氘氚化锂分解残渣中微量氚的回收

氘作同位素交换气对除氚后的新鲜氘氚化锂残渣[主要成分是硅锂化合物和二氧化硅，渣中含氚约为0．9443mg／g(渣)]中的微量氚进行氚的计量与回收，为氘氚化锂残渣中氚的回收提供技术支持。     

相对论二极管电子枪设计的分析解与实验的比较

本文对轴对称场二极管区电子运动所遵循的近似轨迹方程进行数值求解,以此做为设计相对论二极管电子枪的依据,与实验结果相比较,符合较好。     

HL—1装置中心热区电子热传导初步分析

在电流及温度分布满足“不变性”原理的基础上,本文分析了等离子体中心热区的能量平衡,求出了电子热传导系数,根据实验数据拟合出HL-1装置电子热传导系数的定标关系为X_e=6.8(n_(eq1))~(-1.2)。此关系与其他托卡马克装置的结果类似。     

CROSS-SPECTRAL MOMENT AND SVD METHODS ESTIMATING THE PARAMETERS OF CLOSE SINUSOIDS IN COLORED NOISE

The cross-spectral estimation methods are efficient in estimating the parameters of sinusoidal signals embedded in colored noise. But up to now, only FPT and cross-periodogram methods are used in this field, the modern auto-spectral estimation method is introduced into cross-spectral estimation in this paper, meanwhile the cross-correlation based Yule-Walker equation is proposed theoretically and the moment and singular-value decomposition (SVD)) algorithms for cross-spectral estimation have been developed. Finally, a numerical example is given for comparing the presented methods with the well-known Cadzow's SVD method.     

La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x/40/60)薄膜- x射线衍射分析表明制备的PLZT(x/40/60)薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜- 通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为2-5—12-6μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱，采用经典色 散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数，同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度- 随着La掺杂浓 度的增大，折射率逐渐减小- 而消光系数除PLZT(4/40/60)薄膜外，呈现逐渐增大的趋势- 分析表明这些差异主要与PLZ 关键词： PLZT薄膜 红外光学性质 红外椭圆偏振光谱     

基于DWT的数字音频水印技术研究

提出了一种基于小波变换的多分辨率数字水印隐藏与检测新算法,算法的优点在于其算法简单。利用小波变换的快速、简单和多分辨率特点,将水印信号隐藏在第1、2、3级的详细分量(细节信号)中保证了水印的稳健性,具有很强的抵御各种信号处理变换的能力,适用于数字语音等信号的版权保护。最后给出了计算机仿真实验结果,证明了本算法的有效性。     

溶胀后的弹性印章进行毛细微模塑

用溶胀后的聚二甲基硅氧烷弹性印章进行毛细微模塑,得到了聚苯乙烯丙酮溶液的微四方点阵图案．较少的PS溶液滴加量会造成孤立不相连的微点阵图形．同时还获得了由于在收缩过程中各部分溶剂挥发速度不一造成的特殊的微点阵图案．     

手机渠道:机会与风险共存

手机市场目前正充满着变数无穷. 这个市场曾带给我们太多的惊奇:2001年,中国成为全球最大的手机市场,并仍然存在极大的成长空间;今年年初,联通正式开通CDMA网,移动通讯市场由一强独霸天下变成两虎相争;截止到5月份,国产手机市场占有率已经达到了18%,预计在年底将达到30%;一大批新的企业也加入到了国产手机行列这是一个变革的年代,对手机生产厂商是这样,对手机渠道经销商更是这样.同时,对于手机渠道经销商来说,还意味着更大的机遇与挑战--变革,本身就是机遇与挑战两者相加的代名词.     

拟协调元的精度分析

利用双参数有限元的框架，证明利用拟协调元方法构造的非协调三角形板元都具有一个非常特殊的性质。即相容误差比插值误差高一阶。这是常规有限元和一般非协调元所不具备的。