NH3的同步辐射光电离

用同步辐射光在１０．０－１１．８ｅＶ能量范围内测量了ＮＨ３的光电离效率曲线，观察到在台阶状的离子振动谱上叠加了丰富的自电离结构。通过相应振动结构分析，得到ＮＨ３分子离子基电子态的振动波数ωｅ和非谐性常数（ωｅχｅ），对于出现的自电离结构可归类于ｎｓａ１（ｎ＝５，６），ｎｐａ１（ｎ＝５，６）和ｎｐｅ（ｎ＝６，７）Ｒｙｄｂｅｒｇ系列。     

水下隔声材料的声学优化设计

将约束优化理论引入声学设计领域,以带结构的水下隔声层为分析对象,阐述了序列二次规划算法用于声学优化设计的基本过程和关键步骤。通过对带结构的水下隔声层所用橡胶材料参数的优化设计,为水下隔声橡胶的参数设计提供了设计的基本方向,对于提高其水下隔声性能具有重要意义。     

三角级数属于Ba空间的充分必要条件

该文给出了正弦级数和余弦级数在系数满足NBV条件时属于Ba空间的充分必要条件,所得结论 为Ba空间中的首个此类结果,同时也是对L_p空间中已有结论的本质性推广.     

有理插值问题不适定的根本原因

1　在 Rm,n中的有理插值问题本文记 Pn为次数不超过 n的一元多项式函数类 ,约定零多项式的次数为 -∞ ,即deg(0 ) =-∞ ;记 Rm,n为分子属于 Pm,分母属于 Pn\{ 0 }的一元有理函数类 .对既约分式Am/Bn∈Rm,n,如果 Bn满足尾项规范条件 (即 Wuytack条件 ) [2 ] ,则称其为标准既约分式 .引进一个新的有理函数类 ,记Rl =Rl- 1 ,0 ∪ Rl- 2 ,1 ∪…∪ R0 ,l- 1 .称 Rl 是自由度为 l的一元有理函数类 .并称其中有理函数类 Rl- 1 - i,i为有理函数类 Rl 的基本子类 ,(i=0 ,1 ,… ,l-1 ) .我们约定 :本文中“有理插值问题”如不特殊声明 ,系指文…     

Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察

本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。 关键词：     

毛细现象演示器

玻璃毛细管插在水银槽中,管内水银面低于管周围的水银面。由于水银是不透明的物质,学生难于从正面很好地看清管内的水银面。如果能消除毛细管外正对于我们的前后两面的水银,而保留住管外两侧的水银。那么,我们既能看到管内的水银面,同时又可比较管内、外水银面的高度。为此,我们用3mm 厚的有机玻璃板割成条或块,用丙铜粘成如下二图所示的扁形液槽和毛细管合成装置,达到了预期的效果。     

铜丝球焊键合工艺研究

本文采用MW—EFO金属丝形球装置与JWYH—2型超声热压金丝球焊机进行了φ35μm的纯铜丝的球焊键合试验。对铜丝在不同的超声键合功率及超声作用条件下球焊焊点的拉脱力进行了测定,试验结果表明,铜丝球焊具有较高的键合强度,其焊点拉脱力最高可达20克,这一结果明显优于金丝球悍的焊点强度。本文还用扫描电镜对铜丝球焊焊点的形貌进行了观察分析。     

用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长

观察了Ge,Ge/Si交替外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象,并由此研究了Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Ge,Ge/Si超薄叠层的生长行为和生长特性。利用RHEED强度振荡,锁相控制生长了Ge(2ML)/Si(2ML),Ge(4ML)/Si(4ML)超薄超晶格。 关键词：     

实现Hough变换的一种光学方法

讨论了Hough变换及其与相关计算的关系 ,提出了基于非相干光相关器的 ,以直线阵列作模板 ,以线光源阵列为照明光源的Houhg变换光学系统。并给出了计算机模拟此系统运算的结果。     

Mntz有理逼近的点态估计

给定 M >0 ,设Λ ={λn} ∞n=1是一个实数序列 ,满足 0≤λ1<λ2 <… ,且对所有 n≥ 1,有λn+ 1-λn≥ Mn .本文得到了 Müntz系统 { xλn}有理逼近的一个点态估计 .