全文获取类型
收费全文 | 287篇 |
免费 | 32篇 |
国内免费 | 43篇 |
专业分类
化学 | 60篇 |
晶体学 | 7篇 |
力学 | 11篇 |
综合类 | 5篇 |
数学 | 29篇 |
物理学 | 69篇 |
无线电 | 181篇 |
出版年
2024年 | 4篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 11篇 |
2021年 | 9篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 11篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 11篇 |
2016年 | 13篇 |
2015年 | 12篇 |
2014年 | 13篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 8篇 |
2011年 | 9篇 |
2010年 | 11篇 |
2009年 | 12篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 13篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 12篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 14篇 |
2002年 | 14篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 13篇 |
1999年 | 15篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 11篇 |
1994年 | 8篇 |
1993年 | 13篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 1篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 2篇 |
1960年 | 1篇 |
1954年 | 1篇 |
排序方式: 共有362条查询结果,搜索用时 15 毫秒
121.
122.
123.
124.
在CCBN2010上.ARM联合日本Ubiquitious、韩国Telechips、北京时代飞腾及台湾擎泰科技等合作伙伴展示了基于ARM+Android的数字家庭解决方案.Ubiquitous演示了基于ARM处理器和Android系统的QuickBoot技术,通电后1 s即可启动;Telechips演示了基于ARM Mali-200 GPU的高清播放器和网络电视SoC;时代飞腾演示了便携式播放器和网络电视没计方案;擎泰科技演示了基于ARM处理器的数码相框控制芯片等方案. 相似文献
125.
分别对常规分裂和非分裂完全匹配层吸收边界在完全弹性介质和孔隙介质的应用效果进行了比较研究。比较了两种吸收边界应用于完全弹性介质和孔隙介质所需计算量、存储量大小以及吸收效果。为比较吸收效果,首先给出两种吸收边界下声场快照图的比较,然后利用吸收边界附近的接收点波形,计算和分析了两种吸收边界在固定入射角度处随时间变化的边界反射幅度,以及对不同入射角度声波的边界反射系数。研究结果表明,无论是完全弹性介质还是孔隙介质,常规非分裂完全匹配层吸收边界比分裂完全匹配层吸收边界对垂直入射乃至一般入射角度的声波都有更好的吸收效果,但需要更大的存储量和计算量。 相似文献
126.
127.
128.
利用水热技术原位制备出铁钝化多孔硅样品,并对其发光特性进行了测试。样品具有较强的光致发光强度,而且在室温空气存放过程中其发光强度不发生衰减,发光峰位不发生蓝移。上述发光特性归因于样品表面形成的良好铁钝化。 相似文献
129.
一种新型的红外探测器材料——碲锌镉汞 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了国外在新型红外探测器材料HgCdZnTe的基本性质、材料生长和性能以及光电探测器研制和性能方面的研究现状和发展前景,突出说明了HgCdZnTe相对于HgCdTe在结构性能尤其是稳定性方面的优势。从国外众多理论研究和实验结果来看,HgCdZnTe是一种具有很大应用潜力和研究价值的新型红外探测器材料,尤其。是在室温或近室温红外探测方面有着重要的应用前景。 相似文献
130.
基于IBM 0.18μm SiGe Bi CMOS标准工艺设计实现了一种高速、低功耗的光接收机前端模拟电 路。接收机芯片包括调节型共源共栅 (RGC) 跨阻放大器(TIA)、四级限幅放大器(LA)和 输出缓冲 电路(buffer)。采用高跨导SiGe异质结双极晶体管(HBT)作为输入级的RGC TIA有效隔离了 探测器结电容和输入寄生电容的影响,更好地拓展了光接收机的带宽。仿真结果表明,在1.8V电源电 压供电下,驱动50Ω电阻和10pF电容负载时 ,光接收机前端的跨阻增益为76.67dB带宽为2.1GHz 。 测试结果表明,光接收机前端电路的-3dB带宽为1.2GHz,跨阻增 益为72.2dB,在误码率(BER)为10-9的条件 下,光接收机实现了1.5Gbit/s的数据传输速率。在1. 8V电源电压 下,芯片功耗仅为44mW,芯片总面积为800 μm×370μm。 相似文献