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171.
综述了以往钼、铁、铝、镁等单晶临界切应力温度依赖性的实验;指出:在滑移系统不变的条件下,在一定的温度范围内,临界切应力和温度呈近似指数关系是相当普遍的规律。Morse势函数应用和实验的吻合说明原子间力对屈服应力的重要作用。结合近来发展讨论今后的发展,指出金属范性的本质深入到电子结构层次研究的重要意义。 相似文献
172.
本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构. 相似文献
173.
一个新的多项式不可约判定定理梅汉飞,龙占洪(湖南常德师专415000)(湖南常德市五中)本文利用复数性质深化了Brow,Graha判定定理[1],使其有更广的应用范围.约定Q为有理数域,Z为整数环,表示x的共轭数,表示集A的元素个数.表示多项式v(x... 相似文献
174.
Spatial Interference Effect of Two—Photon in Femtosecond—Pules Pumped Spontaneous Parametric Down—Conversion
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We have used the transverse correlated properties of the entangled photon pairs generated in the process of spontaneous parametric down-conversion,which is pumped by a femtosecond pulse laser,to perform Young‘s interference experiment.Unlike the case of a continuous wave laser pump,a broadband pulse laser pump can submerge an interference pattern.In order to obtain a high visibility interference pattern,we used a lens with a tunable focal length and two interference filters to eliminate the effects of the broadband pump laser.It is proven that the process of two-photon direct interference is a post-selection process. 相似文献
175.
176.
本文通过几年来对渐西洞穴气侯考察资料的分祈,揭示了该区不同类型洞穴各气象要素的时空分布特征及变化规件井探讨了其形戈原团._、为如何合理开发和科学刊侧洞穴洛源以及洞穴气侯的理论研究提供了一个实例. 相似文献
177.
不久前,中国联通公司董事长杨贤足在接受一个媒体的采访中指出,为了更好地直面中国加入WTO以后的挑战,联通要做好很多工作,其中一条即为:以客户为中心,以市场为导向,建立灵活高效的市场营销体制。可以说,作为开拓市场的一个手段,营销之于电信企业的重要性不言而喻。 相似文献
178.
冲绳海域地形复杂且冬季存在较强的黑潮海洋锋,利用数值实验研究斜坡地形和海洋锋同时存在时由浅海至深海的声传播特性。海洋模式数值预报环境数据表明,分布于冲绳海槽斜坡上方的海洋锋导致该海域上层水体声速存在水平变化,纬度越高,水平变化越大。利用抛物方程声场模型计算声传播损失,通过简正模态分析存在表面声道的环境中声能量分布,利用声线轨迹图解释海底斜坡和海洋锋对声传播的影响。结果表明:声源频率低于表面声道截止频率时,声传播主要受海底地形影响;声源频率高于表面声道截止频率时,位于表面声道内的声源激发的声能量主要在表面声道传播,部分声能量从表面声道泄漏沿斜坡向深海传播,位于表面声道深度以下的声源激发的声能量主要沿斜坡向深海传播,斜坡地形导致表面声道下方至共轭深度这一深度范围呈现为声影区,海洋锋的存在可导致表面声道传播损失变化明显,影响程度与声源深度有关。 相似文献
179.
戴姜平孙岩李征常龙姚靖懿程伟 《固体电子学研究与进展》2021,(3):F0003-F0003
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能,器件电流增益(β)为25,击穿电压(BVCEO)为4.2 V(Je=10 μA/μm2),电流增益截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)分别达到390 GHz和620 GHz。基于0.25 μm InP DHBT工艺,研制了340GHz单片集成放大器,该放大器小信号S参数测试结果如图3所示,300 GHz 增益为 15 dB,340 GHz 增益为 7.5 dB。 相似文献
180.
旋风分离器压力损失及减阻杆的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文介绍通过安装旋风分离器减阻杆前后压力损失及分离效率的测定,了解减阻杆对分离器性能的影响.根据流场测定结果,分析了减阻杆的减阻机理及减阻杆减阻时可保证分离效率的原因. 相似文献