猪组织中10种β-兴奋剂类兽药残留量的气相色谱-质谱法检测

利用气相色谱-质谱检测技术,建立了猪组织(猪肉、猪肝、猪肾)中10种β-兴奋剂类兽药残留量的检测方法。样品经乙酸钠缓冲溶液提取后,依次经液-液萃取、阳离子交换柱净化,再经双(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺-三甲基氯硅烷(BSTFA-TMCS)衍生,气相色谱-质谱检测。在相应的质量浓度范围内,10种β-兴奋剂的质量浓度与峰面积有良好的线性关系,相关系数r2大于0.996,检出限为1~5μg/kg。对猪组织样品的室内平均回收率为59%~77%,相对标准偏差为0.87%~7.0%;室间平均回收率为63%~76%,相对标准偏差为1.5%~12.6%。方法具有简便快速、准确度和灵敏度高、重复性好等特点,适合于动物组织中β-兴奋剂的测定。     

湿化学法制备的KTiOPO4@SiO2玻璃陶瓷纳米结构和透明性

用湿化学法合成了25KTiOPO₄-75SiO₂透明纳米玻璃陶瓷。采用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜和二次谐波发生对玻璃陶瓷物相及纳米结构进行了分析。透明凝胶块经过热处理后,从SiO₂基玻璃中析出了粒径为~30 nm的KTiOPO₄纳米晶体,形成了透明KTiOPO₄@SiO₂纳米玻璃陶瓷;凝胶粒子的烧结致密化消除了大量不规则介孔,但形成了少量30 nm的球状孔;这种相对致密的玻璃陶瓷在可见光波段的光学透射率为64%左右。根据纳米结构数据,利用瑞利散射模型分析了纳米结构对玻璃陶瓷透明性的影响,结果表明,KTiOPO₄晶体与SiO₂玻璃相折射率之差是降低致密纳米玻璃陶瓷透明性的主要因素。     

EDTA辅助合成Li2MnSiO4/C纳米复合锂离子电池正极材料及性能

以乙二胺四乙酸（EDTA）为配位剂,采用溶胶凝胶和溶剂热法相结合的方法合成了Li₂MnSiO₄/C纳米复合正极材料。经过EDTA配位的锂锰硅前驱体在氩气中经过700℃煅烧后,产生为颗粒尺寸约为50nm的Li₂MnSiO₄/C纳米复合粉体。在0.1C=33mA·g^-1进行充放电测试时,其首次充电和放电比容量分别为223和140mAh·g^-1,第5次循环放电比容量仍为138mAh·g^-1;电流密度升至0.2C=66mA·g^-1时,在第20次循环的放电比容量仍可稳定在80mAh·g^-1左右。这些结果表明,EDTA的配位作用可抑制杂相的形成,这种分散性相对较好的纳米复合粉体Li₂MnSiO₄正极材料表现出提高的循环稳定性。     

铁通黑龙江分公司全力抢险 抗击9．22暴风雪

2009年9月22日至23日，铁通黑龙江分公司辖区牙林线、潮乌线突发暴风雪，最大降雪量达30余厘米。成片的树林被大风雪折断后倒压在通信和电力线路上，造成近百处的通信、电力线路混线中断，严重危及铁路运输安全。     

探讨WLAN网络资源的管理手段

从WLAN网络建设、WLAN网络建设与业务开展的关系及WLAN网络维护等方面,探讨了在WLAN网络资源的全生命周期,如何提高管理水平和管理效率的问题,为移动公司由话音运营向流量运营的转型提供一些借鉴．     

用于垂直耦合的非对称光栅耦合器的研究进展

光子集成的发展极大地促进了光栅耦合器的研究.非对称光栅打破了耦合对称条件,能够实现相对较高的耦合效率.近年来,倾斜光栅、闪耀光栅和二元闪耀光栅等均得到了极大发展,它们的结构设计、制备方法和测试方法等也都得到了改进.介绍了光栅作为光纤与光波导的耦合器的工作原理和主要特点,梳理了光栅耦合器的主要类型及各类型所面临的主要问题...     

机器学习在即时诊断中的应用进展

即时诊断凭借廉价、快速、方便和准确的特点已成为疾病诊断的一大趋势.机器学习方法的应用大大提高了即时诊断的数据处理能力,使即时诊断焕发新的生机.目前,随着智能手机等智能电子设备的普及,由即时诊断设备、智能电子产品和云端构成的物联网系统已经逐步成为现实.本文概述了机器学习算法的基本原理并阐述了其在即时诊断中的优势,着重介绍...     

共聚物模板辅助合成高倍率性能多孔Li2FeSiO4@C/CNTs纳米复合正极材料

通过溶胶-凝胶法制备了Li₂FeSiO₄@C/CNTs(LFS@C/CNTs)纳米复合材料,其中三嵌段共聚物P123用作结构导向剂和碳源,碳纳米管作为导电线提高材料的导电性。LFS@C/CNTs不仅具有海绵状纳米孔,能够与电解液充分接触改善锂离子的传输路径,同时由非晶碳和碳纳米管构成的三维桥联导电网络利于电子的快速传递,提高了材料大电流充放电能力和循环稳定性。复合后的LFS@C/CNTs的高倍率性能相比LFS@C明显提高, 当CNTs的掺量为4%,电压窗口为1.5~4.5 V,0.1C电流密度下放电比容量为182 mAh·g^-1。在10C经70次循环后该材料的放电比容量能保持在117 mAh·g^-1,是LFS@C放电比容量(55 mAh·g^-1)的两倍。     

基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法

以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10～40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。