掩埋隧道结VCSEL芯片小信号等效电路模型

提出了适用于一种1.55μm掩埋隧道结垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片的小信号等效电路模型.等效电路的提出是基于半导体激光器速率方程以及VCSEL芯片结构,电路中各元件都有严格的物理意义.根据实验测得芯片的反射系数及传输参数,通过小信号等效电路仿真模拟,得到电路各元件参数值.不同偏置电流下,模拟结果与实验结果吻合都非常好,证明了该等效电路的有效性.     

电脑选台FM袖珍收音机制作

本文介绍的FM袖珍电脑选台收音机,其主要电路采用飞利浦公司TDA7088T集成块(16脚双列扁平封装,工作电压为3V)。该集成块包括从天线接收到鉴频输出音频信号的FM收音机全部功能,还设有搜索调谐电路、信号检测电路、静噪电路以及防止中     

基于ISP1161的USB摄像头嵌入式Linux设备驱动

介绍一种在嵌入式Linux环境下实现USB摄像头驱动的方法,它采用具有USB Host协议的接口芯片ISP1161,通过分析Linux设备驱动原理以及ISP1161和USB摄像头芯片组工作机制,实现了USB摄像头的嵌入式Linux设备驱动,并在基于IntelXscale PXA255的Sitsang平台上实现了基于USB等时传输模式的图像数据采集.     

全固态窄线宽钠导星激光器

研制了一台重复频率400 Hz,平均功率1.0 W的激光二极管抽运全固态窄线宽钠导星激光器.利用两路波长分别为1064 nm和1319 nm的声光(AO)调Q激光器作为基频光,在腔外通过三硼酸锂(LBO)晶体和频产生(SFG)589 nm钠导旱激光,和频效率约达20%.每路基频光均采用标准具压窄线宽,输出和频光线宽约1.8 GHz,并调节控制标准具的温度和倾斜角度将中心波长锁定于589.159 nm(偏差±1 pm),实现了激光器谱线与钠原子D2线的精确匹配.     

压电陶瓷变压器

<正> 新开发的压电陶瓷变压器是利用压电材料的机电转换特性来实现变压的。压电陶瓷变压器的结构如附图所示。它是由铁电材料(锆-钛酸铅)经高温烧结、高压极化等系列工艺制成的。当压电变压器输入端(驱动部分)加入一定频率的交变电压时,由于逆压电效应,使压电变压器产生沿长度方向上的伸     

超快扫描探测显微镜

超快扫描探测显微镜王云才，陈国夫，王肾华（西安光机所瞬态光学实验室，西安７１００６８）扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）的发现，使人们第一次能够对单个原子在物质表面的排列状态进行实时观察。同时带动了原子力显微镜（ＡＦＭ）、磁力显微镜（ＭＦＭ）、激光力显微镜（Ｌ...     

离子注入Cd_xHg_(1-x)Te红外光伏探测器

用注入Al离子产生n-型区制成了Cd_xHg_(1-x)Te n-p结光伏探测器。用组分x=0.18(禁带宽相应为0.1电子伏)的材料所制成的注入式二极管在灵敏面积为200×250微米时,其零偏压电阻在77°K下为1千欧。在4～12微米范围内的光谱响应几乎是平的,量子效率在10.6微米时高达57％。在视场为30°和10.6微米时测得的探测度为7.3×10~(10)厘米赫~(1/2)瓦~(-1)。这是曾报导过的在该波长时的最高探测度之一。这些二极管在一与CO_2激光器配合工作的外差探测系统中使用时,频率响应为1千兆赫。     

K元素对CdS晶体光学及电学性能的影响

采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂CdS晶体,对掺杂和未掺杂的CdS晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K元素掺杂对CdS晶体光学及电学性能的影响.生长时用KCl进行掺杂.显微观察显示,掺杂KCl后CdS晶体的微观形貌没有明显变化;SIMS成分测试表明,晶体中引入的杂质主要是K元素,而Cl元素未掺入晶体中.红外光谱透过率发现掺杂K元素的CdS晶体相比于未掺杂晶体,不仅在波长为2.5～ 10 μm内红外透过率显著下降,而且在波长为10μm以上时红外透过率甚至低于15％.另外,K元素掺杂CdS晶体电学性能也发生变化,晶体迁移率也由未掺杂的318 cm2/ (V·s)下降为146 cm2/ (V·s).     

基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块

利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.     

频谱分析仪在射电法测量天线增益和G／T值中的应用

本文给出了频谱分析仪在射电法测量天线增益和Ｇ／Ｔ值中的应用方法以及计算公式，并对测量误差进行了分析，讨论了ＬＮＡ的噪声温度与Ｙ因子大小的关系，给出了对测量精度的影响和常用不同频段可测天线口径的下限。