一种用于DSCRL绝热电路的新型功率时钟

提出了一种用于DSCRL(双摆幅电荷恢复逻辑)绝热电路的新型四相功率时钟,该功率时钟采用了非对称的方法来优化其时序,比已提出的采用对称技术来优化时序的六相功率时钟更简洁.这种新型的功率时钟用于DSCRL绝热电路后,该电路仍然保持了其能量恢复的高效性,同时还降低了电路设计的复杂性,这一结论已被文中的HSPICE 模拟结果证明.     

MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱和多量子阱激光器深能级研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究经MOCVD生长的硅衬底上GaAlAs/GaAs 单量子阱和多量子阱激光器深能级.样品的 DLTS谱表明,在激光器的量子阱和 n-GaAlAs 限制层里均存在着一个浓度和俘获截面较大的高温电子陷阱,该陷阱可能与MOCVD生长工艺和质子轰击引进的损伤有关,它直接影响激光器的性能.DX中心和高温电子陷阱在量子阱里可能局域在GaAlAs/GaAs层的界面附近.     

高斯光束经圆波片衍射的数值分析

本文以线性衍射理论为基础, 通过数值分析得到高斯光束经圆波片衍射后在垂直平面上的光强分布.并由此进一步数值分析得到高斯光束衍射后的光束有效半径及其光束有效质量因子, 说明高斯光束经圆波片衍射后, 其有效质量因子大于1.     

背脊波导移相器的阻抗匹配研究

本文结合剩磁铁氧体移相器的特殊情况,应用能量等效法,得到铁氧体环中心区域的等效介电常数的计算式。在近似假设的情况下,给出了匹配计算用的理论公式,计算结果与实验所得一致。     

α-Fe中刃型位错与空洞相互作用的分子动力学模拟

本文通过分子动力学方法（MD）,采用嵌入原子势法（EAM）,沿[111]方向插入一层（0-11）半原子面形成位错,然后在模型中插入空洞,模拟了BCC 铁中刃型位错与空洞相互作用,研究了空洞对位错运动的影响机理。模拟结果表明,当温度设定为10K时,位错运动速度快,但空洞直径的大小对位错运动速度的影响不太明显,当高温设定为100K时,由于位错线密度增大并随着空洞直径的增加位错运动速度减小,临界剪切应力也随着减小。最后将模拟计算结果与Osetsky的研究数据及连续体理论模型进行了对比分析。     

侦察中的直扩信号PN序列盲估计算法

为了解决通信侦察中低信噪比下直扩信号PN序列的盲估计问题,分析了矩阵特征分解算法。该算法基于直扩通信的基带信号模型,以及已知直扩信号的伪码周期,通过对信号的自相关矩阵进行特征分解,获取最大特征值对应的特征向量,进而估计出PN序列。理论分析与仿真数值结果表明,该算法在较低信噪比背景环境中,能够准确地恢复出PN序列。     

基于相关脉宽峰值搜索的直扩信号盲同步算法

无论是实现直扩信号的盲解扩还是扩频码序列恢复,严格的同步都是算法的关键,同步精度对扩频码序列估计的误码性能有着重要影响。为此提出了一种基于相关脉宽峰值搜索的直扩信号盲同步算法,仿真分析表明,该算法能够较好运用于低信噪比条件下直扩信号的同步点估计。     

基于SOI CMOS工艺的LDO电路设计

设计了一种1.8～3.3 V的自偏置LDO电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准电路,并且在负载电压和负载电流之间采用电流倍增电路进行隔离,减小了负载电流瞬变造成低压差线性稳压器(LDO)输出电压的变化,提高了LDO的瞬态精度。在关键器件部分采用匹配结构,以减小工艺误差对电路性能造成的影响。基于0.18μm SOI CMOS工艺,用Hspice软件进行电路仿真,用Cadence软件进行版图验证。仿真结果表明,MOS基准电路产生的基准电压温漂为5.6×10-5,LDO的最大负载电流为100 mA,负载电流瞬变的响应时间小于1.5μs,负载调整率为0.3%,整体电路的静态电流为88μA,芯片尺寸为650μm×1 200μm。