WCDMA与TD-SCDMA系统共存时的干扰研究

一．WCDMA基站和TD-SCDMA基站频率干扰介绍 1．频率干扰原理分析 工作于不同频率的系统产生共存干扰是由于两个系统内发射机和接收机特性的不完善造成的。干扰系统的发射机的对外辐射表现为发射机的ACLR与杂散辐射特性，被干扰系统的接收机的被干扰表现为接收机的ACS与阻塞特性。这两个因素共同作用的结果可用ACIR来衡量，即干扰系统的发射信号对邻频共存被干扰系统接收机端的干扰可通过ACIR体现。     

多层片式LC滤波器中间层复合材料的研究

为了解决多层片式LC滤波器制造中的介电体与铁氧体的共烧问题,采取了在两种材料之间加入中间层复合材料的方法来实现异种材料之间的共烧。制备了由Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3基介电体和NiZnCu铁氧体构成的中间层复合材料,研究了其显微组织、成分分布以及其与介电体和铁氧体的共烧界面等,结果表明中间层复合材料中介电体与铁氧体各自保持独立的相结构,没有新相生成;介电体晶粒与铁氧体晶粒相间分布于中间层中,且它们之间存在着离子的相互扩散;中间层能够有效地减小异种材料共烧界面上的应力。     

基于单片机的高速信号测试接口板的实现

介绍了一种基于单片机的高速信号测试接口板，通过该测试板连接计算机与数字单元电路．可以在计算机上比较和分析高速数字单元电路的短时输入和输出。从而测试其电路性能。该测试接口板设计简单，易于实现，应用灵活．在验证FPGA电路性能方面得到了实际应用。     

特殊环境下无线通信系统的频率选择

在地下矿井和生产环境对通信频率影响的基础上,考虑到移动设备的体积,确定井下无线通信传输在工业、科学、医学(ISM)频段(868 MHz～915 MHz)较合理.这样也有利于与地面移动通信系统兼容以及利用现有的技术成果.另一个使用ISM频段的原因是考虑到该频段天线尺寸和设备体积远小于高、中、低频段的天线尺寸和设备体积.     

1．55μmInGaAsP及其相应量子阱结构的LP-MOCVD生长

本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×10¹⁵cm^-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。     

48Ca无中微子双β衰变的寿命下限

本文报道国内首次开展的双β衰变实验研究工作.国产大尺寸CaF₂闪烁晶体既用来做为探测器,又做为双β衰变的放射源.数据采集总共7588.5小时.实验给出⁴⁸Ca无中微子双β衰变的寿命下限T_1/2>1.1×10²²年(68%C.L.);由理论推算相应的中微子质量v≤8eV;右手流混合参量η的限值η≤0.69×10^－5.     

高完整GexSi1-x/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究

本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的Ge_xSi_1-x/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整Ge_xSi_1-x/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。 关键词：     

联合体在数字示波器没计中的应用

描述在数字存储示波器的软件系统设计中,应用联合体这种结构,使得设计更为简介,首先介绍联合体的基本概念,接着举例描述了在示波器设计中联合体最常见的三种使用方法。     

百焦耳KrF激光用二极管的实验

描述了脉宽１００ｎｓ强流脉冲电子束单向泵浦百焦耳级ＫｒＦ准分子激光用大面积二极管的实验研究。采用１２ｃｍ×７５ｃｍ长方形碳毡阴极，３０μｍ厚铝膜或九根间距１３ｍｍ，直径１．３ｍｍ的金属丝组成的阳极。当阴阳极间距为２０～２２ｍｍ，Ｍａｒｘ发生器电压１．１～１．２ＭＶ时，二极管峰值电压为６２０～６７０ｋＶ，峰值电流１５０～１７０ｋＡ，电子束总能量大于８ＫＪ，使电子束泵浦ＫｒＦ激光器最大输出能量达１０６Ｊ。     

取向对径向分布函数的影响

依据实验结果导出的径向分布函数（ＲＤＦ），因实验测量和数据处理误差引入的误差称作“误差畸变”，如峰形宽化，峰面积改变，峰位移动以及假峰出现等。ＲＤＦ是建立在非晶材料结构各向同性和均匀性假设基础上的。因此当非晶材料存在取向各向异性时，其ＲＤＦ出现一种比误差畸变更为严重的“取向畸变”，它将导致ＲＤＦ的解释出现严重错误。讨论了这种“取向畸变”特征。 关键词：