基于最小稳定过热度的制冷系统变负荷优化控制

通过对采用变频压缩机和电子膨胀阀的变容量制冷系统稳定性的机理分析与实验研究辨识得到了与制冷量相匹配的蒸发器最小稳定过热度,并通过对压缩机频率阶跃变化下制冷系统的特性分析对最小稳定过热度进行了验证。采用基于最小稳定过热度的压缩机频率和电子膨胀阀开度协调控制方法,在制冷系统变负荷工况下进行了试验。结果表明,该方法很好的适应了制冷系统变工况的控制要求,相比常规的定过热度控制,具有跟踪性能良好、动态控制精度高,并能有效的提高制冷系统的变负荷运行时的性能系数(COP)。     

不同壳层厚度的LaF_3∶Eu~(3+)/LaF_3核壳结构纳米颗粒制备及发光性质

表面缺陷会使纳米材料的发光中心产生严重的猝灭,而适当厚度的同质包覆层会减少其猝灭。本文利用共沉淀法合成了LaF3∶Eu3+纳米颗粒和LaF3∶Eu3+/LaF3核壳结构纳米颗粒,研究了颗粒的晶体结构、形貌以及不同壳层厚度对发光性能的影响。研究发现:LaF3∶Eu3+核心和LaF3∶Eu3+/LaF3核壳结构均为六方结构。包覆同质壳层可以提高稀土离子的发光性能,包覆厚度的不同导致LaF3∶Eu3+/LaF3核壳结构的荧光强度与衰减时间均发生改变。其原因是未掺杂的LaF3壳层可以将发光中心Eu3+离子与LaF3∶Eu3+核心的表面隔离,进而减少表面对发光中心的猝灭,提高材料的发光性能。这种修饰作用与壳层厚度相关。     

水热法促进EuVO_4@YVO_4核壳结构纳米颗粒中Eu~(3+)的扩散及其对发光性能的影响

采用共沉淀法制备了EuVO4@YVO4核壳结构纳米颗粒,然后用聚电解质聚苯乙烯磺酸钠对其进行包覆和保护,并在200?C下对样品水热处理0—48 h.在水热处理48 h后,样品的发光强度增强了约5倍,平均发光寿命由0.410 ms延长至0.579 ms.对样品的发光衰减曲线的拟合、分析为Eu3+的扩散提供了有力的证据.这种自内而外的扩散降低了样品核心中Eu3+的局域浓度,削弱了浓度猝灭效应,同时又能够避免表面猝灭效应的发生,从而使得样品的发光寿命变长、发光效率迅速提升.     

火灾烟气毒害物HCl和HCN的分析及危害性评价方法

火灾是一种失去控制的燃烧,具有双重性规律。火灾产生的有害烟气是造成人员伤亡的主要原因。本文选定火灾中主要的有害燃烧产物氯化氢(HCl)和氰化氢(HCN)作为目标气体,考虑了影响实验数据的各种因素,通过对实验数据的分析,证明了“等生成率假设”在考虑火灾中其它影响因素如温度时是不正确的;分析实验浓度变化曲线达到致死浓度的关键时间,提出了一种新的火灾烟气对人员伤亡影响的危险性评价体系,为火灾燃烧有害产物释放机理研究在工程技术上的应用奠定了基础。     

基于裂缝波导的固态功率合成

介绍一种基于裂缝波导固态功率合成系统的分析与设计,并给出具体仿真数据.该种固态功率合成系统具有简单的结构和高的功率合成效率,在X波段连续波照射雷达和毫米波空间功率合成等领域都具有广泛的应用前景.     

界面修饰对有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池性能的影响

作为近些年来最耀眼的明星材料之一,钙钛矿以其优异独特的光电特性成功吸引研究人员的广泛关注.自2009年报道了第一篇光电转换效率为3.8％的钙钛矿电池,到现在短短10年期间效率已经突破25.2％,几乎可以与商用多晶硅电池媲美.尽管其制备过程简单,但在薄膜的形成过程中很容易引入大量的缺陷.缺陷的存在会加速载流子的复合,阻碍...     

多跳中继增强的WiMAX网络架构与组网成本分析

文章介绍了多跳中继增强的WiMAX网络架构和相关技术,包括多跳中继的部署场景、中继的控制方式及相应的连接管理方式等,并对基于传统蜂窝架构的WiMAX网络和基于多跳中继架构的WiMAX网络的组网成本进行了分析比较。     

单片集成微波/射频功率放大器技术进展

回顾了一些用于微波单级功率放大器的传统技术方案,讨论了各自的优缺点.从电路模块的角度,总结了若干兼顾功放线性度和效率指标的典型电路拓扑形式,包括Doherty电路、包络消除与恢复(EER)技术、LINC技术等,并总结了当前主要采用的基于电路系统层面的微波射频功放线性化方案.在此基础上,列举评点了文献中一些典型功放的电路特点和性能指标,可为设计和制造人员提供有益参考.     

集成电路制造工艺状态的表达与跟踪监控

文章提出了对PCM参数进行正交化而建立起一套广义参数,再以广义参数为基础构建工艺状态空间的技术。在工艺状态空间中,作为工艺结果的测试值集的数据分布为多维椭球体;该椭球体随生产的进行而呈现出连续性的形变,因此,跟踪这种形变,就实现了对工艺状态的监控。提出了将特定批次工艺状态与参照态进行状态比较的相似度指标计算公式,在多维空间中实现了整体性的统计工艺控制(SPC)。进一步地,由于状态空间中各坐标基矢的特定指向与工艺失效因素一一对应,对失效工艺的诊断与纠正也变得易于进行。     

一种带功率检测的TD-SCDMA锗硅功率放大器

设计了一个用于TD-SCDMA的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)功率放大器。该放大器使用3.3 V电源,内部实现了包括级间匹配网络等的全电路片上集成。对于码分多址环境,功率放大器提供28 dBm的功率输出,实现34.8%的功率附加效率(PAE),另外,在28 dBm的输出功率下,邻道功率泄漏比(ACPR)小于-35 dBc。该功率放大器同时包括动态控制偏置电路和完全集成的功率检测器。