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多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底,制备了微型微波共平面波导,采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数;提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明,在20μm多孔硅上的波导,其插入损耗在1-30GHz范围内为1—40dB/cm;而在70μm多孔硅上制备的波导,其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算,推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65%。 相似文献
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在分析片上螺旋电感的磁场分布及射频损耗机制的基础上,研究了电感的金属线宽及线圈间距的变化对电感性能的影响,在大量数值分析基础上提出了金属线宽与间距之和不变,而金属线宽与间距之比从外圈到内圈逐渐减小的渐变型片上螺旋电感,并得到了实验验证,多组样品的测试结果与数值分析结果相吻合,以2.4 GHz频段处为例,在高阻硅衬底上制备的5 nH渐变结构电感的品质因子Q为11,比具有相同外径和电感值的固定金属线宽及间距的传统电感高19.6%. 相似文献
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采用3D TCAD软件仿真分析了单界面陷阱对7 nm P型全环栅场效应晶体管DC和AC性能的影响。研究结果表明:单个陷阱能使转移特性曲线发生严重偏移;当单界面陷阱位于沟道中心附近且陷阱能级靠近导带时,对关态电流和阈值电压的影响最大;陷阱使栅电容的相对变化量小于1%;环栅晶体管沟道长度和纳米线直径的缩小会加重陷阱对器件性能的影响,高介电常数材料的Spacer可减小陷阱引起的沟道能带弯曲程度,从而缓解陷阱对器件性能的影响。在调节器件结构参数使器件性能最大化的同时,应使陷阱对器件性能的影响最小化。 相似文献
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负偏压温度不稳定性(NBTI)效应已成为影响数字电路设计的重要可靠性问题之一。首先讨论了PMOS晶体管中NBTI效应对数字电路的影响,提出针对不同工艺PMOS管中NBTI效应建模的流程,设计了一种基于SPICE模型的NBTI仿真模型。该模型能够通过Cadence软件调用,并在实际的数字电路设计中进行动态仿真,预测NBTI效应对电路性能的影响。基于该建模流程,在Cadence软件中对基于40 nm工艺的一级两输入与非门和四十级反相器组成的环形振荡器进行仿真。仿真结果表明,该模型能够对不同工艺下PMOS管中的NBTI效应进行准确、有效地仿真,为数字电路的可靠性设计提供保障。 相似文献
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