用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究

基于ONO（Oxide-Nitride-Oxide）和MTM（Metal-to—Metal）反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势,更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM反熔丝单元,对单元的击穿特性和漏电性能展开研究,给出了反熔丝单元漏电流与单元尺寸的关系,对单元的编程电流和编程后的电阻值关系进行了研究,与文献[1]给出的Ron=Vf/Ip的关系基本一致。     

新型显示技术产业发展研究

新型显示技术是数字化时代的一大重点发展技术.阐述新型显示技术产业发展现状,重点介绍有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)、微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode,Micro LED)、激光显示以及电子纸4...     

The influence of dichroic beam splitter on the airborne multiband co-aperture optical system

The multiband co-aperture optical system with compact structure can achieve full and effective integration of multi- source intelligence information, which is one of the development direction of the optical system. Dichroic beam splitter is a vital optical component to make several systems with different bands share one aperture. The effect of the dichroic beam splitter on the multiband co-aperture optical system is analyzed by matrix optics method and primary aberration theory. The results indicate that the reflection angle of the dichroic beam splitter as a reflector changes imaging direction, and the wedge angle of the dichroic beam splitter as a transmission component increases some aberrations.     

用于纯方位跟踪的简化粒子滤波算法及其硬件实现

针对粒子滤波运算量大,硬件复杂性高的问题,该文提出了一种用于纯方位跟踪的简化粒子滤波算法,该算法引入了一种新的基于阈值的重采样方法,降低了硬件实现的复杂度。在算法研究的基础上,论文研究了基于FGPA的硬件电路实现方法,给出了系统的整体硬件结构及重采样/采样模块的实现方案,讨论了粒子滤波硬件实现的资源优化及时间优化问题。仿真结果表明,对于纯方位跟踪问题,该粒子滤波算法具有优于扩展Kalman滤波器(EKF)的性能;硬件电路实验表明,该滤波器可以实现对被动目标的纯方位跟踪,并具有比通用粒子滤波器较快的处理速度。     

超大规模集成电路中互连结构的逻辑模型

本文首次提出一种新观点，超大规模集成电路中互连结构的等效模型应具有层次性，对于底层的电路设计，应将互加看作一种具有分布参数的多端口网络，而对于高层次的模块设计，则应将互连看作一种逻辑元件，基于这种观点，本文提出了一种表格型的逻辑模型，它可以将互连产生的三种主要负效应：串扰、延迟和信号变形人武部考虑在内。     

脱乙酰甲壳质和卡拉胶在溶液中的反应及其复合物性质研究

脱乙酰甲壳质(CTS)和卡拉胶(CGN)在溶液中反应生成不溶于水的沉淀,红外光谱分析及相反离子含量测定证明,CTS和CGN分子间的联结是以CTS分子中的-NH_3~+与CGN分子中的-SO_3~-通过静电相互作用来实现的。形成的聚电解质复合物N/S摩尔比在较宽的范围内依赖于反应混合溶液组成比、pH值及CTS的脱乙酰度。不同条件下形成的复合物具有不同的形态结构,当CTS分子与CGN分子上的电荷密度接近时,电镜观察到的复合物呈纤维状结构。复合物不溶于二甲基亚砜及CH_3COCH_3/KBr/H_2O(20∶20∶60wt)三元溶剂,在加热时溶于浓甲酸和稀盐酸,其溶解性随CTS脱乙酰度的增加而降低,CTS和CGN形成的聚电解质复合物具有一定的抗血凝性。     

高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响

基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体（Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS）的静电放电（Electrostatic discharge, ESD）防护性能进行研究。由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实际应用中受到限制。本文通过计算机辅助设计技术仿真及传输线脉冲实验研究了工艺参数及版图结构对器件ESD防护性能的影响。结果表明,增加漂移区掺杂浓度可以有效提高器件失效电流;加强体接触和增加漂移区长度可以提高器件的维持电压,但失效电流会有所下降,占用版图面积也会更大。     

毫米波圆柱波导自由电子激光放大器的数值模拟

本文以单粒子理论为基础，在不计空间电荷效应的近似条件下推导了带轴向引导磁场的三维圆柱波导非线性模拟方程组。用CAGFEL程序计算、分析了在带入口区、常数摇摆器条件下两组不同物理参数的自由电子激光放大器的物理模型。计算结果可靠，物理图象合理。对于其中的第二组参数还着重考查了光波频率、输入功率和摇摆器场振幅改变对输出功率和效率的影响。上述这些计算结果对0．7MeV 自由电子激光放大器的设计和实验具有一定的参考价值。