用光纤检测水中声波的方法——光干涉法

一、前言 自1977年J.A.Bucaro等人报导了利用光纤检测水中声波的实验后,人们又做了许多实验。光纤检测方法的特点是不受电磁感应的影响,频宽带、重量轻,容易制成任意形状和大小的传感器等。现在流行的检测方法大致可分为光干涉法和光强度调制法。光干涉法是利用声波使光纤中传输的光发生相位变化,使之与参考光相干涉,观察干涉强度的方法。光强度调制法是利用声波使光纤中传输光的传输损耗发生变化,观察输出光强度的方法。本文将叙述光干涉法。     

用计算机采集,处理摄象机摄取的运动物体信息——提高和改进课堂演示实…

介绍用计算机采集、处理摄象机摄取的运动物体信息的ＳＨＪＸ系统及经此系统采集和处理的几个物理演示实验中的运动物体的信息。     

液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究

用液封坩埚下降(LE-VB)法沿〈100〉晶向成功地生长了非掺杂InP单晶。LE-VB晶体的4.2K光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Zn受主相关的施主-受主(DA)对发光及其声子伴线、以及与本征缺陷等有关的深能级发光三部分。通过与液封直拉(LEC)生长的籽晶的光致发光谱比较表明,在LE-VB晶体中,束缚于中性浅受主上的激子发光与籽晶中的相差不大;DA对发光的晶格弛豫比籽晶中的小;与本征缺陷等有关的深能级发光强度比籽晶中的弱。晶体的室温光致发光谱仅包含带-带发光,其发光强度形貌测试结果表明,LE-VB晶体的带-带发光强度比LEC籽晶的强。用Huber法对晶片腐蚀的结果表明,在LE-BV晶体中,位错密度仅为LEC籽晶中的三分之一。分析认为,在LE-VB晶体中,本征缺陷和位错等浓度较低,可能是其带-带发光强度比在LEC籽晶中强的物理起因。     

三洋电机

<正> 一、引言在信息处理机领域和光纤通信领域,半导体激光器在实用化方面有了一定进展。作为光电子学的重要器件,在技术方面和生产方面都取得了很大进步。三洋电机也在致力于这种半导体激光器的研制。主要制作GaAlAs器件,目的是应用到信息处理机上。在谋求分立半导体激光器达到高性能化的过程中,还在讨论旨在使机器小型化、高性能化的新器件,其中之一就是引入     

关于Smale提出的积分逼近效率的一般结论

设?~k是[0,1]上的CooeB空间,Q:?~k→R是至少具有k-1次代数精度的求积泛函.设J:f|→integral from n=0 to 1 (f(t)dt),h=1/n。通过由等式 M_hf(t)=h sum from i=0 to (n-1)(f(ih+th)),?f∈C[0,1],?t∈[0,1]确定的线性算子M_h:C[0,1]→C[0,1],定义Q的复化求积泛函QM_h。在?~k中的     

多晶硅栅的BCl离子注入技术

在CMOS中,有n—MOS和P—MOS两种晶体管。为了简化制造工艺,在制作多晶硅栅时,最好先都制成n~+多晶硅,然后再对P—MOS管栅的n~+多晶硅注入B~+,使其变成p~+型多晶硅。可是,随着集成度的提高,最小线宽越变越窄,也要求多晶硅膜更薄,即使用很低能量的B~+来注入,B~+也会穿透多晶硅层进入基片中。为避免穿透,已发展了采用BF_2~+注入来形成P~+型多晶硅栅的办法。它确实能有效地降低B的注入深度,但也带来了另外的问题,这就是BF_2~+注入多晶硅中的F元素,在氧化膜中扩散,在随后的热处理中,会使氧化膜中B加速扩散到基片中,引起V_(TH)的变化,而成为一个麻烦问题。     

陕北鄂尔多斯盆地三叠系泥岩中粘土矿物在埋藏变质过程中的转化

本文在对粘土矿物X光定向片分析的基础上,利用电子显微镜(SEM,TEM)深入地研究了陕北鄂尔多斯盆地三叠系泥岩中粘土矿物在埋藏变质过程中的转化,在本区发现了镁铝蛇纹石、伊利石/绿泥石混层结构,及镁铝蛇纹石向绿泥石转化结构。并据伊利石-石英平衡矿物对氧同位素测温计算,这一转化过程的温度大致为160—220℃,伊利石、绿泥石结晶度及多型的研究表明,随埋深的增加它们都出现规律性变化,并且各种指数间具有一定的相关性。     

引线框架材料对铜合金与锡铅焊料界面组织的影响

采用老化试验、金相分析、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDX)等手段对引线框架铜合金与SnPb共晶焊料界面组织进行了分析研究。结果表明,引线框架材料对铜合金与SnPb共晶焊料界面组织有很大的影响,焊点在160℃高温老化300 h后,CuCrZr系合金和CuNiSi合金与SnPb的界面金属间化合物为Cu6Sn5,其厚度在5~10 mm; 而C194合金与SnPb的界面金属间化合物为分布有Pb颗粒的Cu6Sn5,厚度已高达60~70 mm,同时还发现有微小空洞存在,影响焊点的可靠性。与C194合金相比,CuCrZr系合金和CuNiSi合金具有更好的焊接可靠性。     

液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究

用液封坩埚下降（ＬＥ－ＶＢ）法沿〈１００〉晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶．ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Ｚｎ受主相关的施主－受主（ＤＡ）对发光及其声子伴线、以及与本征缺陷等有关的深能级发光三部分．通过与液封直拉（ＬＥＣ）生长的籽晶的光致发光谱比较表明，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，束缚于中性浅受主上的激子发光与籽晶中的相差不大；ＤＡ对发光的晶格弛豫比籽晶中的小；与本征缺陷等有关的深能级发光强度比籽晶中的弱．晶体的室温光致发光谱仅包含带—带发光，其发光强度形貌测试结果表明，ＬＥ－ＶＢ晶体的带—带发光强度比ＬＥＣ籽晶的强．用Ｈｕｂｅｒ法对晶片腐蚀的结果表明，在ＬＥ－ＢＶ晶体中，位错密度仅为ＬＥＣ籽晶中的三分之一．分析认为，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，本征缺陷和位错等浓度较低，可能是其带—带发光强度比在ＬＥＣ籽晶中强的物理起因．     

8千兆赫频带的低噪声大功率砷化镓场效应晶体管放大器

一、引言目前微波通信设备中已广泛使用低噪声、大功率GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)放大器。近年来的发展趋势是使这些放大器体积缩小、重量减轻并实现宽带化。GaAs FET放大器通常用MIC(微波集成电路)构成,而为了实现小型化,人们正在从采用分布参数电路转向采用集总参数电路的MIC。最近,为了进一步小型化与轻量化,GaAs单片微波集成电路(MMIC)的研究也正在加紧进行。然而,要实现MMIC的定型和批量生产,还要解决很多问题,特别是在通信设备中应用时,对于所要求的数量,所要求的特性的多样性,务必多加考虑。本文为了实现通信设备用的GaAs FET放大器小型化、轻量化、宽带化,并降低成本,研制了集总参数元件和分布参数电路组成的混合结构6～8千兆赫低噪声放大器和大功率