电子辐照掺锂硅中深能级

用深能级瞬态谱法,从与锂有关的缺陷的产生和锂对电照缺陷的退火的影响两个侧面,研究了不同合氧量硅中锂和电照缺陷的相互作用。指出了氧能抑制锂和电照缺陷的相互作用,只有当锂浓度不是远小于氧浓度时,锂才能有作用。E(0.17),E(0.21),E(0.38),E(0.50),H(0.42)和H(0.47)等与锂有关的缺陷分别在不同的条件下被观测到。对比了硅中氢和锂在与电照缺陷相互作用方面的相似与不同之处。     

用深能级瞬态谱及瞬态电容研究靠近禁带中央能级的新方法

半导体中的深能级杂质缺陷在禁带中往往有好几个能级,如果其中有接近禁带中央的能级,它在载流子复合等问题中起重要作用.本文指出利用接近禁带中央的能级在深能级瞬态谱(DLTS)中的峰高与其它能级的峰高的比值或利用相应的瞬态电容的初始值的比值,可以求出接近禁带中央的那个能级的电子热发射率与空穴热发射率的比值C_n(T)/e_p(T),结合DLTS的率窗或瞬态电容的时间常数,可以同时确定该能级的e_n(T)及c_p(T),并可进而求出该能级在禁带中的位置、禁带宽度在绝对零度的外插值等参数.以掺金的硅为例应用上述方法,在较高的温度范围用DLTS,在较低的温度范围用瞬态电容,求得了金的受主能级的c_n(T)/c_p(T).c_n(T)、c_p(T)及其它参数,与文献所载的用其它方法求出的相近.文中还讨论了这种方法的误差以及这种方法在识别杂质缺陷方面的可能作用.     

富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究

以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．     

GaN材料生长研究

用常压ＭＯＣＶＤ方法我们在蓝宝石，Ｓｉ衬底上，成功地制备出ＧａＮ单昌薄膜材料，取得了ＧａＮ材料的初步测试结果，纯度ＧａＮ为ｎ型，载流子浓度为１０＾＾１７－１０＾１８ｃｍ－＾－３，迁移率为２００－３５０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ．双晶衍射半峰宽为７‘，室温ＰＬ光谱本征发光波长为３７０ｎｍ，并首次观察到掺ＺｎＧａＮ呈ｐ型电导。     

氢对Al/p-Si Schottky二极管的影响(英文)

Al-contact Schottky diodes were made on p-type, B-doped Si in which hydrogen had been introduced in three different ways: growing in hydrogen, boiling in water and exposuring to the plasma-hydrogen. These Schottky diodes were characterized with C-V, I-V and DLTS measurements, showing that hydrogen injection results in (i)neutralization of acceptors; (ii)tncrease of the diffusion potential in the depletion region and decrease of the forward current; (iii) inhibition of deep level centers near the Al/Si interface.     

用C-V法同时测量半导体中深中心和浅杂质的浓度分布

测量半导体深中心浓度分布和测量浅杂质浓度分布一样,是一个十分重要的问题.本文提出用C-V 法同时确定半导体中深中心和浅杂质浓度分布的方法,在深中心浓度和浅杂质浓度可比的情况下,它的结果尤为精确.文中讨论了测试原理和测试方法并以掺金硅N~+-P结二极管和汽相外延N型砷化镓肖脱基二极管为例进行了测量.     

中子辐照氢气生长区熔硅中一个新的三斜对称缺陷

用电子顺磁共振在中子辐照氢气氛下生长的区熔硅中观察到一个新的三斜对称缺陷,确定了该缺陷的g张量主值和各主轴在晶轴坐标系中的方向余弦.据此对旋转花样图进行了理论计算,与实验结果符合很好.     

吸附钌吡啶类配合物染料分子对氧化多孔硅光致发光性质的影响

化学氧化多孔硅经cis-Ru(bpy)~2(CN)~2的乙醇溶液浸泡后,发光峰位红移,强度减弱,激发态寿命缩短。而在trans-Ru(py)~4(CN)~2溶液中浸泡的氧化多孔硅的发光峰位,强度和寿命几乎没有变化。对比两个染料分子的氧化还原电位和光吸收性质得出：与trans-Ru(py)~4(CN)~2相比,cis-Ru(bpy)~2(CN)~2有一个与多孔硅发光能量接近的低能级吸收带,使得多孔硅纳米粒子向该染料分子传递能量成为可能,能量传递的发生引起了发光峰位的红移和激发态寿命的缩短,虽然伴随着发光效率的损耗,但对有目的地选择染料分子来改变多孔硅的发光峰位和获得激发态寿命尽可能小的多孔硅提供了思路,也为深入理解多孔硅的光致发光机制提供了更多的实验事实。     

Efficient 1.3-μm electroluminescence from high concentration boron-diffused silicon p^＋-n junctions

Etectroluminescence peaking at 1.3 μm is observed from high concentration boron-diffused silicon p^＋-n junctions. This emission is efficient at low temperature with a quantum efficiency 40 times higher than that of the band-to-band emission around 1.1 μm, but disappears at room temperature. The 1.3-μm band possibly originates from the dislocation networks lying near the junction region, which are introduced by high concentration boron diffusion.     

多孔硅发光峰位波长为370nm的紫外光发射

对特定工艺制备的多孔硅进行干氧氧化处理，观察到光致发光峰位波长为３７０ｎｍ左右的紫外光发射．紫外光强度与高温氧化温度有关，当氧化温度为１０００℃时，多孔硅紫外光发射最强，而在１１５０℃温度下氧化５ｍｉｎ，多孔硅纳米硅粒消失后，紫外发射变得很弱．紫外光峰位与氧化温度无关，但在１０００℃氧化的多孔硅光致发光谱中出现附加的位干３６０ｎｍ的发光峰．如认为光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中，而光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅的ＳｉＯｘ层中的两种（或多种）发光中心上，则本文的实验能被很好解释．