建设二十一世纪的信息化基层政府——满洲里市电子政务规划设计方案

1、满洲里市电子政务建设的背景信息技术的发展,特别是网络技术的发展,正在改变着人们几千年来形成的信息传递方式、人际间的沟通方式和社会管理的组织方式,并深刻地影响着社会生活和政府的运作。信息化程度的高低已成为衡量一个国家综合国力的重要标志,全面实现信息共享已成为世界各国的共识。     

电路课程中替代定理教学的探讨

替代定理是电路课程教学内容的重要组成部分,然而教学中发现初学者学习并灵活应用此定理并不理想。本文根据实际教学经验,从新角度扩展该定理为灵活分析电路提供了新的思路,并讨论定理成立的条件、含有受控源电路的替代和替代与等效的区别。由这四方面对替代定理进行探讨,并基于伏安曲线借助实例进行分析,为替代定理的教学提供了有益的建议。     

基于单片机P0口的片外数据存储器扩展

单片机作为一种微型计算机,其内部具有一定的存储单元(8031除外),但由于其内部存储单元及端口有限,很多情况下难以满足实际需求。为此介绍一种新的扩展方法,将数据线与地址线合并使用,通过软件控制的方法实现数据线与地址线功能的分时转换,数据线不仅用于传送数据信号,还可作为地址线、控制线,用于传送地址信号和控制信号,从而实现单片机与存储器件的有效连接。以单片机片外256 KB数据存储空间的扩展为例,通过该扩展方法,仅用10个Ⅰ/O端口便可实现,与传统的扩展方法相比,可节约8个Ⅰ/O端口。     

一种基于暗网的蠕虫早期检测方法

为了对网络蠕虫等网络攻击行为进行早期检测,论文设计实现了一个基于暗网的可视化的早期检测系统,并采用实际网络实验的方法,在某专用网络中进行实验,结果表明该系统在专用网络中比传统入侵检测系统更早发现蠕虫,且时间提前量十分可观。     

Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜

使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge_0.975Sn_0.025合金薄膜在500 ℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用. 关键词： GeSn Ge 分子束外延 外延生长     

Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物电子结构的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理全势能线性缀加平面波方法(FLAPW),分析了Bi₂Te_3-xSe_x体系中各原子自旋轨道耦合(SOI)的p_1/2修正对体系性质的影响,并对Bi₂Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物的电子特性进行系统的理论研究,首次计算出Bi₂S 关键词： 2Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物')" href="#">Bi₂Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物 第一性原理 电子结构 自旋轨道耦合     

微尺度水平单管内流动沸腾特性实验研究

对非共沸混合工质R134a/R32(75/25)在水平微尺度管道内的流动沸腾换热实验结果进行了分析和讨论,以探究微细通道内流动沸腾换热的主导机制。对影响其换热的多种因素(热流密度、质量流量和质量干度)进行了分析,实验得出,当质量干度较低时,热流密度和质量流量共同控制着微尺度管内的换热方式,当热流密度的影响占主导地位时,管道内的换热以核态沸腾为主;当质量流量的影响占主导地位时,管道内的换热以强制对流为主。     

长途光传输线路技术的发展

光纤线路性能制约着高速率、大容量，远距离光传输系统的发展与应用，文章简要分析了光纤线路技术的最新发展，展望了主要技术的应用前景。     

6GW8推挽功率放大器

本文介绍的6GW8推挽功率放大器主要采用ISO公司的小型输出变压器,该变压器体积为56×50×81mm~3,制成后的功放十分精巧美观。全机仅使用一种型号的真空管6GW8。电路原理如图1所示。1.6GW8的特性6GW8是美国型号,欧洲型号为ECL86,它与14GW8/PCL86除灯丝电压不同外,其它技术参数均相同。6GW8的相似型号为6BM8。此类胆管在音频放大器输出级中被广泛采用。6GW8为旁热式阴极三极—五极复合管。三极管部分用于电压放大,五极管部分用于功率放大。三极管部分在