Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察

本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。 关键词：     

毛细现象演示器

玻璃毛细管插在水银槽中,管内水银面低于管周围的水银面。由于水银是不透明的物质,学生难于从正面很好地看清管内的水银面。如果能消除毛细管外正对于我们的前后两面的水银,而保留住管外两侧的水银。那么,我们既能看到管内的水银面,同时又可比较管内、外水银面的高度。为此,我们用3mm 厚的有机玻璃板割成条或块,用丙铜粘成如下二图所示的扁形液槽和毛细管合成装置,达到了预期的效果。     

铜丝球焊键合工艺研究

本文采用MW—EFO金属丝形球装置与JWYH—2型超声热压金丝球焊机进行了φ35μm的纯铜丝的球焊键合试验。对铜丝在不同的超声键合功率及超声作用条件下球焊焊点的拉脱力进行了测定,试验结果表明,铜丝球焊具有较高的键合强度,其焊点拉脱力最高可达20克,这一结果明显优于金丝球悍的焊点强度。本文还用扫描电镜对铜丝球焊焊点的形貌进行了观察分析。     

用RHEED强度振荡锁相外延控制Ge/Si超晶格的生长

观察了Ge,Ge/Si交替外延时的反射式高能电子衍射(RHEED)强度振荡现象,并由此研究了Si(100)和Si(111)衬底上分子束外延Ge,Ge/Si超薄叠层的生长行为和生长特性。利用RHEED强度振荡,锁相控制生长了Ge(2ML)/Si(2ML),Ge(4ML)/Si(4ML)超薄超晶格。 关键词：     

实现Hough变换的一种光学方法

讨论了Hough变换及其与相关计算的关系 ,提出了基于非相干光相关器的 ,以直线阵列作模板 ,以线光源阵列为照明光源的Houhg变换光学系统。并给出了计算机模拟此系统运算的结果。     

Mntz有理逼近的点态估计

给定 M >0 ,设Λ ={λn} ∞n=1是一个实数序列 ,满足 0≤λ1<λ2 <… ,且对所有 n≥ 1,有λn+ 1-λn≥ Mn .本文得到了 Müntz系统 { xλn}有理逼近的一个点态估计 .     

成败型串联系统可靠性置信下限的近似解

成败型串联系统可靠性置信下限的经典精确解的求法早在1957年已由Buehler提出。但由于经典精确解的计算过于复杂,因此六十年代以来学者们相继提出了多种求近似解的方法。但他们在提出求近似解的方法时往往仅仅提出方法本身,给出个别的数字例子,而对方法所得结果的好坏很少评价。显然,正确地评价各种近似方法的好坏,通过比较,从中挑选一种在理论上较有依据,且在实际使用中又较为可取的近似方法是至为重要且有实际意义的。 本文通过大量的模拟计算,对近年来国内外学者们所推崇的和广为使用的六种近似方法(MMLI,LR,AWI,WOODS,AO,L-M法)作了多方面的比较,并着重对L-M法的计算结果进行了分析研究,在这一基础上,我们挑选出较为理想的近似方法—L-M法。     

81Zr和85Mo的β延迟质子衰变

运用p-γ符合测量技术，详细研究了T     

关于光波的复指数表示

本文从光波复指数表达式中位相因子正负号的含义出发，讨论了两种复指数表达式与琼斯矩阵、吸收媒质的复折射率以及吸收媒质表面光反射的偏振性质之间的关系．最后给出了两组相应的表达式以保持符号的一致性．     

铜丝球焊形球工艺研究

本文采用MW—EFO金属丝形球装置考察了直径为35μm的纯铜丝的形球性能。文中对脉冲次电压、脉冲次数、脉冲频率、频宽比及氩气流量对形球质量的影响进行了分析,指出严格控制烧球能量的大小对控制球径和球度具有重要意义。并且指出,良好的气体保护是保证形球质量的关键。本文还对脉冲高压作用下的铜丝形球过程进行了初步分析。