Shepard-Lagrange算子的逼近

本文建立了Shepard-Lagrange算子逼近的正逆定理,证明了可以利用高阶光滑模来刻画Shepard-Lagrange算子的逼近性质.从而说明了Shepard-Lagrange算子比一般的Shepard算子具有更好的逼近性质.进一步,所用光滑模的阶梯函数非常广泛,这是多项式逼近所不具有的.     

二重级数的绝对Cesáro可和性

设s_(mn)为二重级数∑_(n=0)~∞a_(mn)的部分和,T=(t_(mnij))为任意二重无穷矩阵.文中考虑了使得■包含■的充分条件,其中{α_(mn)}和{β_(mn)}为两个给定的正二重数列,k,s0,而{t_(mn)}为{s_(mn)}的T变换.所得结论推广了Savas,Sevli和Rhoades等人的相关结论,并指出了他们的证明是错误的.     

基于小波包分析的陶瓷显微图像处理

陶瓷内部结构信息对于陶瓷质量分析、生产工艺控制是非常重要的.由于陶瓷显微图像在采集和传输过程中不可避免地要受到光照分布不均匀、电子噪声等干扰因素的影响而产生噪声,使得图像的质量变差.需要首先对其进行去噪处理,然后才能进行图像分析.小波包分析是小波分析的推广,将其运用于图像去噪领域,对陶瓷显微图像进行去噪处理.然后按照Watershed算法进行分割,得到陶瓷粒度分布的统计结果.实验结果表明该方法是可行的,并且效果良好.     

Diffie-Hellman密钥交换在蓝牙安全技术中的应用

蓝牙以低成本的近距离无线连接为固定与移动设备实现快速灵活的数据与语音通讯。由 于蓝牙系统的开放性。其安全问题尤为重要,本文对蓝牙安全技术进行了深入的研究,在分析现有蓝牙 安全标准不足的基础上提出了一种基于Diffie-Hellinan蓝牙密钥交换的实现方案。     

超二代像增强器分辨力提高方法

为进一步提高超二代像增强器分辨力,分析了阴极输入窗、多碱光电阴极、微通道板、荧光屏等对超二代像增强器分辨力的影响,提出了减小阴极近贴距离、减小微通道板通道孔径、减小光纤面板输出窗丝径以及对微通道板镀制防电子弥散膜来提高分辨力的方法,并通过实验得到了验证。实验结果表明,随着阴极近贴距离的不断减小,分辨力可以得到逐步提高。阴极近贴距离为0.08mm的条件下,缩小光纤面板输出窗的丝径,缩小微通道板的孔径,且在微通道板的输出面镀制防电子弥散膜,可以使超二代像增强器的分辨力达到72 lp/mm,最高可达到76 lp/mm,比原有超二代像增强器的分辨力提高了33.33%。     

对应用化学专业毕业生的调查分析

为了不断提高教育质量，使毕业生主动适应社会需要，对我系毕业生进行了跟踪调查。获得了毕业生自我评价和用人单位对毕业学生评价、用人单位对毕业生期望和办好专业看法等信息，进行具体分析和说明，提出进一步建设好应用化学专业的设想。     

长链正烷基脂肪酸同系物的傅里叶变换红外光谱研究

本文采用Nicolet 170SX型FTIR仪系统地测定了14种长链正烷基脂肪酸的固态红外光谱。实验表明,正烷基脂肪酸同系物在1180—1325cm~(-1)区域内出现的一系列特征谱带是不完全等间隔的,并且它们随着亚甲基数增加而有规律地向低频方向位移。作者推出六个计算脂肪酸谱带位置的经验公式,其计算值与实验值相当吻合,最大偏差为3.5cm~(-1)。同时预算了C_(21)、C_(23)、C_(25)、C_(27)、C_(28)、C_(29)、C_(30)等七种正烷基脂肪酸的谱带位置。此外,作者对1180—1325cm~(-1)区域出现的一系列特征谱带归属进行研讨,认为它们应归属于锯齿型排列的碳链骨架振动。     

潮湿空气微波放电离子形成动力学

利用微波放电电离质谱装置，通过水蒸气与空气混合气体（潮湿空气）的微波放电，同时获得了化学电离质谱探测技术中常用的三种重要母体离子H3O＋、NO＋和.结合潮湿空气中主要成分N2、O2以及水蒸气各自微波放电后的质谱探测结果，对潮湿空气微波放电后上述三种离子产生的动力学过程进行了分析，并给出了各种离子的形成机制.这些离子 分子反应过程在计算机模拟中得到了进一步的证实.     

二维光子晶体三角形结构带隙研究

通过改变二维光子晶体三角形结构的晶格元胞半径、晶格周期和厚度,模拟其带隙变 化,分析变化规律,为二维光子晶体集成波导提供理论基础。     

ELECTROREFLECTANCE SPECTRA OF GexSi1-x/Si STRAINED LAYER MULTIPLE-QUANTUM WELLS

We have investigated the optical transitions above the fundamental gap of a set of Ge_xSi_1-x/Si strained layer multiple-quantum wells by electroreflectance (ER). The sam-ples were grown by molecular beam espitaxy (MBE). The thickness of the strained layer of Ge_xSi_1-x was 5nm with Ge concentration x in the range from 0.4 to 0.5, and the Si barrier layer greater than 16nm. Considering the energy shift caused by strain and quantum well confinement, we were able to clearly recognize the transitions from different quantum well structures associated with the critical points E₀, E′₀, and E₁. The transitions of the critical points E₀ and E′₀, which are very weak in bulk mateials, are apparently enhanced in the quantum well structures.