全文获取类型
收费全文 | 1207篇 |
免费 | 187篇 |
国内免费 | 169篇 |
专业分类
化学 | 219篇 |
晶体学 | 9篇 |
力学 | 70篇 |
综合类 | 14篇 |
数学 | 130篇 |
物理学 | 374篇 |
无线电 | 747篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 27篇 |
2022年 | 37篇 |
2021年 | 47篇 |
2020年 | 31篇 |
2019年 | 46篇 |
2018年 | 34篇 |
2017年 | 31篇 |
2016年 | 43篇 |
2015年 | 33篇 |
2014年 | 78篇 |
2013年 | 68篇 |
2012年 | 61篇 |
2011年 | 49篇 |
2010年 | 51篇 |
2009年 | 67篇 |
2008年 | 49篇 |
2007年 | 44篇 |
2006年 | 56篇 |
2005年 | 56篇 |
2004年 | 59篇 |
2003年 | 68篇 |
2002年 | 43篇 |
2001年 | 57篇 |
2000年 | 35篇 |
1999年 | 57篇 |
1998年 | 35篇 |
1997年 | 22篇 |
1996年 | 35篇 |
1995年 | 25篇 |
1994年 | 19篇 |
1993年 | 20篇 |
1992年 | 14篇 |
1991年 | 15篇 |
1990年 | 16篇 |
1989年 | 21篇 |
1988年 | 15篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 12篇 |
1984年 | 13篇 |
1983年 | 15篇 |
1982年 | 10篇 |
1981年 | 6篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 4篇 |
1962年 | 1篇 |
1959年 | 2篇 |
1957年 | 2篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有1563条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
运用离子速度成像技术研究了2-溴戊烷分子在~234 nm处的光解离动力学. 通过分析光解产物Br(2P3/2)(简称Br)和Br(2P1/2) (简称Br*)的速度影像,分别得到其速度分布和角度分布. Br和Br*的速度分布可以用两个高斯分布拟合,分别对应于2-溴戊烷在~234 nm处两个独立的光解离反应通道. 高能的高斯分量对应于C-Br伸缩振动模式的直接解离,低能的高斯分量对应于弯曲振动和C-Br伸缩振动耦合所导致的解离. 确定出光解离产物Br的相对量子产率为0.892,结合Br和Br*碎片的各项异性参数和溴原子的相对量子产率,讨论了3Q0、3Q1和1Q1激发态分别对产物Br和Br*的贡献. 通过对比溴代戊烷4种同分异构体光解离过程的差异,讨论了分子烷基分支化对光解机理的影响. 相似文献
72.
多碳醇类化合物的合成 总被引:1,自引:0,他引:1
本文由正-二十四烷酸与五氯化磷反应,得到的二十四烷酰氯在氯仿中和三乙胺存在下与1-吗啉-1-环己烯反应所得中间体,经酸性水解,碱性开环和酸化,得到7-氧代-三十烷酸,而据文献报导[7],正-二十四烷酞氯与1-吗啉-1-环己烯反应结果,得到的仍然是原料二十四烷酸。作者采用上述方法合成了五种新的7-氧代烷酸R-C(=O)-(CH2)5-COOH(R=n-C14H29,n-C16H33,n-C18H37,n-C21H43和n-C23H47)。所制得的7-氧代三十烷酸经黄鸣龙改良的开息纳尔-武尔夫还原,再经四氢锂铝还原,即得三十烷醇。 相似文献
73.
叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达到4.3×10~4cm~2V·s,载流子浓度为2.4×10~(18)cm~(-3),77K 时载流子浓度为7.49×10~(15)cm~(-3);并在生长各种类型 InAsSb 超晶格材料的基础上,首次生长了 InAs_(0·05)Sb_(0·95)/InSb 应变层超晶格结构材料,其周期厚度为21nm,InSb 应变层与 InSb 层之间的共格度为0.65,本文还将叙述制作 InAsSb 长波红外探测器的具体工艺及其一些想法。 相似文献
74.
75.
矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解及其加权最佳逼近 总被引:1,自引:0,他引:1
本中,我们讨论了矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解,通过运用广义奇异值分解(GSVD),获得了解的通式。此外,对于给定矩阵F,也得到了它的加权最佳逼近表达式。 相似文献
76.
有限口径非周期亚波长衍射聚焦偏转器的严格矢量优化 总被引:1,自引:0,他引:1
有限口径非周期亚波长衍射光学器件的亚波长结构特性使得传统标量衍射理论失效,必须借助严格电磁理论进行器件的设计。提出一种循环平面波谱算法(IterativePlaneWaveSpectrumAlgorithm,IPWSA)作为器件优化算法,利用二维时域有限差分方法作为严格电磁计算模式,根据Farn方法对器件面型进行亚波长处理,设计出有限口径非周期具有亚波长结构的衍射聚焦偏转器件,偏转角为24.8°,该器件可与激光器集成构成微型集成光学系统,也可以用在红外量子阱系统中。详细分析了算法原理,设计实例验证了算法的优化效果。 相似文献
77.
以75 MPa静水高压处理萌动的水稻种子12 h,成苗后移栽至大田,研究高压处理后植株剑叶光合特性的变化。结果显示,静水高压处理后,粤香占和粤丰占种子的发芽率分别降低了14.4% 和16.6%,成苗率分别降至对照的24.6%和21.9%,生长明显受抑制,幼苗的株高在35天左右才能追赶上对照。高压处理的粤香占剑叶在生育过程中的净光合速率(Pn)和表观量子效率(AQY)的总平均值分别比未处理的对照增加了9.2%和12.4%,而粤丰占则分别增加5.7%和17.4%。高压处理后两个品种的植株叶片不同生长时期的平均光合色素含量均高于未处理的对照,在生长后期的衰老过程中高压处理植株剑叶的色素含量和PSⅡ光化学效率Fv/Fm下降速率较各自的未处理对照缓慢。高压处理后两个水稻品种的生物量和单株产量分别比对照提高了8%~27%及7%~14%。提出高压处理可能作为一种新的选育品种的方法。 相似文献
78.
79.
80.
在合成含有8-羟基喹啉(8HOQ)配位基单体的基础上,将其与甲基丙烯酸甲酯(MMA)共聚得到含有8-羟基喹啉侧基的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA8q),实现了8-羟基喹啉的高分子化;通过PMMA8q和小分子协同配体与稀土离子Eu(Ⅲ)的配位反应,制备了两个稀土高分子发光配合物:Eu(PMMA8q)(8HOQ)2(H2O)3和Eu(PMMA8q)2(TTA)(H2O)3(TTA:噻吩甲酰三氟丙酮)。利用元素分析、红外光谱方法对各阶段产物进行了表征,用荧光光谱研究了两个稀土高分子配合物的荧光特性及发光机理。 相似文献