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81.
本文用等效电路法推导了双圆锥缓变截面波导周期结构的色散方程,并在不同的结构参量的条件下计算了若干条色散曲线。从而为实现宽带运用而选择最佳尺寸提供了理论依据。最后,通过实验证实了理论的可靠性。 相似文献
82.
83.
建立耦合伞状采样的粗粒度分子动力学方法,研究球状胶束中表面活性剂分子的脱附过程,揭示表面活性剂聚集数、盐种类及浓度对表面活性剂脱附过程的影响机制。发现球状胶束半径及偏心率均随聚集数增加而增大,盐浓度的影响主要取决于抗衡离子的半径和吸附特性,半径更大、吸附更强的水杨酸根离子对胶束结构的影响更为显著;基于伞状采样方法获得了表面活性剂脱附自由能、脱附时间等关键参数,发现球状胶束中表面活性剂脱附自由能和脱附时间均随聚集数和盐浓度呈非单调变化,揭示其主要机制为离子吸附引起的静电屏蔽作用;发现自由能在表面活性剂脱附过程中起主导作用,结合胶束热力学理论发展了临界胶束浓度预测方法,获得了临界胶束浓度下胶束尺寸的分布范围。 相似文献
84.
85.
根据国家环保总局的统一部署及省环保局《关于开展全省土壤污染状况调查工作的通知》精神,陕西省环保局不久前在西安召开了全省土壤污染调查工作安排及培训会议。全省11个市环保局及环境监测站负责土壤污染工作的负责人及相关技术人员40余人参加了此次会议。会上安排了陕西省土壤污染调查工作实施方案及各市承担的任务,提出了相关要求。省环境监测站就此次土壤污染调查工作及土壤污染调查中的采样技术,质量控制及仪器使用等技术进行了培训,并对各市提出的问题进行了解答。 相似文献
86.
Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology 下载免费PDF全文
This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS
(metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate
layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process.
The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of
the devices were monitored before and after $\gamma $-ray
irradiation. The parameters of the devices with different layout
under different bias condition during irradiation at different total
dose are investigated. The results show that the enclosed layout not
only effectively eliminates the leakage but also improves the
performance of threshold voltage and transconductance for NMOS
(n-type channel MOS) transistors. The experimental results also
indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for
enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed
between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed
gate PMOS transistors. 相似文献
87.
RPC溢出漏洞成为Windows系统安全的巨大威胁。介绍了RPC的原理,研究了RPC中Stub的数据构造和标准,分析了堆结构和堆溢出原理,总结了堆溢出漏洞的利用方法,针对一个RPC堆溢出漏洞分析了利用过程,提出了RPC堆溢出漏洞攻击的防范措施。 相似文献
88.
引用某热电厂100MW机组给水系统的变频改造实际运行和测试结果,证明在电厂给水系统中应用给水变频控制系统进行改造是切实可行的。不仅可以有效改善系统自动化水平和控制品质,而且可以取得良好的经济效益。 相似文献
89.
随着器件特征尺寸的缩小,热载流子带来的器件蜕化效应越来越严重。电荷泵方法可用于表征陷阱电荷的分布。但由于局部阈值电压窄峰的影响,传统电荷泵法在测试陷阱电荷分布时存在误差。本文提出了一种改进型电荷泵测试方法,可用于精确提取纳米尺度器件中陷阱电荷的横向分布。
本文采用0.12微米的SONOS器件来验证这一方法的有效性。通过编程控制,使SONOS器件形成大约50纳米的阈值电压窄峰。采用新方法测试得到的陷阱电荷分布与测试得到的阈值电压有较好的一致性。 相似文献
90.
合成了一个新配合物[Mn(napn)(CH3OH)2]ClO4 (C26H26 Cl N2O8Mn,Mr = 584.88,H2napn = 双a-萘酚醛缩乙二胺),并测定了其晶体结构。晶体属于三斜晶系,空间群P ,a = 7.813(1),b = 13.025(2),c = 14.089(2) ? = 64.89(3), = 83.98(3), = 78.11(3)海琕 = 1270.16 ?,Z = 2, Dc = 1.529 g/cm3, F(000) = 604, R = 0.0837, wR = 0.1636。锰(Ⅲ)离子的配位构型为拉长的八面体。Schiff碱配体napn2-中的N2O2在赤道平面与锰(Ⅲ)形成四配位,2个CH3OH中的O原子分别在赤道平面两侧轴向位置与锰(Ⅲ)配位。由于Jahn-Teller效应,轴向上的MnO平均键长为2.52 拧A硗猓О写嬖诜肿幽诤头肿蛹淝饧? 相似文献