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21.
以取代的3-羧酸活化色酮、靛红与消旋脯氨酸为原料,乙腈为溶剂,依次经1,3-偶极子[3+2]环加成和脱羧反应,合成了8个新型的二氢色原酮拼接多环吡咯螺环氧化吲哚类化合物 (3a~3h),产率68%~87%, dr值15/1~20/1,其结构经1H NMR, 13C NMR和HR-MS(ESI-TOF)表征。采用MTT法研究了3a~3h对人白血病细胞(K562)的体外抑制活性。结果表明:化合物3d,3f, 3g对K562具有一定的抑制活性(IC50=46.3~69.4 μmol·L-1)。  相似文献   
22.
活泼表面碳的存在寿命及CO甲烷化反应机理的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
23.
近来,RIM高层正在走马灯似的更换,寄望新的高层团队能妙手回春,拯救重疴缠身的RIM。 但笔者认为,如果不提升核心竞争能力,不提高自身发展,等待RIM的不仅仅被收购,而且还会被忘记,被抛弃。  相似文献   
24.
实验研究了真空度对以去离子水和Al_2O_3/H_2O纳米流体为工质的脉动热管传热性能的影响,其中真空度的变化范围在-0.014~-0.098 MPa之间。研究发现真空度对脉动热管的启动和加热功率大于90 W的稳定运行过程的传热均有重要影响。蒸发段的启动功率随真空度的上升而降低。同时,加入Al_2O_3纳米粒子更有利于脉动热管的启动,其蒸发段启动热阻低于同等条件下去离子水的启动热阻。此外,加热功率大于90 W时,去离子水蒸发段的温度会发生剧烈的脉动,且随真空度不断上升,剧烈脉动的现象更加明显,原因可能是高真空度影响了液膜蒸发,使脉动热管的流型提前由弹状流转变到环形流。但加入Al_2O_3纳米粒子后并没有发生剧烈的脉动,可能是纳米粒子的加入延缓了这一现象的产生。  相似文献   
25.
26.
液晶材料具有双折射效应,因此偏振光在液晶材料中各个方向上发生双折射的程度不同,这决定了LCD的视角特性和对比度随视角的变化有所不同。用光栅光谱仪测量在不同电压驱动下负性VA-LCD的电光特性,以及测量其电光特性随视角的变化;并对其三基色的电光特性和视角特性进行分析。结果表明,三基色的透过率在驱动电压2.2 V之前很小;在2.2 V后,透过率随电压的升高而增大;其中红基色和绿基色的透过率是一直升高,在电压达到5.0 V后,就是趋于平缓,而蓝基色的透过率是在3.7 V左右达到最大,而后慢慢变小,最后在电压达到6.0 V后,趋近一个稳定值。负性VA-LCD三基色的视角特性:红基色的视角范围最宽,绿基色次之,蓝基色的视角范围最窄。  相似文献   
27.
提出了一种产生光致热增强效应的不对称的人工金 纳米结构,建立了物理模型并进行了计算。采用离散偶极近似(DDA)方法计算水介质环境中 该结构及其不对称性改变后对吸收光谱及近区电磁场分布的影响,进而 利用傅里叶热传导定律数值模拟了该结构产生的热增强效应。结果表明:改变纳米结构的不 对称程度会明显影响结 构的光谱吸收位置、线型和峰值强度;同时,通过调节纳米结构的不对称性也可以有效地将 磁场能转化为热能,并 在结构周围形成高度限定的局域热增强现象。本文提出的纳米结构可在较大的近红外波段范 围内调控温度,可作为纳米尺度 下精确控制光致热效应的温度和设计热等离子纳米器件之参考。  相似文献   
28.
为了验证火灾模拟软件FDS(Fire Dynamics Simulator)的准确性,针对地下建筑单室特点,选取某工程内一个值班室作为研究对象,并根据相似准则建立了小尺度火灾房间模型。通过小尺度单室火灾实验,对烟气的扩散特性进行研究,同时利用FDS模拟软件进行单室火灾模拟,并将实验结果与模拟结果进行对比分析。结果表明,实验烟气温度随时间的变化趋势与FDS模拟结果一致,验证了火灾模拟软件FDS的准确性,证实了FDS用于模拟预测单室火灾的发展与迁移的适用性和合理性,对火灾的控制研究具有一定的参考价值。  相似文献   
29.
本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。  相似文献   
30.
利用溶剂热方法合成了层状多硫代锑髥酸镉髤化合物(1,4-DABH2)Cd2Sb2S6(1)(1,4-DAB=1,4-丁二胺),并通过红外光谱、热重分析对其进行了表征,用X-射线衍射测定了化合物的单晶结构。单晶解析表明,化合物属正交晶系,Cmca空间群,Mr=750.77,a=0.860 3(5)nm,b=0.898 7(6)nm,c=2.273(2)nm,V=1.758(2)nm3,Z=4,λ=0.071 073 nm,R=0.032,wR=0.106 7。晶体结构中含有六元环的Cd2SbS3和八元环的Cd2Sb2S4的阴离子网络层状[CdSbS3]nn-,双质子化的有机阳离子在阴离子层之间以氢键N-H…S形式连接。另外紫外-可见漫反射光谱研究表明,化合物为半导体。  相似文献   
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