全自动键合机送线装置研究

通过对自动键合机送线装置的构成和原理进行研究,并结合键合工艺对送线系统进行分析,提出送线装置的结构优化方案,进而为提高自动键合机的效率和稳定性提供理论支持.     

高温热处理铜锌锡硒纳米晶薄膜及其在染料敏化太阳电池对电极中的应用（英文）

采用热注入法制备了纯相的铜锌锡硒(CZTSe)纳米晶,并将其沉积在FTO导电玻璃上,进一步通过高温热处理得到了CZTSe薄膜.采用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜表征了CZTSe薄膜的结构.以CZTSe薄膜作为染料敏化太阳电池的对电极,考察了CZTSe薄膜的晶体结构对催化性能的影响.结果表明,采用合适的温度对CZTSe进行处理对于获得高催化活性的CZTSe是非常必要的.     

热声波数值模拟的虚假振荡研究

采用可压缩流动的SIMPLE算法对一维封闭空腔内由边界突然加热所引起的非稳态热声波进行了数值模拟,对流-扩散项采用了中心差分、一阶迎风差分、QUICK、及MIJSCL等不同格式。计算表明各种格式均存在不同程度的虚假振荡现象,其大小与热声波的强度及离散格式的形式等多种因素有关。这些结果对热声波的进一步研究及高效可靠的对流差分格式的开发具有重要意义。     

基于区块链技术的数字资产发展现状与应用

随着数字经济发展的逐步深入,承载数字经济核心价值的数字资产的重要性日益凸显。本文按照同质化、非同质化两大分类系统梳理分析了当前主流区块链数字资产的技术体系、主要应用价值以及典型应用场景。同时分析了区块链数字资产面临的安全风险,认为当前主要安全风险集中在数据安全、账户安全、合约安全三个方面,并分别提出了针对性的解决思路。文章结合区块链数字资产的发展现状、安全态势,对区块链数字资产领域的未来趋势进行了展望。     

三量子位纯态的混合纠缠

提出了一种特殊的真正的三量子位纯态的混合纠缠,与Greenberger-Horne-Zeilinger(GHZ)纠缠和W纠缠不同的是,它同时具有GHZ纠缠和W纠缠的性质。用两个由四个非多余基向量组成的不等价集合来构造混合纠缠态并引入一种新的测量方法,即采用总纠缠度的方法来量化三量子位纯态的纠缠情况（包括混合纠缠）。揭示了Walther等已报道的实验中最终态下出现混合纠缠,且其中W纠缠比GHZ纠缠占比更大这一现象。     

CMP加工过程中均匀去除率的研究

半导体制造技术已经达到了亚微米技术水平,CMP(chemical mechanical planarization)化学机械抛光是IC制造工艺中进行全局平坦化唯一的途径,分析了针对大直径晶圆进行全局平坦化,达到面型精度和表面完整性的要求而采取的区域压力控制技术。     

Stable Electron Field Emission from CeO2 Nanowires by Hydrothermal Method

CeO2 nanowires are successful synthesized by hydrothermal method and their field emission （FE） properties are investigated. The turn-on electric field is 5.8 V/μm at an emitter-anode spacing of 700μm. The FE current is stable and the current fluctuations are less than 3% over 5 h. All the plotted Fowler-Nordheim curves yield straight lines, which are in agreement with the Fowler-Nordheim theory. The relationship between the field enhancement factor β and the emitter-anode spacing d follows a universal equation. Our results imply that the CeO2 nanowires are promising materials for fabricating FE cathodes.     

铜布线化学机械抛光的失效研究

分析了铜电连接在今后晶片制造中的主导作用,阐述了铜布线的结构,即在由钽作为阻挡层及采用电镀铜形成的电连接的情况下,抛光规律符合经典普莱斯顿方程;在粗抛磨料采用氧化铝,精抛配比采用武亚红提出的方案情况下,采用旋转式低速较大下压力情况下抛光,整个晶片依然存在较大的不均匀性。分析100μm线宽的碟形缺陷会逐渐减小但最后会有少许增大。整个晶片的侵蚀会和其图案密度成正比,但在同种分布情况下,精抛时间越长,则侵蚀缺陷越大。最后指出了今后发展的高速底压力会显著解决当前不均匀性问题,但失效机制分析意义依然很重大。     

CMP承载器的初步研究

在CMP中,由于抛光垫在与其接触的晶圆边缘产生异常压力点,以及转台和承载器旋转的线速度之差在边缘处较其他点大得多,从而导致了晶圆边缘效应的产生。阐述了承载器在CMP中的作用,详细分析了边缘效应产生的原因和克服的方法。在承载器上采用与晶圆保持适当间隙的保持环结构,对保持环施加适当的压力,使保持环和晶圆位于同一抛光平面上;针对旋转式CMP设备固有的线速度之差导致片内非均匀性增大的问题,对200mm晶圆划分两区域进行微压力补偿,同时详细说明了压力补偿气路的设计和实现的功能,指出今后多区域微压力补偿将采用矩阵控制技术。