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101.
102.
The title compound (ethyl5-(4-(2-phenylacetamido)phenyl)-1H-pyrazole-3-carboxy- late, C20H19N3O3) was synthesized by the reaction of Claisen condensation, cyclization, reduction and acylation. The structure was characterized by X-ray diffraction, MS, NMR and IR. It belongs to the monoclinic system, space group C2/c with a = 22.723(9), b = 9.324(4), c = 18.890(8) , β = 114.259(6)°, V = 3649(3) 3, Dc = 1.272 Mg·m-3, Z = 8, Mr = 349.38, μ = 0.087 mm-1, F(000) = 1472, the final R = 0.0615 and wR = 0.1643. The biological test shows that the title compound has a moderate acrosin inhibition activity. 相似文献
103.
研究了硅雪崩光电二极管(APD)对光通信波段近红外光子在不同频率、强度,以及APD 不同偏压下的双光子吸收效应(TPA)。通过实验详细测量了光频率从186.3 THz 到196.1 THz 变化时APD的TPA 效率,结果表明:随着入射光频率的不断增加,TPA 效率呈现出先增大、后减小的规律,并且在190.5 THz 附近达到最优效率。此外,在实验中观察到,随着入射光强的增大,TPA 效率也呈现出先增大、后减小的现象(此实验中的峰值光强度约10 mW)。 相似文献
104.
多次散射的卷云激光雷达比反演方法研究 总被引:3,自引:3,他引:0
提出了一种Mie散射激光雷达在考虑多次散射影响时求解卷云激光雷达比的新方法。首先,根据多次散射激光雷达方程,构建关于气溶胶消光系数边界值和卷云有效激光雷达比的非线性方程组;其次,采用非线性粒子群算法求解方程组,同时得到气溶胶消光系数边界值和卷云的有效激光雷达比;然后,使用Platt的多次散射因子方程,结合邱金桓参数化的多次散射对一次散射比,计算多次散射因子,进而求得卷云的激光雷达比。使用Mie散射激光雷达真实回波信号进行了实验验证,结果表明,方法收敛速度快,精度较高,具有很好的应用价值。 相似文献
105.
微波处理可以破坏木材的微观结构,有效提高木材的流体渗透性。为探究微波处理木材流体渗透性改善机理,同时为人工林木材的功能化改性研究提供理论依据,文章对杉木、落叶松、樟子松、毛白杨、泡桐及尾巨桉六种木材进行微波处理实验。从扫描电镜图片中可以看出,微波处理后,微波处理材会产生射线薄壁细胞之间或与轴向组织的胞间层处产生破坏、闭塞纹孔的打开、纹孔膜破坏、细胞壁破坏及内含物重新分布等变化。微观结构的破坏导致处理材力学性能下降。其中,微波处理后樟子松、杉木、落叶松、尾巨桉、毛白杨及泡桐的抗弯弹性模量(MOE)较处理前分别下降了31.1%、35.4%、45.6%、5.5%、24.4%和23.2%;抗弯强度(MOR)分别下降了38.4%、29.4%、67.2%、9.1%、34.0%和29.1%。同时,不同树种木材中不同的微观结构破坏形式造成处理材不同的吸水性测试结果。而根据微波处理材的吸水性及力学性能测试结果,可以选择适合用于微波处理后进行功能化改性处理的树种。 相似文献
106.
文中设计了一种基于FlexRay总线的安全性汽车线控制动系统及其控制方法。该系统位于汽车制动踏板和4个车轮的液压制动缸之间,踏板传感器的输出同时进入踏板传感器信号检测单元的3个复制确定性故障抑制单元,得到正确的踏板位置信号以报文形式发送到双通道FlexRay总线上,车轮容错单元读取FlexRay总线上的报文,计算分析分配制动力。该系统能够容忍任一通信系统、容错单元中的任一FCU和TMR执行器中的任一马达的随机失效,提高了电子化制动系统的容错能力和汽车的安全运行能力。 相似文献
107.
高Verdet常数的Tb3+铝硼硅酸盐玻璃 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了一种铝硼硅酸盐基质玻璃,通过加大单位体积的稀土离子浓度,并选择P值大的顺磁性Tb3+作为弗尔德常数贡献的主要离子,经反复试验研究,制定合理的熔制工艺,得到性能稳定的透明顺磁旋光玻璃。弗尔德常数V=-0.375/Oe·cm。是目前世界上弗尔德常数较高的磁旋光玻璃。 相似文献
108.
109.
A new surface cleaning method for Si MBE is described in which a very weak Ge beam flux is deposited on the surface for removing the thin passivative layer of SiO2 on the Si subetrate. It has proved that the SiO2 will react with Ge at a relatively low temperature (620℃), and as a result, the oxide layer becomes volatile. Here the high temperature annealing in the conventional Shiraki method is no longer required, and since the oxide layer is removed in ultra high vacuum, only very little carbon contamination may occur. Furthermore, to reduce the excessive Ge on the substrate surface, Ge is deposited at 620℃ and then the sample is annealed at 700℃; the residual Ge atoms on Si substrate can be reduced to less than 0.1 monolay-er (ML). Ge beam treatment turns out to be an effective low-temperature Si surface-cleaning method, especially for the heteroepitaxial growth of GexSi1-x/Si. 相似文献
110.