定义在分形集上函数的H-导数

 分形的生成含有降维与升维两种形式,采用适当的方式总可以对分形集加以定向化,分形的内禀测度是Hausdorff测度。因此,定义在分形集上的函数可以看作是在Hausdorff测度下定义在区间[0, h]。在函数图像也是分形的前提下,依函数的Hausdorff测度的定义,给出了定义在分形集上的函数f(p)关于Hausdorff测度p的导数以及一些性质。     

SPME-GC-MS快速分析炼油厂废水中痕量VOCs

采用固相微萃取-气相色谱-质谱联用(SPME-GC-MS)对炼油厂废水中痕量挥发性有机化合物(VOCs)进行了定性分析,简化了预处理过程,总分析时间为1h左右.对比处理前后的废水样品的MS定性结果,为废水处理工艺的评价以及有机物降解机理提供了依据.     

The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology

Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS.     

射流冲击泡沫金属流动液膜传热的实验研究

薄液膜蒸发由于其优良的传热特性而被广泛应用于工业领域。在流动液膜上表面覆盖铜质泡沫金属,并耦合空气射流冲击,能够进一步强化传热。多孔泡沫金属提供的毛细驱动力能够有效控制流动液膜的厚度以避免干涸,同时多孔材料特殊的固体骨架构造可以扩大固液、气液传热面积。为了研究射流冲击条件下多孔介质覆盖流动液膜的传热特性,本文通过实验方法,对包括液膜流速Vf、空气射流速度Va、液膜厚度δf和多孔介质孔隙率ε在内的影响因素进行分析,研究并对比这些因素对加热壁面温度Tw、表面传热系数hw以及传热系数提升率的影响。     

小型球形脉冲氙灯光谱分析与实验测定

作为分析仪器和医疗仪器光源,脉冲氙灯的光谱特性直接影响着仪器的整体性能。为了研究脉冲氙灯放电回路参数及几何参数对其光谱特性的影响,利用气体放电理论分析了脉冲氙灯发光过程,设计了光谱检测系统,实验测定了脉冲氙灯在不同放电参数下的光谱特性。结果表明：脉冲氙灯光谱由连续谱和线状谱组成,连续谱有离子复合和韧致辐射产生,线状谱由电子能级跃迁产生。相对光谱辐射能量随着放电电压升高呈近似线性增长、并随着储能电容的变大而变大。在放电电压较低时,弧长较短时相对光谱辐射能量较大;在放电电压较大时,弧长越长相对光谱辐射能量越大。对于脉冲氙灯工作参数选取以及应用生产具有重要的意义。     

高斯光束通过克尔介质的光强分布研究

以亚当姆预测 校正系统数值计算方法为基础,在同时考虑光束通过克尔介质后的相位和光束线型变化的情况下,利用惠更斯 菲涅尔衍射积分公式,对高斯光束通过克尔介质后的近场和远场的横向光强分布进行了研究.结果表明：当高斯光束通过“薄”介质的出射面时,不仅仅相位发生了变化,而且光强线型分布也不再呈理想的高斯分布,而是有一系列丝状的近高斯分布.光束通过克尔介质后,无论是在近场还是远场,其光束总能量分布都被发散了.结果同时表明：光束通过正克尔介质后的远场光强分布主要集中在中心附近,并逐渐向边缘减弱,而光束通过负克尔介质后远场光束能量主要集中在边缘.     

用激光诱导击穿光谱技术定量分析矿石样品中Si和Mg

激光诱导击穿光谱(LIBS)技术被用来定量分析矿石样品元素成分.波长为1064 nm的Nd:YAG脉冲激光聚焦在样品表面后产生激光等离子体,等离子体原子发射谱由微型光谱仪记录.为了优化实验条件,研究了激光能量和延时时间等部分参数对谱线强度的影响.实验发现激光脉冲能量对光谱信号的影响大.在选定的变化范围内,改变延时对光谱的影响较小.实验中分别以硅(Si I谱线251.6 nm)和镁(Mg I谱线285.2 nm)为分析线,采用外定标法对硅和镁的含量进行了反演,测得的硅和镁元素含量值与标准值的相对误差分别为7%和3%.     

基于用户感知和网络效益的LTE无线扩容方法

在4G网络建设末期,网络资源投入逐渐减少的情况下,4G网络流量增长趋势依然保持不减且有增长态势。在有限的资源情况下,如何既能够释放被压抑的流量,最大化投资收益,又能够兼顾用户感知,减少业务流失,这是运营商当前面临的主要问题。本文从业务出发,基于用户感知,充分考虑各项负荷指标,建立了一套系统的扩容评估的思路和方法。     

FPGA中RAM资源的测试定位算法研究及实现

在XC4000系列FPGA中,每个CLB的两个四输入查找表都可以被配置成随机存取存储器(RAM),RAM可以为FPGA提供存储大量数据的能力,因此,对RAM的测试是FPGA完备性测试必不可少的部分.根据RAM的结构和功能,提出一种有效的测试方法,并以XC4010E-PQ160为例,使用SOC软硬件协同验证平台,证明两次配置就可以完成对RAM的全覆盖可定位测试.     

Versapulse激光仪治疗太田痣3021例临床分析

我院1997年1月至2003年12月共收治患者共3021例,其中．男804例．女2217例。年龄最小者出生1个月开始治疗．年龄最大者56岁开始治疗。出生时即发病者1614例．其余者在出生后不同年龄段发病．初发病时年龄最大者为32岁1例。外伤、妊娠等因素诱发本病者15例．另有一例女婴在出生一月时因饮水不当引起严重窒息抢救后引发太田痣。