美国芯片载体发展动向

<正> 在微电子组装技术(指高密度表面组装技术)中,芯片载体已经成了不可缺少的基础元件之一。早在1977年美国就制订了芯片载体的JEDEC标准(1),1980年又作了修订(7)。其他发达国家也相继应用了芯片载     

大管径油气两相流流型变化机理的研究

本文对大直径水平和不同倾角的倾斜管道内油气混输流动的流型及流行转换进行了研究,探讨大直径油气混输管道不同倾斜度油气两相流动过程中段塞流的形成机理。在大型多相流流动模拟实验装置上,模拟油气在大直径管道内的混输流动。通过改变倾斜角度,研究倾角分别为1°、5°以及10°下的油气两相流流型及流型转换的特性,实验结果表明,倾斜角度对段塞流流型的产生及其变化影响显著。     

六方氮化硼单层中一种(CN)3VB缺陷的第一性原理计算

二维六方氮化硼(hBN)的点缺陷最近被发现可以实现室温下的单光子发射,而成为近年的研究热点.尽管其具有重要的基础和应用研究意义,hBN中发光缺陷的原子结构起源仍然存在争议.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究hBN单层中一种B空位附近3个N原子被C替代的缺陷(CN)3VB.在hBN的B空位处,3个N原子各自带一个在平面内的悬挂键及相应的未配对电子,而通过C替换可以消除未配对的电子.系统研究了(CN)3VB缺陷的几何结构、电子结构以及光学性质,结果表明,缺陷可以由一个对称的亚稳态经过原子结构弛豫变成1个非对称的、3个C原子连在一起的基态结构.缺陷的形成在hBN中引入了一些由缺陷悬挂σ键及重构的π键贡献的局域缺陷态.这些缺陷态可以导致能量阈值在2.58 eV附近的可见光内部跃迁.本文的工作有助于进一步理解hBN中点缺陷的构成及光学性质,为实验上探讨发光点缺陷的原子结构起源及其性质提供理论依据.     

再遇“共享”难题

刚刚总结了“解决共享故障”的方法,就又遇到了新问题。一天,我让一同事从我的电脑上拷贝资料,同事说拷贝不了。我不相信,跑到他电脑上一看,果然如此,提示内容如图1所示。     

不“履职”的卡巴斯基管理控制台

公司购买了一套网络版卡巴斯基杀毒软件,可以接入互联网的电脑终端选择从卡巴斯基实验室进行病毒库更新;无法联上互联网的终端,在局域网内搭建了一病毒库升级服务器,让没有条件上互联网的终端可以通过网络代理实现病毒库的及时更新。     

高功率垂直腔面发射激光器的湿法腐蚀工艺

为提高高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)光电性能,对氧化限制型高功率VCSEL湿法腐蚀工艺进行了实验研究。实验中采用H₃PO₄系溶液替代以往制备此类器件常用的H₂SO₄系溶液作为高功率VCSEL外延片的腐蚀液,利用扫描电镜(SEM)研究了腐蚀后外延片氧化窗口的腐蚀形貌变化与腐蚀液浓度的关系,消除了以往采用H₂SO₄系溶液腐蚀时,高功率VCSEL氧化层侧壁出现的"燕尾"结构;通过改变湿法腐蚀工艺的外部温度条件和腐蚀液的浓度配比,实验研究了高功率VCSEL湿法腐蚀速率规律,最后得出了制备高功率VCSEL时湿法腐蚀工艺的最佳外部温度条件与腐蚀液的最佳浓度配比。     

流动注射在线过滤稀释原子吸收测定药物制剂中安乃近的方法研究

提出了测定安乃近的FI-AAS分析新方法。此法基于在适当酸度条件下安乃近将Cu^2 还原为Cu^ ，新生成的Cu^ 与SCN^-生成沉淀，经流动注射在线过滤稀释，以AAS法测定反应剩余Cu^2 的量来间接测定安乃近的含量。安乃近的浓度在2-100mg/L范围内吸收值呈良好的线性关系。回收率为97.0%-102.5%，采样频率为100次/h。     

复杂物质的系统分析——剖析方法概述

剖析方法是用于解决一些复杂体系样品分析而采用的一种综合系统分析方法。本文概述了剖析方法的一般特点、研究程序以及它在科学研究中的学术地位和国民经济中的价值。它把各种单一分析方法获取的数据,综合分析提取物质结构与成分信息,用以解释物质的某种特别属性和一种科学现象中的“为什么”,以及在技术科学中某种产品的制造工艺”如何做”,在应用科学中的用途“做什么”。它是把分析化学与多种应用技术科学紧密相联的一个纽带。     

一类常微分方程边值问题二点格式的算法研究

根据文（１）的思想对一类奇异摄动问题给出了高精度的任意不等距二点差分格式，在边界条件处理上对文（１）的算法作了改进，使算法不等距，在奇异点附近网格可任意加密并重点研究了离散方程组的计算方法。数值试验表明，本算法在处理奇异摄动问题时更灵活，更有效。