Dependence of short channel length on negative/positive bias temperature instability (NBTI/PBTI) for 3D FinFET devices

A comprehensive study of the negative and positive bias temperature instability(NBTI/PBTI)of 3D FinFET devices with different small channel lengths is presented.It is found while with the channel lengths shrinking from 100 nm to 30 nm,both the NBTI characteristics of p-FinFET and PBTI characteristics of n-FinFET turn better.Moreover,the channel length dependence on NBTI is more serious than that on PBTI.Through the analysis of the physical mechanism of BTI and the simulation of 3-D stress in the FinFET device,a physical mechanism of the channel length dependence on NBTI/PBTI is proposed.Both extra fluorine passivation in the corner of bulk oxide and stronger channel stress in p-FinFETs with shorter channel length causes less NBTI issue,while the extra nitrogen passivation in the corner of bulk oxide induces less PBTI degradation as the channel length decreasing for n-FinFETs.The mechanism well matches the experimental result and provides one helpful guide for the improvement of reliability issues in the advanced FinFET process.     

基于随机投影思想的MWC亚奈奎斯特采样重构算法

针对现有调制宽带转换器（Modulated Wideband Converter,MWC）亚奈奎斯特采样重构算法性能不高问题,提出了一种基于随机投影思想的重构算法.该算法首先将MWC所获得的测量值矩阵通过随机投影方法压缩成具有较少向量的新的测量值矩阵,然后利用所提出的求解器求解多测量向量问题,通过检验和重复尝试性求解过程提高MWC的重构性能.从理论和实验两个方面验证了所提出的算法的有效性.实验结果表明,与著名的ReMBo算法相比,该算法有效提高了重构成功率;当信号的频带数相同时,精确重构所需的硬件通道数更小;在相同的硬件通道数前提下,可重构的信号频带数更高.该算法与ReMBo相比运算时间并没有大幅度增加,当信号频带数较大时,不仅重构性能高,而且运算时间比ReMBo小.     

APPROXIMATION BY A CLASS OF MODIFIED SZASZ-DURRMEYER OPERATORS

ThisprojectissupportedbyZhejiangProvincialFoundationofChina.1.IntroductionForjEC[0,1]ther-thBernsteinpolynomialisdefinedbyItwasshownbyH.BerensandG.G.Lorentz([2]in1972)thatif0相似文献   

紧支集上Lp无条件基的迭代生成

利用细分方程和平移伸缩变换,在Rⁿ中的紧支集Ω上构造了L^p(Ω)(p>1)空间的无条件基, 并且给出了一种构造L^p(Ω)中无条件基的算法. 最后利用小波系数刻画了L^p(Ω,ρ)空间中的函数.     

电子节能灯用电路IR53H(D)420

美国国际整流器公司生产的IR53H420与IR53HD420[(以下写为IR53H(D)420)]自振荡半桥厚膜电路,仅需要很少量的外部元件,即可组成电子镇流器,用作驱动双U型、3U型和螺旋型等紧凑型荧光灯。封装、内部结构和性能IR53H(D)420采用7引脚(实际上是9引脚结构,没有5引脚和8引脚)SIP封装,外形及引脚排列如图1所示。IR53H(D)420内置一个高压高速自振荡半桥(M O S栅极)驱动器芯片IR2153C、两只半桥功率M O S F E T芯片。其中,IR53HD420还内置了一只快速恢复(自举)二极管。图2为IR53H(D)420的内部结构框图。图1IR53H(D)420各引脚的功…     

DIFFRACTION OF ELASTIC WAVES IN THE PLANE MULTIPLY-CONNECTED REGION AND DYNAMIC STRESS CONCENTRATION

This paper deals with the problem of diffraction of elastic waves in the plane multiply-connected regions by the theory of complex functions.The complete function series whichapproach the solution of the problem and general expressions for boundary conditions aregiven.Then the problem is reduced to the solution to infinite series of algebraic equationsand the solution can be directly obtained by using electronic computer.In particular,for thecase of weak interaction,an asymptotic method is presented here,by which the problem of pwaves diffracted by a circular cavities is discussed in detail.Based on the solution of thediffracted wave field the general formulas for calculating stress concentrationfactor for a cavity of arbitrary shape in multiply-connected region are given.     

楔形直杆横振自振频率的渐近解法

目前,直接法与Bessel方程法是计算楔形直杆横振自振频率时通常采用的二种方法,它们都有一定的不足之处,前者需要假设振型函数,它直接影响到所求频率的精度,因此在工程设计中为了保证一定的精度要求,振型函数常常选择的比较复杂,从而加大了工作量;后者虽然有不需要猜测振型函数的优点,但是需求解一个比较复杂的超越方     

楔形直杆纵扭自振频率的近似计算

众所周知,楔形直杆纵、扭自振频率通常是用直接法来求的.但为得到一定的精度,振型函数必须选择得好,同时计算量也要加大.刘先志教授提出用 Bessel 方程精确求解的途径,取得了精确解.进一步他又从柱函数的渐近展 ...     

基于YAG/Nd:YAG/Cr4+:YAG键合晶体的被动调Q亚纳秒激光器

全固态被动调Q激光器有光束质量好、脉冲宽度窄、结构紧凑等特点，在雷达探测、工业制造等领域具有广泛应用前景。对YAG/Nd:YAG/Cr⁴⁺:YAG键合晶体被动调Q激光器的输出特性进行了理论和实验研究，在泵浦光中心波长为808 nm、光斑直径为230μm、泵浦功率为6.72 W的泵浦条件下，获得了平均功率1.41 W、脉宽736 ps，重复频率8.46 kHz的调Q激光输出。进一步研究表明，随着泵浦光焦点远离Nd:YAG端面，激光光斑的对称性下降；且泵浦光焦点离Nd:YAG端面的距离沿晶体轴向增大时，激光阈值呈上升趋势。     

“双语教学”在数学教学改革中的实践与创新

在数学课堂上如何进行双语教学,如何使双语教学达到比较理想的教学效果,对这一问题还没有一个较清晰的令人满意的答案.作者从教学内容,教学设计以及英语在课堂中的使用这三个方面进行了探索和实践..