延伸波长InGaAs探测器封装用二级热电制冷器性能研究

真空封装技术是延伸波长InGaAs探测器的主要封装方法之一,热电制冷器可为延伸波长InGaAs探测器焦平面提供低温环境。测试了基于真空封装技术无热负载条件下二级热电制冷器的性能,研究了二级热电制冷器在不同输入电流(功率)时冷、热端温差与热负载的关系,测试了二级热电制冷器在低温工况下的制冷性能以及二级热电制冷器处于不工作状态时的表观热导率。结果表明,热沉温度为274 K时,冷端可以达到221.4 K并实现77.5 K的冷、热端温差;当输入电流一定时,随着热负载的增加,冷、热端温差呈线性趋势减小,且斜率随着输入电流增大而增大;二级热电制冷器冷、热端温差在较高温度时更大,即制冷性能更好;当温度分别为233.1 K 和249.8 K时,表观热导率分别为11.30 W/(m·K)和8.29 W/(m·K)。     

感受JVC HD550 D-ILA投影机的高清魅力

自JVC的D—ILA技术诞生以来．在投影机领域已经获得不错的成绩．从当初的HDI到最新的HD990旗舰级投影机．在发烧友心目中一直有不错的评价。     

坚如磐石的音响造型——听卡姆指挥西贝柳斯两首作品

广交3月28日晚音乐会．能邀请到芬兰指挥大师奥科·卡姆，无疑是极佳人选。进入星海音乐厅，笔者注意到，乐队首席位置上，坐着与卡姆和独奏家徐惟聆有较多合作经验的中国爱乐乐团小提琴首席。在音乐演出中可看到这是一个周到的安排．因小提琴首席、副首席的“戏份”和配合难度均很大。     

扫描电子显微镜叔丁醇冷冻干燥快速制样方法的探索

该实验旨在利用扫描电子显微镜(SEM)进行植物叶片微观形态观察,探究一种叔丁醇快速制样新方法.实验以野生型拟南芥叶片为研究对象,通过预设实验步骤对其进行制样处理,结合实验过程及观察结果总结最佳实验处理条件作为新的SEM叔丁醇快速制样方法.实验结果显示,在不同的叔丁醇处理温度、时长,冰冻时间及喷金导电处理条件下,叶片表皮...     

TEA CO2激光推进耦合系数的实验研究

报道了采用高重复频率TEA CO2激光器在不同气压下对冲击摆进行大气模式激光推进耦合系数测试的实验.结果发现,在气压为34.6×103 Pa左右可获得最大的冲量耦合系数.这与在不同气压下采用冲击摆进行固体靶激光推进实验中,在34.6×103 Pa左右存在最大的冲量耦合系数相似.从激光等离子体冲击波的角度对这一现象进行了初步的分析和解释.     

基于ARM的嵌入式系统实验研究

在嵌入式系统实验中,了解ARM的体系结构、熟悉嵌入式操作系统是关键,为了掌握常用外部设备接口驱动程序、接口应用程序的设计,培养学生的硬件、软件协同设计能力,实现对受教育者的分层次培养。本文在认真分析实验内容和实验效果的基础上,提出将实验划分为基础验证型、设计型、综合型和创新型四类,以适应不同层次学习者的学习需要。     

脱氧核糖核酸-聚胺基酰胺树状间隔臂-(二氧化锆-脲醛树脂)亲和色谱固定相的合成及其应用

报道了一种高效液相亲和色谱固定相的合成方法。以３－５μｍ的非多孔二氧化锆与脲醛树脂（ＵＴＲ）复合物微球用作高效液相亲和色谱固定相的基体,并用扫描电子显微镜检验该基体的结构和粒径。用此基体末端的酸胺基团为核心,分别与丙烯酸甲酯、乙二胺重复进行三次马氏加成反应和胺化反应,就形成末端为胺基的聚胺基酰胺（ＰＡＭＡＭ）星型树状间隔臂。用１３Ｃ固体核磁共振检测了树状间隔臂的拓扑结构。此间隔臂用丁二酸进行丁二酰化,并在１－乙基－３－（３－二甲基氨丙基）碳化二胺（ＥＤＡＣ）的存在下用Ｎ－羟基丁二酰亚胺（ＮＨＳ）活化,最后与配位体脱氧核糖核酸（ＤＮＡ）键合,并用紫外分光光度法测定了配位体容量。从而制备了一种［ＤＮＡ（ＰＡＭＡＭ）－（ＺｒＯ２－ＵＦＲ）］高效液相亲和色谱固定相。通过优化色谱柱操作参数,其已用于蛋白质的分析和核糖核酸（ＲＮＡ）碎片的分离。     

WDM网络分布式物理损伤感知RWA算法

随着传输速率的不断升级,在透明传送过程中,各种损伤的积累会对光信号的质量造成严重影响,因而不能保证高QoS(服务质量)地传输信号.文章提出一种物理损伤感知的分布式RWA(波长路由分配)算法,将物理层传输质量评估分布在中继段路由和波长信道中,分别由损伤感知路由、波长通道传输质量排序和按优先级分配3部分构成.仿真实例证明了...     

HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜

采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(～30 nm)的硼掺杂硅薄膜.系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响.当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低.实验证实,当RH=55～70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区.快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率.在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜.