其催化性能的影响

通过脉冲微型反应催化色谱装置，考察了正己烷在Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３和Ｐｔ－Ｄｙ／Ａｌ２Ｏ３催化剂上的转化反应；用ＴＰＤ、ＴＰＲ和ＨＯＴ技术研究了Ｐｔ－Ｄｙ／Ａｌ２Ｏ３催化剂的表面性质．结果表明，Ｄｙ和Ｐｔ之间存在相互作用，并发生电子效应和几何效应，但Ｄｙ的掺入未改变Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３催化剂表面固有的吸附中心性质     

原子法拉第效应器件稳频与鉴频测速的多普勒激光雷达

利用FADOF透射频谱曲线稳定而又可调谐的特点,设计了一种测速多普勒激光雷达,一方面用其对发射激光稳频,同时用同种原子的FADOF对回波光鉴频,使发射激光频率和鉴频曲线建立了相对稳定的关系,可有利于提高测速精度。试验系统采用Cs原子FADOF,在-40~+40m/s的测速范围内,测速误差为±0.74m/s。     

高能重离子碰撞中的末态分布与夸克物质信号

本文结合液体动力学模型与状态方程,分析讨论了高能重离子碰撞过程中是否发生相变以及相变的级次对末态分布的影响.由于集体效应随入射能量和核质量的增加而加强,预计对于RHIC(每对核子能量S=100+100GeV)上进行的¹⁹⁷Au-¹⁹⁷Au碰撞,快度分布有可能作为夸克物质形成的信号.     

二氧化硅分子配分函数的研究

在低温20K到高温6000K温度范围内,计算了¹⁶O²⁸Si¹⁶O分子稳定结构的的总配分函数.其中,转动配分函数考虑了离心扭曲修正,振动配分函数采用谐振子近似.把20—6000K的温度范围划分为五区间段,计算的总配分函数在这五个温度区间分别被拟合到一个温度T的四阶多项式,从而在每个区间均得到五个拟合系数.由这些拟合系数就可以快速、准确地获得分子在所研究温度范围内任意温度的总的配分函数. 关键词： 总配分函数 二氧化硅分子 转动配分函数 振动配分函数     

物料混合问题的一种改进辨识方法——加权最小二乘法

改进文（１）提出的物料混合参数辨识算法，使其适用于时变参数的实时辨识，提出对时变参数的动态跟踪速度。给出计算实例，并与文（１）方法的计算结果进行比较。     

结构型多尺度超材料吸波体的设计与研究

文中提出了一种结构型多尺度超材料吸波体。微观层面,该吸波体的结构单元采用微米级羰基铁粉 (CIPs)和多壁碳纳米管(MWCNTs),二者可有效提升吸波体的介电损耗及磁损耗特性;宏观层面,吸波体结构单元 顶部为平台型结构,可提升吸波体对电磁波的阻抗匹配特性。仿真结果表明,该超材料吸波体的反射损耗最小值为 -18. 15 dB,吸收率峰值可达0. 98,吸收率超过0. 9 的频带宽度为5. 5 GHz。通过CIPs、MWCNTs 以及吸波体宏观结 构的协同作用,该吸波体可实现高效宽带吸收特性。     

CH3O和CO在Pd(111)表面偶联反应机理的理论研究

采用DMol³程序包中的GGA-PW91方法, 结合周期平板模型, 对CH₃O和CO在Pd(111)表面的反应进行了系统研究. 计算结果表明, 吸附在Pd(111)表面顶位上的CO分子中C原子所带正电荷最多, 容易与亲核试剂反应, 化学吸附能稍低, 有利于在表面上移动发生亲电插入反应; CH₃O 在Pd(111)表面fcc穴位吸附稳定, O原子上所带的负电荷较多, 易被亲电试剂进攻. 过渡态搜索表明, Pd(111)表面顶位上的CO与fcc穴位上CH₃O反应生成CH₃OOC的为放热反应, 反应能垒较低, 有利于偶联反应的进行.