一种基于有限元分析的杨氏模量的能量等效方法

基于能量等效原则,本文提出了一种特定阻尼结构中粘弹性材料等效杨氏模量常值的获得方法。通过有限元优化分析,对比橡胶材料动态杨氏模量和杨氏模量常值在同一阻尼结构的能量特性,从而找到了最能表征粘弹性材料动态杨氏模量的等效杨氏模量常值。经验证,该方法获取的等效杨氏模量常值在能量特性上能很好地反映动态杨氏模量,能为该结构的数值计算和软件仿真提供便利。     

单边分子束外延硅pn结C-V关系的新特点

本文研究了以分子束外延硅为超薄n区的pn结的C-V特性,推导了当该结的耗尽区扩展到外延层边缘后的C^-2-V关系。据此,由实验可求出非故意掺杂的硅分子束外延层的杂质浓度为8.0×10¹⁴cm^-3。从而建立起一种测量超薄分子束外延层掺杂浓度的新方法。 关键词：     

蒸发冷却空调系统在地铁中的适用性研究

通过在地铁中采用蒸发冷却空调系统,对室内外空气计算参数的确定以及冷负荷构成进行了探讨,对夏季空调室外空气设计计算参数满足率进行分析,与传统空调做了经济分析.     

基于DSP Builder的移相键控调制解调系统设计

为了进一步研究2PSK非相干解调方案在完整的调制解调系统中的实用性,设计了基于差分相干解调的2DPSK和基于非相干解调的2PSK两种调制解调系统,利用Matlab/Simulink下的系统级设计工具DSP Builder,对两种调制解调系统进行建模与仿真,仿真结果验证了设计的正确性.将两种系统在逻辑资源为百万门的Cyclone II系列FPGA芯片EP2C35F672C6上进行实现,对两种系统的硬件实现性能进行对比分析,结果显示,基于非相干解调的2PSK调制解调系统在资源占用率和处理速度方面具有更优良的性能.     

SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量

用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺铒（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层,用无接触法测量了它们的横向磁阻,并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。     

20.6W激光二极管直接上能级抽运Nd:YVO4薄片激光器

使用自行搭建的24通抽运系统,实现了880nm激光器二极管直接上能级抽运的Nd:YVO4薄片激光器。采用厚度为0.3mm、掺杂原子数分数为0.5%的Nd:YVO4薄片晶体,在39.3W的抽运功率下获得了20.6 W的1064nm连续激光输出,光-光转换效率超过50%。     

基于ZigBee无线传感器网络的实验室监控系统设计

探讨了ZigBee作为一种无线个人区域网络技术的特性,提出了基于ZigBee无线传感器网络的实验室监控系统的设计。该设计能够实现实时可靠的数据传输,并具有良好的弹性与可扩展性,可以有效提升实验室环境的远程监控功能。此低功耗、低数据速率、低复杂度、低成本的网络构型可以作为无线监控领域新的配置方案。     

宽范围无跳模外腔可调谐半导体激光器

具有宽调谐范围、无跳模以及高光谱纯净度的半导体激光器在超精细光谱、相干检测和光纤智能感知等领域有着重要的应用。但是受到半导体激光器固有运转特性的制约,通过传统的单片集成式半导体激光器难以获得高光谱纯净度的宽范围可调谐激光输出。因此文中采用闪耀光栅作为外腔反馈元件,单角面度半导体增益芯片作为增益介质,通过Littman-Metcalf外腔振荡结构实现了1 480～1 580 nm的宽调谐范围、无模式跳变的线宽小于98.27 kHz的激光输出,在注入电流为410 mA的条件下获得了16.95 dBm的峰值功率、全范围功率优于14.96 dBm和边模抑制比优于65.54 dB的输出。相应的实验结果表明：采用机械刻划闪耀光栅的Littman-Metcalf结构用于半导体激光器,可很大程度的改善半导体激光器的综合性能。该研究有利于推动其在提升光频域反射仪测量精度方向的应用。     

基于CMOS图像传感器的视频采集系统设计

提出了一种采用Altera公司CycloneⅡ系列的FPGA作为主控芯片,采用OV7670这款CMOS图像传感器作为视频信号源并采用sRAM（静态随机存储器）作为数据缓存的实用方案,实现了对图像传感器寄存器配置、图像传感器输出信号采集、图像数据格式转换、图像数据缓存及最终在VGA显示器上进行图像显示的一系列过程。该视频采集系统设计能够很好地满足实时图像的输出需求。