全文获取类型
收费全文 | 588篇 |
免费 | 136篇 |
国内免费 | 197篇 |
专业分类
化学 | 214篇 |
晶体学 | 3篇 |
力学 | 13篇 |
综合类 | 20篇 |
数学 | 88篇 |
物理学 | 239篇 |
无线电 | 344篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 20篇 |
2022年 | 18篇 |
2021年 | 14篇 |
2020年 | 23篇 |
2019年 | 21篇 |
2018年 | 23篇 |
2017年 | 17篇 |
2016年 | 14篇 |
2015年 | 16篇 |
2014年 | 54篇 |
2013年 | 31篇 |
2012年 | 25篇 |
2011年 | 26篇 |
2010年 | 30篇 |
2009年 | 27篇 |
2008年 | 45篇 |
2007年 | 40篇 |
2006年 | 26篇 |
2005年 | 22篇 |
2004年 | 18篇 |
2003年 | 19篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 18篇 |
2000年 | 15篇 |
1999年 | 34篇 |
1998年 | 26篇 |
1997年 | 36篇 |
1996年 | 24篇 |
1995年 | 35篇 |
1994年 | 33篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 20篇 |
1991年 | 29篇 |
1990年 | 20篇 |
1989年 | 10篇 |
1988年 | 10篇 |
1987年 | 7篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 2篇 |
1977年 | 1篇 |
1973年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
1933年 | 2篇 |
排序方式: 共有921条查询结果,搜索用时 31 毫秒
31.
32.
33.
鲁棒稀疏重构问题是信号处理领域的重要问题,该问题的数学本质是一个NP难的数学优化问题.同伦算法是一类典型的路径跟踪算法,该算法是解非线性问题的一类成熟算法,具有全局收敛性,且易于并行实现.本文考虑同伦算法在鲁棒稀疏重构问题中的数值求解.基于l_∞范数及罚函数策略,我们首先将原始的基于l_0范数的最优化模型,转化为含参数的无约束极大极小值问题,进而构造凝聚函数光滑化模型中的极大值函数,并构造凝聚同伦算法数值求解.数值仿真实验验证了新方法的有效性,为大规模鲁棒重构问题的并行化数值求解奠定基础. 相似文献
34.
随着信息时代各种信息化产品和信息化产业的蓬勃发展,信息化已经逐步成为一种能够提升非物质科技向物质财富转换的无形力量。信息化已经融入到各行各业中,无论是对于民族还是国家,信息化水平对于提升核心竞争力都有举足轻重的作用。本文针对我国信息化的水平和现状进行了宏观的前瞻性探索和展望,然后根据目前信息化建设过程中存在的问题,提出了几种常见的技术探索方式。 相似文献
35.
该系统是基于高频宽带运放OPA695和可控增益放大器LMH6502组合而成的射频宽带放大器,可实现0~60 d B连续可调。由于O PA695是一款具有超低输入噪声电压信号的电流型运放,所以将其作为前级放大。LMH6502作为第二级放大电路可通过DA控制其增益大小,变化范围为-40~20 d B。最后一级经OPA695进行信号的总体放大,使其总增益可达到60 d B以上。调零电路使整个放大器最大程度的减小了直流偏移,并通过减小电源纹波和使用屏蔽线等方法将噪声减小到最小。同时,放大器增益可预设,并可将增益同步显示在LCD上。 相似文献
36.
37.
Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a function of dose rate. A "true" dose rate effect (TDRE) is observed. Increased damage is observed at low dose rate (LDR) than at high dose rate (HDR) when annealing is taken into account. A new method of simulating radiation induced degradation in shallow trench isolation (STI) is presented. A comparison of radiation induced offstate leakage current in test nMOSFETs between total dose irradiation experiments and simulation results exhibits excellent agreement. The investigation results imply that the enhancement of the leakage current may be worse for the dose rate encountered in the environment of space. 相似文献
38.
给出了一类用广义杨辉三角阵定义的Bernstein型算子线性组合加Ja-cob i权的逼近在一致逼近意义下的特征刻划. 相似文献
39.
利用具有同步辐射源的反射式飞行时间质谱仪,研究甲基环己烷的真空紫外光电离和光解离. 观测到母体离子C7H14+和碎片离子C7H13+,C6H11+,C6H10+,C5H10+,C5H9+,C4H8+,C4H7+和C3H5+的光电离效率曲线. 测定甲基环己烷的电离能为9.80±0.03 eV,通过光电离效率曲线确定其碎片离子的出现势. 在B3LYP/6-31G(d)水平上对过渡态、中间体和产物离子的优化结构进行表征,并使用G3B3方法计算其能量. 提出主要碎片离子的形成通道. 分子内氢迁移和碳开环是甲基环己烷裂解途径中最重要的过程. 相似文献
40.
The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm was studied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of molecule Si(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.02 eV and 7.00±0.03 eV respectively. In addition, the appearance potentials of Si(CH3)2Cl+, Si(CH3)3+, SiCl+ and SiCH3+ were determined:
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献