RF磁控溅射技术制备纳米硅

利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒。统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100℃,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加。     

用超精细分裂计算研究非晶硅中g=2.0055 ESR谱

针对非晶硅中g=2.0055 ESR谱对应于悬键(三配位硅原子)还是浮键(五配位硅原子)的争论,首次用CNDO/2方法计算了三配位和五配位原子模型的ESR谱超精细分裂的各向同性部分a.结果表明,无论是孤立悬键模型还是受悬键对方硅原子影响的悬键模型,在经过弛豫之后,其a值计算结果都可以解释g=2.0055ESR谱的a值仅为74高斯的实验结果.而五配位或准五配位原子模型的a值计算结果却明显大于74高斯.     

RAMAN SCATTERING INTENSITIES OF FOLDED LONGITUDINAL ACOUSTIC PHONONS IN GexSi1-x/Si SUPERLATTICES

In terms of photoelastic mechanism we have investigated the Raman scattering intensities of the folded longitudinal acoustic (FLA) phonons in Ge_xSi_1-x/ Si superlattices (SLs), taking into account the differences between the acoustic and photoelastic parameters of the two constituents in the SLs. The relative intensities calculated for the FLA phonons are in excellent agreement with the experimental results at the frequencies up to about 50 cm^-1. The broadening of the linewidth arising from the so called strong acoustic attenuation, which was reported previously located around the frequency 15 cm^-1 in Ge_xSi_1-x/Si SLs(x≈0.5), has not been observed in this work.     

碳在GaN中的形态

氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一．浅杂质（包括Ｐ型和ｎ型的）离子注入ＧａＮ是研究 ＧａＮ的主要课题之一．本文研究注碳（Ｃ） ＧａＮ经不同温度退火后的Ｒａｍａｎ和 Ｈａｌｌ效应,发现两个重要的实验事实：在适当的温度范围内,在注 Ｃ ＧａＮ中存在石墨微晶; ＧａＮ中分离的Ｃ是受主． 文中所用样品的制作过程是在（０００１）晶向的蓝宝石衬底上用金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术生长的１ｕｍ ＧａＮ外延层,外延层的自由电子浓度和霍尔迁移率分别为 １～５×１０１７ｃｍ－３和 ６０…     

γ辐照的半绝缘GaAs：Cr的电子顺磁共振研究

本文报道γ辐照的ＧａＡｓ：Ｃｒ的光激发电子顺磁共振（ＥＰＲ）研究结果．实验结果表明γ辐照不仅改变了其内硅谱线的光淬灭特性，同时还产生一条ｇ值为２．０８、线宽约３e－２Ｔ无光淬灭特性的新谱线，初步分析表明它可能来自于砷空位（ＶＡｓ）．     

n+-Si与p-Si衬底上含纳米硅的SiO2膜电致发光

对于Au/富Si-SiO₂/p-Si和Au/富Si-SiO₂／n⁺-Si这两种结构，研究并比较了它们的电致发光特性．对于前者，当正向偏压大于4V时发射红光，而加反向偏压时不发光；对于后者，加正向偏压不发光，而当反向偏压大于3.5V时发射红光．着重讨论了Au/富Si-SiO₂/n⁺-Si的电致发光机制 关键词：     

含纳米锗粒二氧化硅薄膜的光致发光研究

以锗-二氧化硅(GSO)复合靶作为溅射靶，改变靶上锗与总靶面积比为0%，5%和10%，用射频磁控溅射方法在p型硅衬底上淀积了含锗量不同的三种二氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至900℃不同温度的退火处理.通过对样品所作Raman散射光谱的分析，发现随着锗在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纳米锗粒的平均尺寸在增大.确定出随着退火温度由600℃升高到900℃，GSO(5%)样品中纳米锗粒的平均直径由5.4nm增至9.5nm.含纳米锗粒大小不同的二氧化硅薄膜的光致发光谱中都存在位于2.1eV     

Synthesis and PL Properties of ZnSe Nanowires with Zincblende and Wurtzite Structures

Single crystalline ZnSe nanowires with both zincblende and wurtzite structures have been synthesized via a chemical vapour deposition method under different growth conditions. The nanowires are usually 50-80nm in diameter, and several tens of microns in length. Room-temperature photoluminescence spectra from zincblende and wurtzite ZnSe nanowires show a broad luminescence band peaked at around 2. 71 e V and a deep level emission band peaked at around 2.00 eV, respectively. Effects of post-growth annealing on the photoluminescence of these nanowires have been investigated. Strong room-temperature band-edge emission could be obtained from the annealed zincblende ZnSe nanowires.     

离子注入GaN的拉曼散射研究

研究了离子注入前后GaN的拉曼散射光谱,特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰,如298,362和661cm-1峰的性质,峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和退火温度的变化关系.上述三个拉曼散射峰的强度都随注入元素原子量的增加而降低.当注入剂量增大时,362和661cm-1峰值强度减少,而298cm-1峰值强度却增大.随退火温度的升高,这三个拉曼散射峰的强度先增加后降低.对所观察到的实验现象和这三个峰的起源进行了分析和讨论. 关键词： GaN 离子注入 拉曼散射 局域振动     

离化吉布斯自由能是远比离化焓为好的表征深能级在禁带中位置的参量

通常用各种结谱方法求得的深能级激活能实际上是在测量温度范围内的平均离化焓.本文通过对作者最近观测到的两个硅中与铜有关的深能级E_1和E_2以及硅中金受主能级的仔细分析,指出它们的离化吉布斯自由能与离化焓之间存在显著的差别,如果用离化焓来表征它们在禁带中的位置,是不精确的,特别是对于硅中与铜有关深能级E_1这种表征还会导致物理上的错误结论.强调指出对于半导体中深能级来说,离化吉布斯自由能才能确切表征各个温度下它们在禁带中的位置.