多层介质光学膜系的误差分析——膜层厚度变化的灵敏度因子

文中推导了对于给定膜系的特定膜层的厚度变化的灵敏度因子计算公式，并给出了用计算机对不同膜系的计算实例。分析了厚度灵敏度因子对膜系透射光谱的灵敏谱段、灵敏膜层等特性的影响规律，并由此给出了确定膜层厚度允差的方法。     

17N+197Au反应中碎片与中子的符合测量

在3?3?.4MeV/u ¹⁷N束轰击¹⁹⁷Au靶产生的反应中,利用放置于不同角度组合的17个中子探测器(4°—83°)和14个半导体望远镜(2.3°—9.0°)对反应产物碎片与中子进行了符合测量.经对所得实验角分布积分得到Z=3—6元素的同位素产额分布.在参加者-旁观者模型框架下,采用¹⁷N原子核内部的不同密度分布计算了同位素产额分布并与实验数据做比较.     

高中代数综合题例解

例1 当实数k取什么值时,函数f(x)=(kx 7/kx~2 4kx 3)-log_(1/3)((1/4)x~2-2~(1/2)-5k 3)的定义域是实数集R。分析:要使f(x)的定义域是R,只需kx~2 4kx 3≠0,且(1/4)x~2-2~(1/2)kx-5k 3>0对任意实数x成立。     

广义准正则格形码距离谱的计算

本文讨论了格形码距离谱的计算问题，定义了度量空间意义下的广义准正则格形码，对具有Ｉｍａｉ与Ｈｉｒａｋａｗａ［２］和Ｕｎｇｅｒｂｏｅｃｋ［３］定义的典型的时不变网格结构的广义准正则格形码，证明了其距离谱可用全零信息序列对应的码字进行计算。在理论上推广了Ｍ．Ｒｏｕａｎｃｅ与Ｄ．Ｊ．Ｃｏｓｔｅｌｏ的结果，解决了非平方欧几里德度量意义下一类ＴＣＭ信号序列的距离谱计算问题     

CSR外靶实验终端中子流测量的模拟

随着兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)外靶实验终端中子墙的建立, 为实验测量高能中子提供了机遇. 为确定CSR外靶实验终端对中子流测量的可行性, 基于BUU理论模型分别对对称系统(Ni+Ni, Pb+Pb)和非对称系统(Pb+Ni)进行了模拟计算, 发现当系统能量达到几百MeV/u时, 中子流信号相当明显, 并与碰撞参数有明显的依赖关系. 模拟结果表明, 在前角20°的覆盖范围内, 可以较好地实现中子流测量所需要的反应平面确定及碰撞参数选择. 对双击事件及其对中子流的影响进行了简单的讨论.     

用DSP56F80x实现三相SPWM波形发生器

文章介绍了SPWM控制的基本原理及用DSP56F80x生成三相SPWM波形的软件设计 ,最后用PCMaster观察变量波形。     

灰色Verhulst模型的样条插值函数的残差修正

本用样条函数对灰色Verhulst模型的残差序列进行插值拟合，然后作用于二阶线性微分方程，并以此修正原模型，得到一种新的预测模型的数值解，提高了拟合的精确度。     

EL34 AB类推挽放大器与UL接法推挽放大器的比较

一、EL34 AB类推挽放大器EL34 AB类放大器电路原理如图1所示。它与B类工作时的电路结构完全相同。输出级的栅极偏置电压-24.6V时,屏极电流64mA,帘栅极电流8.3mA。屏极电压374V时,其功耗为24W;帘栅极电压360V时,其功耗为3W。EL34的屏极额定功耗为25W;帘栅极为8W,说明该放大器实际功耗低于极限功耗。