一种提高DSO插值性能的方法研究

由于受到ADC转换速率的限制,当数字示波器工作在快速时基档位时,最高实时采样率往往不能满足显示要求,这时候就需要对原始采样数据进行插值。目前,在进行波形内插时普遍采用了由软件实现正弦插值的方法,但该方法具有运算效率低、波形恢复质量差等缺点。文章提出了一种多相滤波器插值算法,该算法能够有效的减少波形失真,同时将该算法用FPGA设计实现,使数据处理的速度得到极大的提升,大大地提高了示波器在插值时的波形捕获率。     

分数阶退化时滞微分系统的有限时间镇定性问题

文章研究了带有扰动的分数阶线性退化时滞微分系统的有限时间镇定性问题.通过构造新的Lyapunov函数和利用线性矩阵不等式(LMI),以及广义Gronwall不等式的方法,研究了退化、时滞和扰动对系统有限时间稳定性的影响,并且在反馈控制器作用下,得到了系统在有限时间内镇定的条件.最后,给出具体数值例子和系统模拟验证了文章...     

分级分段印制插头工艺的研发与应用

介绍了一种采用特殊的设计方法制作分级分段印制插头的工艺生产的印制插头完全没有引线残留的踪迹,对分级分段印制插头的品质做到了有效的控制,可靠性实达到品质要求,通过了实际生产应用的验证,建立了工艺规范和品质管制计划,为批量生产奠定了坚实基础。     

Er~(3+)/Tm~(3+)共掺铋硅酸盐玻璃2.0μm光谱性质（英文）

用高温熔融法制备了Er~(3+)/Tm~(3+)共掺杂无铅铋硅酸盐玻璃.测试了玻璃的吸收光谱和荧光光谱,分析和表征了Er~(3+)、Tm~(3+)离子之间的能量传递机制和传递效率,结果表明:在800 nm和1 550 nm光源泵浦下,Er~(3+)的掺入能够增强Tm~(3+)离子1.8μm发光,相应的最大发射截面分别为6.7×10~(-21)cm~2和7.3×10~(-21)cm~2,荧光带宽达到250 nm.根据Dexter-Foster模型,得到Er~(3+):~4I_(13/2)能级到Tm~(3+):~3F_4能级的直接能量传递系数为16.8×10~(-40)cm~6/s,为1 550 nm泵浦下获得较强的1.8μm发光奠定了基础.     

酶催化光度法测定异丙肾上腺素

试验表明:在pH 9.5氨水-氯化铵缓冲介质中,牛血红蛋白对过氧化氢与酸性络蓝K的氧化还原反应的催化作用因异丙肾上腺素的存在而被抑制,而且其抑制率与异丙肾上腺素的浓度在8.1×10~(-8)～1.2×10~(-5)mol·L~(-1)范围内呈线性关系,其检出限(3S/N)为2.2×10~(-9)mol·L~(-1)。据此,提出了一种简单而灵敏的测定异丙肾上腺素的酶催化光度法。此方法已用于盐酸异丙肾上腺素注射液中异丙肾上腺素含量的测定,并以此样品为基体用标准加入法作回收试验,测得回收率在92.8%～105.4%之间,测定值的相对标准偏差(n=5)在2.6%～5.8%之间。     

OVP在线视频平台设计与实践

针对新媒体平台的视频管理系统建设现状,结合在线视频管理系统(Video Manage System,VMS)的局限性,从架构、流程、部署、功能等方面讨论设计在线视频平台(Online Video Platform,OVP),并借以实践总结OVP平台优势,对广播电视台创建新媒体平台提供实践参考.     

基于稀疏分解和混沌理论的微弱信号检测

针对数字锁定放大器中稀疏分解算法检测精度受限的缺点,结合非线性方法进行补偿,采用混沌检测联合稀疏分解的算法设计了数字锁定放大器。数字锁定放大器借助稀疏分解算法估计信号参数,根据估计得到的参数设计对应混沌系统;利用混沌系统检测信号的过程中产生间歇性混沌状态,并通过测量间歇性混沌状态的周期,精确检测信号。最终,在信号的信噪比低至-20 dB时可以成功检测信号,频率精度达到0.05 Hz,提供了一种非线性微弱信号检测方法。     

WO3对Rubrene/C70有机太阳能电池性能的改善

研究了WO₃对Rubrene/C₇₀有机太阳能电池 (OSCs)性能的 改善,制备了结构为ITO/WO₃/Rubrene/C₇₀/BCP/Al的OSCs,其中WO₃插入在I TO和Rubrene中间作为阳极修饰层。通过优化WO₃的厚度,研究了WO₃对OSCs性能的改善及其作用机理。实验发现,器件的短路电流Jsc、开路电压V_oc、 填充因子(FF)、光电转换效率(PCE)和串联电阻Rs等性能参数随WO₃厚度的变化呈规律性变化;当 WO₃厚度小于80 nm时,器件PCE随着厚度的增加不断增大;当W O ₃厚大于80 nm时,器件PCE随着厚度的 增加不断减小;当WO₃厚度为80 nm 时,器件PCE达到最高为1.03%, 相应的J sc、V_oc、FF分别为2.81mA·cm－2、 0.83V、43.85%,Rs为45.3Ω·cm²,对比没有WO₃修饰层, 器件的J_sc、V_oc、FF和PCE分别提高了31%、137%、17%,Rs降低了33%。