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51.
本文分析了传统键盘接口方法所存在的缺陷,提出了一种基于自动扫描消抖原理的硬件接口电路。选用FPGA器件MACH211SP进行了综合和适配。基于Cadence LDV NC-Verilog的时序仿真分析和实际样片电路的功能验证表明,该接口设计完全符合要求。  相似文献   
52.
~~模拟电路芯片设计面临多模WLAN的发展挑战$中科院半导体研究所@石寅 $中科院半导体研究所@于雪峰 $中科院半导体研究所@李拥平~~  相似文献   
53.
基于CMOS器件的离散性机理及误差消除对策,研究了高速、高精度嵌入式CMOS数/模转换器(DAC)IP核的设计与实现.采用行、列独立译码的二次中心对称电流源矩阵结构,优化了电流源开关电路结构与开关次序;利用Cadence的Skill语言独立开发电流源矩阵的版图排序和布线方法.在0.6μm N阱CMOS工艺平台下,12-bit DAC的微分线性误差和积分线性误差分别为1LSB和1.5LSB,在采样率为150MHz、工作电源为3.3V时的平均功耗为140mW.流片一次成功,主要性能指标满足设计要求.  相似文献   
54.
一种低电压工作的高速开关电流Σ-Δ调制器   总被引:1,自引:0,他引:1  
基于作者先前提出的时钟馈通补偿方式的开关电流存储单元及全差分总体结构,本文设计了一种二阶开关电流Σ-Δ调制器.工作中采用TSMC 0.35μm CMOS数字电路工艺平台,在低电压工作下进行电路参数优化.实验表明,调制器在3.3V工作电压、10MHz采样频率、64倍过采样率下实现10-bit精度.与已有类似研究相比,本工作在相当的精度条件下,实现了低电压、视频速率的工作.  相似文献   
55.
本文提出一个采用三阶滤波器,三位量化器的连续时间ΔΣ 调制器。该调制器对环路延迟,时钟抖动,以及RC时间常数变化具有鲁棒性。在积分器设计中,采用了增益带宽积扩展结构的运放,提高了滤波器的线性度。该芯片使用130nmCMOS工艺设计,可以应用在调频接收机中。测试结果表明,在带宽为500 kHz,时钟为26MHz条件下,该调制器实现了72dB的动态范围和70.7dB的信噪失真比,在1.2V电压下消耗2.52mW功耗。  相似文献   
56.
数字集成电路故障测试策略和技术的研究进展   总被引:9,自引:0,他引:9  
IC制造工艺的发展,持续增加着VLSI电路的集成密度,亦日益加大了电路故障测试的复杂性和困难度。作者在承担相应研究课题的基础上,综述了常规通用测试方法和技术,并分析了其局限性。详细叙述了边界扫描测试(BST)标准、可测性设计(DFT)思想和内建自测试(BIST)策略。针对片上系统(SoC)和深亚微米(VDSM)技术给故障测试带来的新挑战,本文进行了初步的论述和探讨。  相似文献   
57.
提出了一种采用单比较器变步长反馈控制和占空比抖动方法的数字DC-DC变换模块.它用6位二进制分辨率占空比的PWM信号实现了7位的电压分辨率.变步长反馈控制的使用使得它具有比恒定步长方案更好的动态性能,而且没有过多增加控制器的复杂度.在1MHz的开关频率下,控制器自身功耗小于0.5mW(不含功率开关及驱动部分).由于电路的模拟部分极少,因此易与数字系统进行单芯片集成.  相似文献   
58.
胡雪青  龚正  石寅  代伐 《半导体学报》2011,32(11):77-81
This paper presents the design and measured performance of a wideband amplifier for a direct conversion satellite tuner.It is composed of a wideband low noise amplifier(LNA) and a two-stage RF variable gain amplifier(VGA) with linear gain in dB and temperature compensation schemes.To meet the system linearity requirement, an improved distortion compensation technique and a bypass mode are applied on the LNA to deal with the large input signal.Wideband matching is achieved by resistive feedback and an off-chip LC-ladder matching network.A large gain control range(over 80 dB) is achieved by the VGA with process voltage and temperature compensation and dB linearization.In total,the amplifier consumes up to 26 mA current from a 3.3 V power supply. It is fabricated in a 0.35-μm SiGe BiCMOS technology and occupies a silicon area of 0.25 mm~2.  相似文献   
59.
彭苗  林敏  石寅  代伐 《半导体学报》2011,32(12):125002-6
A 2.4 GHz radio frequency receiver front end with an on-chip transformer compliant with IEEE 802.11b/g standards is presented. Based on zero-IF receiver architecture, the front end comprises a variable gain common-source low noise amplifier with an on-chip transformer as its load and a high linear quadrature folded Gilbert mixer. As the load of the LNA, the on-chip transformer is optimized for lowest resistive loss and highest power gain. The whole front end draws 21 mA from 1.2 V supply, and the measured results show a double side band noise figure of 3.75 dB, -31 dBm IIP3 with 44 dB conversion gain at maximum gain setting. Implemented in 0.13 μ m CMOS technology, it occupies a 0.612 mm2 die size.  相似文献   
60.
采用英飞凌0.11μm CMOS工艺,实现了一种用于音频范围的高精度Δ-ΣA/D转换器。调制器采用1位量化的5阶单环前馈结构,ADC过采样率为256。A/D转换器模拟调制器工作于5V电压,数字滤波器工作于1.2V电压,整体功耗为20.52mW,版图面积3.1mm2。仿真结果显示,设计的A/D转换器在20kHz信号带宽内达到108.9dB的信噪失真比,有效位数为18位。  相似文献   
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