Si(100)和Si(111)衬底上的同质分子束外延

用超高真空电子束蒸发系统进行了硅的同质分子束外延.发现采用适当的表面化学处理方法,然后在超高真空中加热,可以在较低温度下(800—814℃)获得清洁和平整的有序表面.Si(100)和Si(111)的外延分别在520℃和714℃进行,外延膜的结构和电学特性良好.     

富硅超稳八面沸石研究：制备,表征,稳定性,羟基酸性及催化活性

用(NH_4)_2SiF_6二次合成法制备了Si/Al=4.2～7.1、结晶度大于94％的系列八面沸石(FSY样品),再于500℃水热处理得到相应的US-SY样品。XRD、DTA及IR研究发现US-SY样品较FSY样品有更高的热稳定性、骨架稳定性和酸强度,其裂解、歧化活性也优于FSY样品。     

索尼公司开发同时提高CCD清晰度和灵敏度的技术

日本索尼公司已开发成同时能提高 CCD(电荷耦合器件)的清晰度和灵敏度。若提高CCD 的清晰度,因接受光部分的面积减小,灵敏度下降,现在一个一个像素的表面上制作透镜,以此来改进集光技术,已解决在提高光能的电流转换效率时所出现的问题。采用这种     

三串联非保守耦合振子功率流Ⅰ：理论

本文推导了稳态随机力激励下的三串联非保守耦合振子功率流表达式。理论分析表明，三串联非保守耦合振子功率流同三串联保守耦合振子功率流表示式类似，它包括直接功率流和间接功率流两项，直接功率流和间接功率流分别与直接耦合和间接耦合振子的存储能量差成正比，比例系数是振子参数和耦合参数的函数。     

锥模型拟牛顿法

1 引 言 对于求解无约束最优化问题 min f(x),f:R~n→R,f∈C~2。Davidon提出了一类非二次模型方法,即锥函数近似模型 f(x)≈c(x)=f(x_k)+(f(x_k)~T(x-x_k))/((1-h_k~T(x-x_k))+1/2((x-x_k)~TA_k(x-x_k))/([1-h_k~T(x-x_k)]~2) (1.1)和共线调比变换     

视频压缩数据有条件接收系统的设计

针对数字化视频图象经压缩后的有条件接收，设计出几种不同的加扰方法，并且提出了一个严密的密钥管理系统，为国内今后全数字ＨＤＴＶ、ＣＡＴＶ和ＶＯＤ等视频节目的收费管理提供了可实用的建议。     

“金字”工程的提出与实施

本文扼要地介绍了我国国民经济信息化基础工程－“金字”工程的由来和进展，重点介绍了江苏“金卡”工程的有关情况，特别是对于“金字”工程的实施提出了一些值得思考和注意的问题，可供领导和有关同志参考。     

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在外杜瓦系统上设置了爆破片装置,借助大型有限元分析程序ANSYS,对爆破片和托架进行了分析,所得结果与实验结果良好吻合,为同类装置的过压泄放提供了有益的参考。