试验IP网组播丢包问题研究

IP组播技术实现了IP网络中点到多点的高效数据传送,因为组播能够有效地节约网络带宽降低网络负载,所以在实时数据传送和语音图像数据等诸多方面都有广泛的应用。由于传输环境、协议配置或端口流量等原因,在实际应用中可能会发生传输数据丢失的现象。针对组播传输丢包问题,分析了某类试验IP网络协议及组播传输环境特点,提出了几种解决方案并进行了试验验证。     

含水天然气喷射装置性能的数值模拟

本文针对天然气喷射装置在低压气带水情况下的运行特性进行了数值模拟,获得了超声速喷射装置在气液两相运行时装置的性能变化规律。计算结果表明:低压气流量随着水滴质量流量的增加而减小,引射比随着水滴质量流量的增大而减小;低压气流量随着水滴直径的增加而逐渐减小,但当水滴直径大于20μm时,低压气流量基本保持不变,引射比变化规律与低压气流量的变化规律基本一致。本文工作对天然气引射装置的设计和实际运行具有重要指导意义。     

利用铕(Ⅲ)-诺氟沙星-十二烷基硫酸钠的 光致发光及稀土敏化荧光法测定硫酸新霉素的浓度

室温下,在pH=7.4的氨-氯化铵缓冲溶液中,铕(Ⅲ)与诺氟沙星反应形成稳定络合物,产生稀土敏化荧光,其最佳激发、发射波长分别为λ_ex=340 nm、λ_em=612 nm,表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)的加入使其荧光强度进一步增加。在该反应体系中加入适量硫酸新霉素溶液,铕(Ⅲ)与诺氟沙星络合物的激发、发射峰位置不变,但荧光强度降低,据此建立了灵敏的测定硫酸新霉素的荧光分析方法。硫酸新霉素的浓度在0.909~22.72 mg/L范围内符合线性关系。该方法的检出限为0.40 mg/L,可用于片剂及滴眼液中硫酸新霉素含量的测定,快速、简便、结果满意。6次平行测定的回收率为90.5%~102.3%,相对标准偏差为1.4%~3.5%。     

合成孔径雷达图像海洋内波探测研究综述

近年来,利用合成孔径雷达(Synthetic Aperture Radar, SAR)图像进行海洋内波探测在海洋遥感领域受到极大关注,成为SAR 重要的海洋应用之一。该文围绕SAR 图像海洋内波探测专题,综述了具有代表性的国内外研究成果,分别在内波参数反演方法、雷达参数及风场对SAR 内波成像的影响、内波2 维SAR 成像仿真等3 个研究方面进行了详细的介绍以及归纳总结。      

顺轨干涉SAR浅海地形成像建模及其最优雷达观测参数分析

该文基于浅海海流动力模型、波流交互模型、后向散射模型以及Doppler谱模型对顺轨干涉SAR浅海地形成像进行了建模.利用建立的成像模型,在准1维近似的条件下对不同雷达频率、入射角、顺轨基线长度以及极化方式等参数对顺轨干涉SAR浅海地形成像的影响进行了探讨.在成像延时低于海面去相关时间的前提下,高频率、大入射角以及长顺轨基线条件比较适合于顺轨干涉SAR浅海地形成像;而极化方式对顺轨干涉相位变化的影响不大,如果综合考虑信噪比等因素的影响,VV极化仍是顺轨干涉SAR浅海地形成像的首选极化方式.     

InAlN/GaN异质结二维电子气波函数的变分法研究

使用变分法推导了InAlN/GaN异质结二维电子气波函数和基态能级的解析表达式,并讨论了InAlN/GaN异质结结构参数对二维电子气电学特性的影响.在假设二维电子气来源于表面态的前提下,使用了一个包含两个变分参数的尝试波函数推导电子总能量期望值,并通过寻找能量期望极小值确定变分参数.计算结果显示,二维电子气面密度随InAlN厚度的增大而增大,且理论结果与实验结果一致.二维电子气面密度增大抬高了基态能级与费米能级,并保持二者之差增大以容纳更多电子.InAlN/GaN界面处的极化强度失配随着In组分增大而减弱,二维电子气面密度随之减小,并导致基态能级与费米能级减小.所建立的模型能够解释InAlN/GaN异质结二维电子气的部分电学行为,并为电子输运与光学跃迁的研究提供了解析表达式.     

水热处理对硫酸铝水解产物的微观形貌影响

本文采用水合硫酸铝为原料,以尿素为沉淀剂,通过水热处理方法制备了球形碱式硫酸铝及中空球形薄水铝石,探讨了水热温度对产物微观形貌的影响.研究结果表明,低温水热处理有利于球形碱式硫酸铝的形成,随水热处理温度的提高,球形碱式硫酸铝发生原位溶解及再结晶,形成以片组装的中空球形薄水铝石.     

单点光学终点检测系统的研究

为了使CMP抛光精度更为精确,根据光学干涉原理设计了单点光学终点检测装置,给出了整套检测系统的简图和处理流程.在理想条件下,仿真单点光学检测的相干相位及反射率迹线,得出反射率迹线与抛光掉的透明层存在着函数关系,在实际条件核实了二者之间映射情况.采用九点测量后确认此函数条件下的单点光学终点检测具备高度的精确性,在此基础上推测了抛光头吸附晶圆以设定频率摆动情况下,光学传感器采集与处理数据的方法和过程.实际工艺操作证明,在综合运动条件下,其精度也达到要求.     

低k材料的化学机械抛光研究

阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、Si-OCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用。在Sikder和Kumar提供的声发射信号(AE)的在线监测图的基础上比较和分析了五种材料的硬度和模数值;根据Preston方程绘制九点测量数据图,发现前三种材料可满足抛光机理,而后两种的抛光行为更倾向于表面反应;根据五种材料抛光前后的实验数据表面形态图表,判断出抛光后材料粗糙度的走向。最后指出低k材料需要发展和完善的工艺及对抛光设备的进一步要求。     

提高二维工作台定位精度的误差补偿方法研究

通过测量二维工作台XY轴直线度误差、垂直度误差、定位精度误差等,采用水平分割法对误差线性拟合,分析了每种误差对单轴定位精度和关联轴定位精度的影响,这种补偿方法能够有效地提高二维工作台的定位精度.